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MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA Tecnología de micrófono Inc.

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xDatos del producto
Tipo de la memoria | Volátil | Formato de la memoria | COPITA |
---|---|---|---|
Tecnología | SDRAM - LPDDR4 móvil | Tamaño de la memoria | 64Gbit |
Organización de la memoria | 1G x 64 | Interfaz de la memoria | - |
Frecuencia de reloj | 2,133 gigahertz | Escriba la duración de ciclo - palabra, página | - |
Tiempo de acceso | - | Voltagem - Suministro | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) | Tipo de montaje | Montura de la superficie |
Envase / estuche | 376-WFBGA | Paquete de dispositivos del proveedor | 376-WFBGA (14x14) |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
MT53E512M64D2NZ-46 WT:B TR | IC DRAM 32GBIT PAR 376WFBGA | |
MT53E512M64D2NZ-46 WT:B | IC DRAM 32GBIT PAR 376WFBGA | |
MT53E1G64D4NZ-046 WT:C TR | LPDDR4 64G 1GX64 FBGA | |
MT53E1G64D4NZ-046 WT:C | LPDDR4 64G 1GX64 FBGA | |
MT53E1G64D4NZ-046 WT ES:C TR | LPDDR4 64GBIT 64 376/1156 WFBGA | |
MT53E1G64D4NZ-046 WT ES:C | LPDDR4 64GBIT 64 376/1156 WFBGA | |
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E | IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 376WFBGA | |
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR | IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 376WFBGA | |
MT53E1G64D4NZ-46 WT:C TR | IC DRAM 64GBIT PAR 376WFBGA | |
MT53E1G64D4NZ-46 WT:C | IC DRAM 64GBIT PAR 376WFBGA | |
MT53D1G64D8NZ-046 WT:E | IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA | |
MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR | IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA | |
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E | IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ 376WFBGA | |
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR | IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ 376WFBGA | |
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D | IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 376WFBGA | |
MT53D768M64D8WF-053 WT:D | IC DRAM 48GBIT 1.866GHZ 376WFBGA | |
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D TR | IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 376WFBGA | |
MT53D768M64D8WF-053 WT:D TR | IC DRAM 48GBIT 1.866GHZ 376WFBGA | |
MT53D8DBWF-DC | IC DRAM 376WFBGA | |
MT53D8DBWF-DC TR | IC DRAM SPECIAL/CUSTOM 376WFBGA | |
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E | IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA | |
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E | IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 376WFBGA | |
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D | IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 376WFBGA | |
MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E | IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ 376WFBGA | |
MT53D768M64D8WF-053 WT ES:D | IC DRAM 48GBIT 1.866GHZ 376WFBGA | |
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR | IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA | |
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR | IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 376WFBGA | |
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D TR | IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 376WFBGA | |
MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E TR | IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ 376WFBGA | |
MT53D768M64D8WF-053 WT ES:D TR | IC DRAM 48GBIT 1.866GHZ 376WFBGA | |
MT53E256M64D4NZ-053 WT:B TR | IC DRAM 16GBIT 1.866GHZ WFBGA | |
MT53E256M64D4NZ-053 WT:B | IC DRAM 16GBIT 1.866GHZ WFBGA |
Descripción de producto
Especificaciones
Atributo | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | Tecnología Micron Inc. |
Categoría de productos | Las demás |
El Sr. | Tecnología de Micron Inc. |
Serie | - |
Paquete | Cintas y bobinas (TR) |
Estado del producto | Actividad |
Tipo de memoria | Las sustancias |
Formato de memoria | Dispositivos de almacenamiento |
Tecnología | SDRAM - LPDDR4 móvil |
Tamaño de la memoria | 64 GB (1G x 64) |
Interfaz de memoria | - |
Frecuencia del reloj | 2,133 GHz |
Escribe-Ciclo-Tiempo-Word-Página | - |
Fuente de suministro de tensión | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30 °C ~ 85 °C (TC) |
Tipo de montaje | Montura de la superficie |
Cuadro de paquete | 376-WFBGA |
Envase del producto del proveedor | 376-WFBGA (14x14) |
Número del producto de base | MT1capacidad de producción |
Descripciones
SDRAM - IC de memoria LPDDR4 móvil de 64 GB (1G x 64) 2133 MHz
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