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71V416S15YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias
| Nombre de la marca | Renesas Electronics America Inc |
|---|---|
| Número de modelo | Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases. |
| Cantidad de orden mínima | 1 |
| Precio | Based on current price |
| Detalles de empaquetado | Bolsa antistática y caja de cartón |
| Tiempo de entrega | 3 a 5 días hábiles |
| Condiciones de pago | T/T |
| Capacidad de la fuente | En stock |
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Whatsapp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
skype: sales10@aixton.com
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xDatos del producto
| Tipo de la memoria | Volátil | Formato de la memoria | SRAM |
|---|---|---|---|
| Tecnología | SRAM - Asincrónico | Tamaño de la memoria | 4Mbit |
| Organización de la memoria | 256K × 16 | Interfaz de la memoria | En paralelo |
| Frecuencia de reloj | - | Escriba la duración de ciclo - palabra, página | 15ns |
| Tiempo de acceso | 15 ns | Voltagem - Suministro | 3 V ~ 3,6 V |
| Temperatura de funcionamiento | 0 °C ~ 70 °C (TA) | Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Envase / estuche | 44-BSOJ (0,400", anchura de 10.16m m) | Paquete de dispositivos del proveedor | 44-SOJ |
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| 71V416S15YG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V416S12YGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71016S12YG8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71016S15YG | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71016S15YGI8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71016S20YG | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V016SA12YG8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V016SA15YG8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71016S12Y | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71016S12Y8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71016S12YG | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71016S12YGI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71016S12YGI8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71016S12YI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71016S12YI8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71016S15Y | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71016S15Y8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71016S15YG8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71016S15YGI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71016S15YI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71016S15YI8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71016S20Y | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71016S20Y8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71016S20YG8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71016S20YGI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71016S20YGI8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| IDT71016S20YI8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| IDT71V016SA10Y8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V016SA10YG | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V016SA10YG8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V016SA10YGI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V016SA10YGI8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V016SA10YI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V016SA10YI8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| 71V016SA12YG | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V016SA12YGI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V016SA12YGI8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V016SA12YI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V016SA12YI8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V016SA15Y | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V016SA15Y8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V016SA15YG | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V016SA15YGI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V016SA15YGI8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V016SA15YI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V016SA15YI8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V016SA20Y | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V016SA20Y8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V016SA20YG | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V016SA20YG8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V016SA20YGI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V016SA20YGI8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V016SA20YI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V016SA20YI8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| IDT71V416L12Y8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| 71V416S15YGI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| IDT71V416VL15Y | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V416VL15Y8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| IDT71V416VS15Y | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| IDT71V416VS15YG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V416VS15YG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| IDT71V416YL10Y8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| IDT71V416YL12Y8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V416YL15Y | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V416YL15Y8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V416YS10Y | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V416YS10Y8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V416YS12Y | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V416YS12Y8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V416YS12YI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V416YS12YI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V416YS15Y | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V416YS15Y8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V416YS15YI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V416YS15YI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V416L10YG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V416L10YG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ |
Descripción de producto
Detalles del producto
Descripción
El IDT71V416 es un 4,194Es una memoria RAM estática de 304 bits de alta velocidad organizada en 256K x 16.combinado con técnicas innovadoras de diseño de circuitos, ofrece una solución rentable para las necesidades de memoria de alta velocidad.El IDT71V416 tiene un pin de salida que funciona tan rápido como 5ns, con tiempos de acceso a direcciones tan rápidos como 10ns.Todas las entradas y salidas bidireccionales del IDT71V416 son compatibles con LVTTL y el funcionamiento es de un solo 3Se utiliza un circuito completamente estático asíncrono, que no requiere relojes ni actualización para su funcionamiento.
Características
◆ 256K x 16 RAM estática CMOS avanzada de alta velocidad◆ JEDEC Center Power / GND para reducir el ruido.
