Todos los productos
Persona de Contactar Ahora : Zhao
Número de teléfono : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085
China AT24C01C-PUM IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8DIP Tecnología de microchip

AT24C01C-PUM IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8DIP Tecnología de microchip

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
China AT24C04C-SSHM-T IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC Tecnología de microchip

AT24C04C-SSHM-T IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC Tecnología de microchip

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
China S29GL01GS11FHIV23 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA Tecnologías Infineon

S29GL01GS11FHIV23 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA Tecnologías Infineon

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NI
China CY7C1350G-133BGXC IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

CY7C1350G-133BGXC IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Síncrono, SDR
China 24LC64T-I/ST IC EEPROM 64KBIT I2C 8TSSOP Tecnología de microchip

24LC64T-I/ST IC EEPROM 64KBIT I2C 8TSSOP Tecnología de microchip

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
China IS61NLP51236B-200B3LI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA ISSI, Solución integrada de silicio Inc.

IS61NLP51236B-200B3LI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA ISSI, Solución integrada de silicio Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Síncrono, SDR
China SST39VF010-70-4I-NHE IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32PLCC Tecnología de microchip

SST39VF010-70-4I-NHE IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32PLCC Tecnología de microchip

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH
China Se trata de un sistema de control de velocidad basado en el sistema de control de velocidad.

Se trata de un sistema de control de velocidad basado en el sistema de control de velocidad.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
China W25X20CLSNIG IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOIC Winbond Electrónica

W25X20CLSNIG IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOIC Winbond Electrónica

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH
China 7025S20PF IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

7025S20PF IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Puerto doble, asíncrono
30 31 32 33 34 35 36 37