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AS4C4M16SA-6BIN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA Alliance Memory, Inc. Se trata de un sistema de memoria integrado de 64MBIT para el almacenamiento de datos de las máquinas de almacenamiento de datos.

  • AS4C4M16SA-6BIN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA Alliance Memory, Inc.
Nombre de la marca Alliance Memory, Inc.
Número de modelo Las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de s
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria COPITA
Tecnología SDRAM Tamaño de la memoria 64Mbit
Organización de la memoria los 4M x 16 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj 166 MHz Escriba la duración de ciclo - palabra, página -
Tiempo de acceso 5,4 ns Voltagem - Suministro 3 V ~ 3,6 V
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 54-TFBGA Paquete de dispositivos del proveedor 54-TFBGA (8x8)
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number Description
AS4C4M16SA-6BIN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C8M16SA-6BINTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C8M16SA-7BCN IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C8M16SA-6BAN IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-7BCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-6BIN IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-6BAN IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16SA-7BCN IC DRAM 64MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16SA-6BAN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C8M16SA-6BIN IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16SA-7BCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16SA-6BINTR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C4M16SA-6BANTR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C8M16SA-7BCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C8M16SA-6BANTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-7BCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-6BINTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-6BANTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SB-6BIN IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TFBGA
AS4C16M16S-7BCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C8M16S-7BCN IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16S-7BCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C8M16S-7BCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16S-6BIN IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16S-6BIN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C8M16S-6BIN IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16S-6BINTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16S-6BINTR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C8M16S-6BINTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
MT48LC16M16A2F4-6A:G IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC16M16A2F4-6A IT:GTR IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC16M16A2F4-6A:GTR IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
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Part Number Description
Descripción de producto

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Alianza Memoria, Inc.
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
El tipo SDRAM
Embalaje Envases
Estilo de montaje DSM/SMT
Cuadro de paquete Las demás partidas del anexo 1
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 3 V ~ 3,6 V
Envase del producto del proveedor Se trata de un sistema de control de velocidad.
Capacidad de memoria 64M (4M x 16)
Tipo de memoria SDRAM
Velocidad 166MHz
Tiempo de acceso 5.4 ns
Formatos de memoria Memoria RAM
Temperatura máxima de funcionamiento + 85 C
Rango de temperatura de funcionamiento - 40 ° C.
Organizaciones 4 M x 16
Alimentación de corriente máxima 50 mA
Ancho del bus de datos 16 bits
Válvula de alimentación 3.6 V
Válvula de alimentación 3 V
Cuadro de paquete Se aplicará el método siguiente:
Frecuencia máxima del reloj 166 MHz

Descripciones

Memoria SDRAM IC de 64 Mb (4M x 16) paralelo a 166 MHz 5.4ns 54-TFBGA (8x8)
Dispositivos de almacenamiento
Etiquetas:

Memoria Flash estable IC

Memoria Flash IC no volátil

Memoria Flash IC de SPI