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71V424S10YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias
| Nombre de la marca | Renesas Electronics America Inc |
|---|---|
| Número de modelo | 71V424S10YG8 |
| Cantidad de orden mínima | 1 |
| Precio | Based on current price |
| Detalles de empaquetado | Bolsa antistática y caja de cartón |
| Tiempo de entrega | 3 a 5 días hábiles |
| Condiciones de pago | T/T |
| Capacidad de la fuente | En stock |
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xDatos del producto
| Tipo de la memoria | Volátil | Formato de la memoria | SRAM |
|---|---|---|---|
| Tecnología | SRAM - Asincrónico | Tamaño de la memoria | 4Mbit |
| Organización de la memoria | 512K x 8 | Interfaz de la memoria | En paralelo |
| Frecuencia de reloj | - | Escriba la duración de ciclo - palabra, página | 10ns |
| Tiempo de acceso | 10 ns | Voltagem - Suministro | 3 V ~ 3,6 V |
| Temperatura de funcionamiento | 0 °C ~ 70 °C (TA) | Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Envase / estuche | 36-BSOJ (0,400", anchura de 10.16m m) | Paquete de dispositivos del proveedor | 36-SOJ |
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| 71V424S10YG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| 71V424S10YG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| 71V424S15YG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IS61WV5128BLL-10KLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IS61C5128AL-10KLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IS61WV5128EDBLL-10KLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IS61WV5128BLL-10KLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IS61C5128AL-10KLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IS61LV5128AL-10KLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IS61LV5128AL-10KLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IS61WV2568EDBLL-10KLI-TR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IS61WV2568EDBLL-10KLI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IS61LV2568L-10KLI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IS61LV2568L-10KLI-TR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IS61LV5128AL-10K | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IS61LV5128AL-10K-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| 71V424S15YGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| 71V424L15YGI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IDT71V424L10Y | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IDT71V424L10Y8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| 71V424L10YG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| 71V424L10YG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| 71V424L10YGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| 71V424L10YGI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IDT71V424L10YI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IDT71V424L10YI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IDT71V424L12Y | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IDT71V424L12Y8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| 71V424L12YG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| 71V424L12YG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| 71V424L12YGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| 71V424L12YGI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IDT71V424L12YI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IDT71V424L12YI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IDT71V424L15Y | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IDT71V424L15Y8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| 71V424L15YG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| 71V424L15YG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| 71V424L15YGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IDT71V424L15YI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IDT71V424L15YI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IDT71V424S10Y | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IDT71V424S10Y8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| 71V424S10YGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| 71V424S10YGI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IDT71V424S10YI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IDT71V424S10YI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IDT71V424S12Y | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IDT71V424S12Y8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| 71V424S12YG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| 71V424S12YG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| 71V424S12YGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| 71V424S12YGI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IDT71V424S12YI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IDT71V424S12YI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IDT71V424S15Y | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IDT71V424S15Y8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| 71V424S15YG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| 71V424S15YGI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IDT71V424S15YI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IDT71V424S15YI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IDT71V424YS12Y | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ |
Descripción de producto
Detalles del producto
Descripción
El IDT71V424 es un 4,194Es una memoria RAM estática de alta velocidad de 304 bits organizada como 512K x 8.combinado con técnicas innovadoras de diseño de circuitos, ofrece una solución rentable para las necesidades de memoria de alta velocidad.
Características
◆512K x 8 RAM estática CMOS avanzada de alta velocidad◆JEDEC Center Power / GND para reducir el ruido
◆Integración de las redes de transporte
¢ Comercio e industria: 10/12/15 días
◆Alimentación única de 3,3 V
◆Un chip Select más un pin de salida Activar
◆Las entradas y salidas bidireccionales de datos son directamente compatibles con TTL
◆Bajo consumo de energía mediante deselección del chip
◆Disponible en paquetes de plástico SOJ de 36 pines y 400 mil y TSOP de 44 pines y 400 mil.
Especificaciones
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Sistemas de circuitos integrados |
| Categoría de productos | Interfaces de memoria |
| Serie | Las demás: |
| El tipo | Asíncrono |
| Embalaje | Embalaje alternativo |
| Estilo de montaje | DSM/SMT |
| Cuadro de paquete | 36-BSOJ (0,400", ancho de 10,16 mm) |
| Temperatura de funcionamiento | 0 °C ~ 70 °C (TA) |
| Interfaz | En paralelo |
| Fuente de suministro de tensión | 3 V ~ 3,6 V |
| Envase del producto del proveedor | 36-SOJ |
| Capacidad de memoria | 4M (512K x 8) |
| Tipo de memoria | La memoria de memoria de seguridad de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento |
| Velocidad | 10 días |
| Tiempo de acceso | 10 ns |
| Formatos de memoria | Memoria RAM |
| Temperatura máxima de funcionamiento | + 70 C |
| Rango de temperatura de funcionamiento | 0 C |
| Tipo de interfaz | En paralelo |
| Organizaciones | 512 k x 8 |
| Alimentación de corriente máxima | 180 mA |
| Parte-#-Alias | Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
| Válvula de alimentación | 3.6 V |
| Válvula de alimentación | 3 V |
| Cuadro de paquete | El SOJ-36 |
| Parte del fabricante | Descripción | Fabricante | Comparar |
| Se aplicarán los siguientes requisitos: Memoria |
La RAM estándar, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0,400 INCH, PLASTIC, SOJ-36 también se puede utilizar. | Semiconductor de Samsung | El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero es el siguiente: |
| Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. Memoria |
El SOJ-36, el carrete | Tecnología de dispositivos integrados Inc. | El número de unidades de producción es el número de unidades de producción. |
| Se aplicarán los siguientes requisitos: Memoria |
La RAM estándar, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0,400 pulgadas, libre de plomo, SOJ-36 | Alianza de la memoria Inc. | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
| Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. Memoria |
El SOJ-36, el carrete | Tecnología de dispositivos integrados Inc. | El número de unidades de producción es el número de unidades de producción. |
| Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente. Memoria |
La RAM estándar, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0,400 pulgadas, libre de plomo, plástico, MS-027, SOJ-36 | Solución Integrada de Silicio Inc. | El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero es el siguiente: |
| Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán ser las siguientes: Memoria |
La RAM estándar, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0,400 pulgadas, libre de plomo, SOJ-36 | Alianza de la memoria Inc. | El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción. |
| Se aplicarán los siguientes requisitos: Memoria |
La memoria RAM estándar, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36 | Alianza de la memoria Inc. | El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para determinar el nivel de emisiones de gases de efecto invernadero. |
Descripciones
SRAM - IC de memoria asíncrona de 4 Mb (512K x 8) paralelo 10ns 36-SOJ
La RAM 512Kx8 ASINCRONA de 3,3 V CMOS es una RAM que se utiliza para realizar las tareas siguientes:
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