71V416S12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

Nombre de la marca Renesas Electronics America Inc
Número de modelo Se trata de una serie de medidas de control de la seguridad.
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

Éntreme en contacto con gratis las muestras y los vales.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

skype: sales10@aixton.com

Si usted tiene alguna preocupación, proporcionamos ayuda en línea de 24 horas.

x
Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria SRAM
Tecnología SRAM - Asincrónico Tamaño de la memoria 4Mbit
Organización de la memoria 256K × 16 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj - Escriba la duración de ciclo - palabra, página 12ns
Tiempo de acceso 12 ns Voltagem - Suministro 3 V ~ 3,6 V
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 48-TFBGA Paquete de dispositivos del proveedor Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo se clasifican en la categoría de las máqui
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number Description
71V416S12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L10BEG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L10BE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L12BEGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L12BE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L15BE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L12BE8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L15BE8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L15BEG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L12BEG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L12BEG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L12BEI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L15BEG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L15BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L15BEI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S10BE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S10BE8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S10BEG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S12BE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S12BE8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S12BEG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S12BEG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S15BE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S15BE8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S15BEG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S10BEG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S15BEG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S15BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S15BEGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L10BEG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S12BEI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S15BEI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S15BEGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L12BEGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L15BEGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L15BEGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416L10BEGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416L10BEGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416L10BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416L10BEI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416S10BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416S10BEI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL10BEGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL10BEGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL12BE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL12BE8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL12BEI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL15BE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL15BE8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL15BEG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL15BEG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL15BEGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL15BEGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VS10BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VS10BEI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VS12BE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VS12BE8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VS12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VS12BEI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VS15BEGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VS15BEGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L10BE8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
Deja un mensaje
Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

Descripción

El IDT71V416 es un 4,194Es una memoria RAM estática de 304 bits de alta velocidad organizada en 256K x 16.combinado con técnicas innovadoras de diseño de circuitos, ofrece una solución rentable para las necesidades de memoria de alta velocidad.
El IDT71V416 tiene un pin de salida que funciona tan rápido como 5ns, con tiempos de acceso a direcciones tan rápidos como 10ns.Todas las entradas y salidas bidireccionales del IDT71V416 son compatibles con LVTTL y el funcionamiento es de un solo 3Se utiliza un circuito completamente estático asíncrono, que no requiere relojes ni actualización para su funcionamiento.

Características

◆ 256K x 16 RAM estática CMOS avanzada de alta velocidad
◆ JEDEC Center Power / GND para reducir el ruido.
◆ Igualdad de acceso y tiempo de ciclo
¢ Comercio e industria: 10/12/15 días
◆ Un chip Select más un pin de salida Activar
◆ Entradas y salidas bidireccionales de datos directamente compatibles con LVTTL
◆ Bajo consumo eléctrico por deselección de chips
◆ Pines que permiten el byte superior y el inferior
◆ Fuente de alimentación única de 3,3 V
◆ Disponible en un paquete SOJ de plástico de 44 pines y 400 mil y en un paquete TSOP Tipo II de 44 pines y 400 mil y en una matriz de cuadrícula de 48 bolas de 9 mm x 9 mm.

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Sistemas de circuitos integrados
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie Las demás:
El tipo Asíncrono
Embalaje Embalaje alternativo de bandeja
Estilo de montaje DSM/SMT
Cuadro de paquete 48-TFBGA
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 3 V ~ 3,6 V
Envase del producto del proveedor Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo se clasifican en la categoría de las máquinas de ensayo.
Capacidad de memoria 4M (256K x 16)
Tipo de memoria La memoria de memoria de seguridad de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento
Velocidad 12 días
Tiempo de acceso 12 ns
Formatos de memoria Memoria RAM
Temperatura máxima de funcionamiento + 85 C
Rango de temperatura de funcionamiento - 40 ° C.
Tipo de interfaz En paralelo
Organizaciones 256 k x 16
Alimentación de corriente máxima 180 mA
Parte-#-Alias Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Válvula de alimentación 3.6 V
Válvula de alimentación 3 V
Cuadro de paquete CABGA-48
Componente compatible funcionalFormulario, paquete, componente funcional compatible
Parte del fabricante Descripción Fabricante Comparar
IDT71V416S12BEI8
Memoria
La memoria RAM estándar, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 Tecnología de dispositivos integrados Inc. 71V416S12BEI vs. IDT71V416S12BEI8 y el resto de los equipos.
Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.
Memoria
La RAM estándar, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, conforme con el Reglamento (CE) n.o 765/2008, es compatible con la normativa ROHS y con el Reglamento (CE) n.o 765/2008. Tecnología de dispositivos integrados Inc. El número de unidades de producción es el número de unidades de producción.
El número de identificación de la empresa es el siguiente:
Memoria
La memoria RAM estándar, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 Tecnología de dispositivos integrados Inc. El número de unidades de producción es el número de unidades de producción.
Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.
Memoria
La memoria RAM estándar, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 Tecnología de dispositivos integrados Inc. El objetivo de la medida es el de garantizar la seguridad de los productos.
Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.
Memoria
La memoria RAM estándar, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 Tecnología de dispositivos integrados Inc. El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero, que es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.
Memoria
La memoria RAM estándar, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, POWER, BGA-48 también se puede utilizar. Tecnología de dispositivos integrados Inc. El número de unidades de producción es el número de unidades de producción.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Memoria
La RAM estándar, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, conforme con el Reglamento (CE) n.o 765/2008, es compatible con la normativa ROHS y con el Reglamento (CE) n.o 765/2008. Tecnología de dispositivos integrados Inc. El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.
Memoria
CABGA-48, carrete Tecnología de dispositivos integrados Inc. 71V416S12BEI frente a 71V416S12BEI8
Los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos.
Memoria
La memoria RAM estándar, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 Tecnología de dispositivos integrados Inc. El objetivo de la medida es el de garantizar la seguridad de los productos.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Memoria
La RAM estándar, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, conforme con el Reglamento (CE) n.o 765/2008, es compatible con la normativa ROHS y con el Reglamento (CE) n.o 765/2008. Tecnología de dispositivos integrados Inc. El número de unidades de producción es el número de unidades de producción.

Descripciones

SRAM - IC de memoria asíncrona de 4 Mb (256K x 16) paralelo 12ns 48-CABGA (9x9)
Se aplican las reglas siguientes a los sistemas de almacenamiento de datos: