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China Se trata de un sistema de transmisión de datos basado en la tecnología de la información.

Se trata de un sistema de transmisión de datos basado en la tecnología de la información.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
China W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP Winbond Electrónica

W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP Winbond Electrónica

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NAND (SLC)
China CY62128EV30LL-45ZXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I Tecnologías Infineon

CY62128EV30LL-45ZXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China CY62148EV30LL-45ZSXIT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II Tecnologías Infineon

CY62148EV30LL-45ZSXIT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asincrónico
China AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA Alliance Memory, Inc. Se trata de un sistema de almacenamiento de datos basado en la memoria de la Unión de las Naciones Unidas.

AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA Alliance Memory, Inc. Se trata de un sistema de almacenamiento de datos basado en la memoria de la Unión de las Naciones Unidas.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM-DDR
China MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA Tecnología de micrófonos Inc.

MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA Tecnología de micrófonos Inc.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NAND
China AT25DF041B-MAHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 104MHZ 8UDFN Renesas Design Alemania GmbH

AT25DF041B-MAHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 104MHZ 8UDFN Renesas Design Alemania GmbH

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH
China CY7C1480BV33-250BZI IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA Tecnologías Infineon

CY7C1480BV33-250BZI IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Síncrono, SDR
China SST26VF016BT-104I/MF IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD Tecnología de microchip 8WDFN

SST26VF016BT-104I/MF IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD Tecnología de microchip 8WDFN

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH
China DS1245AB-70+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrado

DS1245AB-70+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrado

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: NVSRAM
Tecnología: NVSRAM (SRAM permanente)
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