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71V416S12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias
Nombre de la marca | Renesas Electronics America Inc |
---|---|
Número de modelo | Se trata de una serie de medidas de control de la seguridad. |
Cantidad de orden mínima | 1 |
Precio | Based on current price |
Detalles de empaquetado | Bolsa antistática y caja de cartón |
Tiempo de entrega | 3 a 5 días hábiles |
Condiciones de pago | T/T |
Capacidad de la fuente | En stock |

Éntreme en contacto con gratis las muestras y los vales.
Whatsapp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
skype: sales10@aixton.com
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xDatos del producto
Tipo de la memoria | Volátil | Formato de la memoria | SRAM |
---|---|---|---|
Tecnología | SRAM - Asincrónico | Tamaño de la memoria | 4Mbit |
Organización de la memoria | 256K × 16 | Interfaz de la memoria | En paralelo |
Frecuencia de reloj | - | Escriba la duración de ciclo - palabra, página | 12ns |
Tiempo de acceso | 12 ns | Voltagem - Suministro | 3 V ~ 3,6 V |
Temperatura de funcionamiento | -40 °C ~ 85 °C (TA) | Tipo de montaje | Montura de la superficie |
Envase / estuche | 48-TFBGA | Paquete de dispositivos del proveedor | Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo se clasifican en la categoría de las máqui |
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number | Description | |
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71V416S12BEI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L10BEG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L10BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L12BEGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L12BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L15BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L12BE8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L15BE8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L15BEG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L12BEG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L12BEG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L12BEI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L12BEI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L15BEG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L15BEI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L15BEI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416S10BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416S10BE8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416S10BEG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416S12BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416S12BE8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416S12BEG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416S12BEG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416S15BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416S15BE8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
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71V416S10BEG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416S15BEG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416S15BEI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416S15BEGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L10BEG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416S12BEI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416S15BEI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416S15BEGI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L12BEGI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L15BEGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L15BEGI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
IDT71V416L10BEGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
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IDT71V416S10BEI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
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IDT71V416VL10BEGI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
IDT71V416VL12BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
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IDT71V416VL12BEI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
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IDT71V416VL15BEGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
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IDT71V416VS15BEGI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L10BE8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA |
Descripción de producto
Detalles del producto
Descripción
El IDT71V416 es un 4,194Es una memoria RAM estática de 304 bits de alta velocidad organizada en 256K x 16.combinado con técnicas innovadoras de diseño de circuitos, ofrece una solución rentable para las necesidades de memoria de alta velocidad.El IDT71V416 tiene un pin de salida que funciona tan rápido como 5ns, con tiempos de acceso a direcciones tan rápidos como 10ns.Todas las entradas y salidas bidireccionales del IDT71V416 son compatibles con LVTTL y el funcionamiento es de un solo 3Se utiliza un circuito completamente estático asíncrono, que no requiere relojes ni actualización para su funcionamiento.
Características
◆ 256K x 16 RAM estática CMOS avanzada de alta velocidad◆ JEDEC Center Power / GND para reducir el ruido.
◆ Igualdad de acceso y tiempo de ciclo
¢ Comercio e industria: 10/12/15 días
◆ Un chip Select más un pin de salida Activar
◆ Entradas y salidas bidireccionales de datos directamente compatibles con LVTTL
◆ Bajo consumo eléctrico por deselección de chips
◆ Pines que permiten el byte superior y el inferior
◆ Fuente de alimentación única de 3,3 V
◆ Disponible en un paquete SOJ de plástico de 44 pines y 400 mil y en un paquete TSOP Tipo II de 44 pines y 400 mil y en una matriz de cuadrícula de 48 bolas de 9 mm x 9 mm.
Especificaciones
Atributo | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | Sistemas de circuitos integrados |
Categoría de productos | Interfaces de memoria |
Serie | Las demás: |
El tipo | Asíncrono |
Embalaje | Embalaje alternativo de bandeja |
Estilo de montaje | DSM/SMT |
Cuadro de paquete | 48-TFBGA |
Temperatura de funcionamiento | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
Interfaz | En paralelo |
Fuente de suministro de tensión | 3 V ~ 3,6 V |
Envase del producto del proveedor | Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo se clasifican en la categoría de las máquinas de ensayo. |
Capacidad de memoria | 4M (256K x 16) |
Tipo de memoria | La memoria de memoria de seguridad de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento |
Velocidad | 12 días |
Tiempo de acceso | 12 ns |
Formatos de memoria | Memoria RAM |
Temperatura máxima de funcionamiento | + 85 C |
Rango de temperatura de funcionamiento | - 40 ° C. |
Tipo de interfaz | En paralelo |
Organizaciones | 256 k x 16 |
Alimentación de corriente máxima | 180 mA |
Parte-#-Alias | Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Válvula de alimentación | 3.6 V |
Válvula de alimentación | 3 V |
Cuadro de paquete | CABGA-48 |
Parte del fabricante | Descripción | Fabricante | Comparar |
IDT71V416S12BEI8 Memoria |
La memoria RAM estándar, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 | Tecnología de dispositivos integrados Inc. | 71V416S12BEI vs. IDT71V416S12BEI8 y el resto de los equipos. |
Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente. Memoria |
La RAM estándar, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, conforme con el Reglamento (CE) n.o 765/2008, es compatible con la normativa ROHS y con el Reglamento (CE) n.o 765/2008. | Tecnología de dispositivos integrados Inc. | El número de unidades de producción es el número de unidades de producción. |
El número de identificación de la empresa es el siguiente: Memoria |
La memoria RAM estándar, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 | Tecnología de dispositivos integrados Inc. | El número de unidades de producción es el número de unidades de producción. |
Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente. Memoria |
La memoria RAM estándar, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 | Tecnología de dispositivos integrados Inc. | El objetivo de la medida es el de garantizar la seguridad de los productos. |
Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente. Memoria |
La memoria RAM estándar, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 | Tecnología de dispositivos integrados Inc. | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero, que es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente. Memoria |
La memoria RAM estándar, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, POWER, BGA-48 también se puede utilizar. | Tecnología de dispositivos integrados Inc. | El número de unidades de producción es el número de unidades de producción. |
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. Memoria |
La RAM estándar, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, conforme con el Reglamento (CE) n.o 765/2008, es compatible con la normativa ROHS y con el Reglamento (CE) n.o 765/2008. | Tecnología de dispositivos integrados Inc. | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases. Memoria |
CABGA-48, carrete | Tecnología de dispositivos integrados Inc. | 71V416S12BEI frente a 71V416S12BEI8 |
Los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos. Memoria |
La memoria RAM estándar, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 | Tecnología de dispositivos integrados Inc. | El objetivo de la medida es el de garantizar la seguridad de los productos. |
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. Memoria |
La RAM estándar, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, conforme con el Reglamento (CE) n.o 765/2008, es compatible con la normativa ROHS y con el Reglamento (CE) n.o 765/2008. | Tecnología de dispositivos integrados Inc. | El número de unidades de producción es el número de unidades de producción. |
Descripciones
SRAM - IC de memoria asíncrona de 4 Mb (256K x 16) paralelo 12ns 48-CABGA (9x9)
Se aplican las reglas siguientes a los sistemas de almacenamiento de datos:
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