◆ Igualdad de acceso y tiempo de ciclo
¢ Comercio e industria: 10/12/15 días
◆ Un chip Select más un pin de salida Activar
◆ Entradas y salidas bidireccionales de datos directamente compatibles con LVTTL
◆ Bajo consumo eléctrico por deselección de chips
◆ Pines que permiten el byte superior y el inferior
◆ Fuente de alimentación única de 3,3 V
◆ Disponible en un paquete SOJ de plástico de 44 pines y 400 mil y en un paquete TSOP Tipo II de 44 pines y 400 mil y en una matriz de cuadrícula de 48 bolas de 9 mm x 9 mm.
Especificaciones
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Sistemas de circuitos integrados |
| Categoría de productos | Interfaces de memoria |
| Serie | Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
| El tipo | Asíncrono |
| Embalaje | Embalaje alternativo |
| Estilo de montaje | DSM/SMT |
| Cuadro de paquete | 44-BSOJ (0,400", 10,16 mm de ancho) |
| Temperatura de funcionamiento | 0 °C ~ 70 °C (TA) |
| Interfaz | En paralelo |
| Fuente de suministro de tensión | 3 V ~ 3,6 V |
| Envase del producto del proveedor | 44-SOJ |
| Capacidad de memoria | 4M (256K x 16) |
| Tipo de memoria | La memoria de memoria de seguridad de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento |
| Velocidad | 15 días |
| Tiempo de acceso | 15 ns |
| Formatos de memoria | Memoria RAM |
| Temperatura máxima de funcionamiento | + 70 C |
| Rango de temperatura de funcionamiento | 0 C |
| Tipo de interfaz | En paralelo |
| Organizaciones | 256 k x 16 |
| Alimentación de corriente máxima | 170 mA |
| Parte-#-Alias | Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
| Válvula de alimentación | 3.6 V |
| Válvula de alimentación | 3 V |
| Cuadro de paquete | El SOJ-44 |
| Parte del fabricante | Descripción | Fabricante | Comparar |
| Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases. Memoria |
SOJ-44, tubo | Tecnología de dispositivos integrados Inc. | El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para determinar el nivel de emisión de gases de efecto invernadero. |
| Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. Memoria |
El SOJ-44, el carrete | Tecnología de dispositivos integrados Inc. | El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para determinar el nivel de emisión de gases de efecto invernadero. |
| Se aplicarán los siguientes requisitos: Memoria |
256KX16 SRAM estándar, 15ns, PDSO44, 0,400 pulgadas, libre de plomo, SOJ-44 | Rochester Electronic LLC, también conocido como | Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
| El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente: Memoria |
256KX16 SRAM estándar, 15ns, PDSO44, 0,400 pulgadas, libre de plomo, SOJ-44 | Rochester Electronic LLC, también conocido como | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
| Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. Memoria |
SOJ-44, tubo | Tecnología de dispositivos integrados Inc. | El número de unidades de producción es el número de unidades de producción. |
| Se aplicarán los siguientes requisitos: Memoria |
La RAM estándar, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, SOJ-44 también se puede utilizar para la memoria de memoria. | Alianza de la memoria Inc. | El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción. |
| Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de las instalaciones de seguridad de las instalaciones de seguridad de las instalaciones de seguridad de las instalaciones de seguridad de las instalaciones de seguridad de las instalaciones de seguridad. Memoria |
La RAM estándar, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0,400 pulgadas, libre de plomo, SOJ-44 | Alianza de la memoria Inc. | El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción. |
| Se aplicarán los siguientes requisitos: Memoria |
La RAM estándar, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0,400 pulgadas, libre de plomo, SOJ-44 | Alianza de la memoria Inc. | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
| Los datos de las pruebas de detección se deben incluir en el documento de identificación. Memoria |
La RAM estándar, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 también se puede utilizar. | Tecnología de dispositivos integrados Inc. | El objetivo de la medida es garantizar que los datos de la empresa se utilicen correctamente. |
| Los datos de las pruebas de detección se deben incluir en el documento de identificación. Memoria |
La RAM estándar, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 también se puede utilizar. | Tecnología de dispositivos integrados Inc. | 71V416S15YG8 contra IDT71V416S15YG |
Descripciones
SRAM - IC de memoria asíncrona de 4 Mb (256 K x 16) paralelo a 15 ns 44-SOJ
Se aplican las reglas siguientes a los sistemas de almacenamiento de datos:
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