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MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA Tecnología de micrófono Inc.

  • MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA Micron Technology Inc.
Nombre de la marca Micron Technology Inc.
Número de modelo MT5D1G64D8NZ-046 WT:E TR
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria COPITA
Tecnología SDRAM - LPDDR4 móvil Tamaño de la memoria 64Gbit
Organización de la memoria 1G x 64 Interfaz de la memoria -
Frecuencia de reloj 2,133 gigahertz Escriba la duración de ciclo - palabra, página -
Tiempo de acceso - Voltagem - Suministro 1.1V
Temperatura de funcionamiento -30°C ~ 85°C (TC) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 376-WFBGA Paquete de dispositivos del proveedor 376-WFBGA (14x14)
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Part Number Description
MT53E512M64D2NZ-46 WT:B TR IC DRAM 32GBIT PAR 376WFBGA
MT53E512M64D2NZ-46 WT:B IC DRAM 32GBIT PAR 376WFBGA
MT53E1G64D4NZ-046 WT:C TR LPDDR4 64G 1GX64 FBGA
MT53E1G64D4NZ-046 WT:C LPDDR4 64G 1GX64 FBGA
MT53E1G64D4NZ-046 WT ES:C TR LPDDR4 64GBIT 64 376/1156 WFBGA
MT53E1G64D4NZ-046 WT ES:C LPDDR4 64GBIT 64 376/1156 WFBGA
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53E1G64D4NZ-46 WT:C TR IC DRAM 64GBIT PAR 376WFBGA
MT53E1G64D4NZ-46 WT:C IC DRAM 64GBIT PAR 376WFBGA
MT53D1G64D8NZ-046 WT:E IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 376WFBGA
MT53D768M64D8WF-053 WT:D IC DRAM 48GBIT 1.866GHZ 376WFBGA
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D TR IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 376WFBGA
MT53D768M64D8WF-053 WT:D TR IC DRAM 48GBIT 1.866GHZ 376WFBGA
MT53D8DBWF-DC IC DRAM 376WFBGA
MT53D8DBWF-DC TR IC DRAM SPECIAL/CUSTOM 376WFBGA
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 376WFBGA
MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D768M64D8WF-053 WT ES:D IC DRAM 48GBIT 1.866GHZ 376WFBGA
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D TR IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 376WFBGA
MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E TR IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D768M64D8WF-053 WT ES:D TR IC DRAM 48GBIT 1.866GHZ 376WFBGA
MT53E256M64D4NZ-053 WT:B TR IC DRAM 16GBIT 1.866GHZ WFBGA
MT53E256M64D4NZ-053 WT:B IC DRAM 16GBIT 1.866GHZ WFBGA
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Part Number Description
Descripción de producto

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Tecnología Micron Inc.
Categoría de productos Las demás
El Sr. Tecnología de Micron Inc.
Serie -
Paquete Cintas y bobinas (TR)
Estado del producto Actividad
Tipo de memoria Las sustancias
Formato de memoria Dispositivos de almacenamiento
Tecnología SDRAM - LPDDR4 móvil
Tamaño de la memoria 64 GB (1G x 64)
Interfaz de memoria -
Frecuencia del reloj 2,133 GHz
Escribe-Ciclo-Tiempo-Word-Página -
Fuente de suministro de tensión 1.1V
Temperatura de funcionamiento -30 °C ~ 85 °C (TC)
Tipo de montaje Montura de la superficie
Cuadro de paquete 376-WFBGA
Envase del producto del proveedor 376-WFBGA (14x14)
Número del producto de base MT1capacidad de producción

Descripciones

SDRAM - IC de memoria LPDDR4 móvil de 64 GB (1G x 64) 2133 MHz
Etiquetas:

Memoria Flash estable IC

Memoria Flash IC no volátil

Memoria Flash IC de SPI