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MT47H16M16BG-37E:B TR IC SDRAM 256MBIT 266MHZ 84FBGA Micron Technology Inc.
| Nombre de la marca | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Número de modelo | MT4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M420 |
| Cantidad de orden mínima | 1 |
| Precio | Based on current price |
| Detalles de empaquetado | Bolsa antistática y caja de cartón |
| Tiempo de entrega | 3 a 5 días hábiles |
| Condiciones de pago | T/T |
| Capacidad de la fuente | En stock |
Éntreme en contacto con gratis las muestras y los vales.
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wechat: 0086 18588475571
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xDatos del producto
| Tipo de la memoria | Volátil | Formato de la memoria | COPITA |
|---|---|---|---|
| Tecnología | SDRAM-DDR2 | Tamaño de la memoria | 256Mbit |
| Organización de la memoria | el 16M x 16 | Interfaz de la memoria | En paralelo |
| Frecuencia de reloj | 267 megaciclos | Escriba la duración de ciclo - palabra, página | 15ns |
| Tiempo de acceso | 500 picosegundos | Voltagem - Suministro | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) | Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Envase / estuche | Las demás partidas de la partida 84 | Paquete de dispositivos del proveedor | Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo de alta velocidad de las máquinas de ensay |
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT47H16M16BG-37E:B TR | IC SDRAM 256MBIT 266MHZ 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-3:B TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-37V:B | IC DRAM 256MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E L:B | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E L:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-3E:B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-3E:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E IT:B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E L:B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E L:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-3E:B | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-5E:B | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-5E:B TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E:B | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-3:B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E:B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-3:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-3:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-3 IT:B TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-37E:D TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-25E:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-25:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-5E IT:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-37E IT:D TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-3 IT:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-25E IT:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-5E:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA |
Descripción de producto
Detalles del producto
DDR2 SDRAM
MT47H256M4 ¢ 32 Meg x 4 x 8 bancosMT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 bancos
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 bancos
Características
• VDD = 1,8 V ± 0,1 V, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V• E/S de 1.8V de la norma JEDEC (compatible con SSTL_18)
• Opción de estroboscopo de datos diferencial (DQS, DQS#)
• Arquitectura de preencuesta de 4n bits
• Opción de estroboscopo de salida duplicado (RDQS) para x8
• DLL para alinear las transiciones DQ y DQS con CK
• 8 bancos internos para operaciones simultáneas
• latencia de CAS programable (CL)
• La latencia del aditivo CAS publicada (AL)
• Tardor de escritura = Tardor de lectura - 1 tCK
• Longitudes de estallido seleccionables (BL): 4 u 8
• Fuerza de transmisión de datos ajustable
• 64 ms, 8192 ciclos de actualización
• Terminación en el momento de la muerte (ODT)
• Opción de temperatura industrial (TI)
• Opción de temperatura del vehículo (AT)
• Cumplimiento de la Directiva RoHS
• Soporta la especificación JEDEC de jitter de reloj
Especificaciones
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Tecnología Micron Inc. |
| Categoría de productos | Interfaces de memoria |
| Serie | - |
| Embalaje | |
| Cuadro de paquete | Las demás partidas de la partida 84 |
| Temperatura de funcionamiento | 0 °C ~ 85 °C (TC) |
| Interfaz | En paralelo |
| Fuente de suministro de tensión | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Envase del producto del proveedor | Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo de alta velocidad de las máquinas de ensayo de alta potencia |
| Capacidad de memoria | 256M (16M x 16) |
| Tipo de memoria | DDR2 SDRAM |
| Velocidad | 3.75ns |
| Formatos de memoria | Memoria RAM |
Descripciones
SDRAM - IC de memoria DDR2 de 256 Mb (16M x 16) paralelo a 267 MHz 500ps 84-FBGA (8x14)
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