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IS43DR16640C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.
| Nombre de la marca | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|---|---|
| Número de modelo | Se aplican las siguientes medidas: |
| Cantidad de orden mínima | 1 |
| Precio | Based on current price |
| Detalles de empaquetado | Bolsa antistática y caja de cartón |
| Tiempo de entrega | 3 a 5 días hábiles |
| Condiciones de pago | T/T |
| Capacidad de la fuente | En stock |
Éntreme en contacto con gratis las muestras y los vales.
Whatsapp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
skype: sales10@aixton.com
Si usted tiene alguna preocupación, proporcionamos ayuda en línea de 24 horas.
xDatos del producto
| Tipo de la memoria | Volátil | Formato de la memoria | COPITA |
|---|---|---|---|
| Tecnología | SDRAM-DDR2 | Tamaño de la memoria | 1Gbit |
| Organización de la memoria | los 64M x 16 | Interfaz de la memoria | En paralelo |
| Frecuencia de reloj | 400 MHz | Escriba la duración de ciclo - palabra, página | 15ns |
| Tiempo de acceso | 400 picosegundos | Voltagem - Suministro | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) | Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Envase / estuche | 84-TFBGA | Paquete de dispositivos del proveedor | 84-TWBGA (8x12.5) |
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| IS43DR16320E-25DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16640C-25DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16640C-3DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16640C-25DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16128C-25DBLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16640C-3DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16160B-37CBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320E-3DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160B-37CBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320C-3DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16640B-3DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16320E-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16128C-25DBL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16640B-3DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16128C-3DBL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16160B-25DBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160B-3DBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320D-25DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320D-3DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160B-25DBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160B-3DBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160B-37CBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320D-25DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320D-3DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320C-3DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320C-25DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320C-25DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160B-3DBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160B-37CBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160B-25DBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320E-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16640B-3DBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320E-25DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320E-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160B-3DBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16320E-3DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160B-25DBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16640C-3DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320E-25DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16320E-25DBLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320E-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16160B-3DBLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16640C-25DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320E-3DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16320E-3DBLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320D-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16160B-25DBLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16640C-3DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16640C-25DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16320C-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320D-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16320E-25DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16160B-3DBLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16320D-3DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320C-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16320E-3DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16640C-3DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320D-3DBLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16160B-25DBLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16640C-3DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320D-25DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320D-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16640C-25DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16160B-3DBLA2-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16640C-25DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16320C-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320D-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16640B-3DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320D-3DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16160B-25DBLA2-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320C-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16640C-3DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16128C-3DBL-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320D-25DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16320D-3DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16320C-3DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16160B-3DBLA2 | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16640C-25DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320C-25DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16160B-25DBLA2 | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16320D-25DBLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16320C-3DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16640B-3DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320C-25DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16640B-25DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320D-25DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16640B-3DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320C-3DBLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16640B-25DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320C-3DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16640B-3DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16640B-25DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16640B-3DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16640B-25DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16128C-3DBLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16128C-25DBLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16128C-3DBLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16128C-3DBLA1-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16128C-3DBLA1 | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16128C-3DBLA2-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16128C-3DBLA2 | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-37CBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-37CBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16640A-3DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-25EBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-25EBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-25EBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-25EBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-37CBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-37CBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-3DBI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-3DBI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-3DBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-3DBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-3DBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-3DBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-5BBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-5BBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320C-25DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320C-25DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320C-3DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320C-3DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16640B-3DBI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16640B-3DBI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16640B-25EBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16640B-25EBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16320D-25DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320D-25DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320D-3DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320D-3DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16640C-3DBI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16640C-3DBI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16160B-3DBI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16640B-25EBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16640B-25EBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16160B-3DBI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16640B-25EBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16640B-25EBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320D-25DBA2 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320C-3DBA2 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320D-3DBA2 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16640B-25DBI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA |
Descripción de producto
Detalles del producto
Características
• Tensión estándar: VDD y VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V• Baja tensión (L): VDD y VDDQ = 1,35 V + 0,1 V, -0,067 V
- Compatible con el pasado con 1.5V
• Las velocidades de transferencia de datos de alta velocidad con una frecuencia del sistema de hasta 933 MHz
• 8 bancos internos para operaciones simultáneas
• Arquitectura de pre-recuperación de 8n-bit
• latencia de CAS programable
• Latencia aditiva programable: 0, CL-1, CL-2
• Latencia de escritura de CAS programable (CWL) basada en tCK
• Largura de ráfaga programable: 4 y 8
• Secuencia de explosión programable: secuencial o interleave
• Interruptor de luz en el aire
• Auto Actualización (ASR)
• Temperatura de auto-refresco (SRT)
• Intervalo de actualización:
7.8 nosotros (8192 ciclos/64 ms) Tc= -40°C a 85°C
3.9 nosotros (8192 ciclos/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
• Auto-refrescamiento de la matriz parcial
• Pin de restablecimiento asíncrono
• TDQS (Termination Data Strobe) soportado (sólo x8)
• OCD (ajuste de la impedancia del controlador fuera del chip)
• ODT dinámico (terminación en el momento de morir)
• Fuerza del conductor: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Escribir nivelación
• Hasta 200 MHz en el modo DLL apagado
• Temperatura de funcionamiento:
Para uso comercial (TC = 0°C a +95°C)
Industriales (TC = -40°C a +95°C)
Para el automóvil, A1 (TC = -40°C a +95°C)
Para el sector del automóvil, A2 (TC = -40°C a +105°C)
Especificaciones
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | El ISSI |
| Categoría de productos | Interfaces de memoria |
| Fabricante | El ISSI |
| Categoría de productos | Dispositivos de almacenamiento |
| RoHS | Detalles |
| Marca del producto | El ISSI |
| Parte del fabricante | Descripción | Fabricante | Comparar |
| MT5M4M4M4M4M4M4M4M4M4 Memoria |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, conforme a la normativa ROHS, FBGA-84 | Tecnología de Micron Inc | El uso de la tecnología de la información es un requisito básico para la evaluación de los resultados de la evaluación. |
| MT4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4205M4205M4205M4205M4205M4205 M4205M4205 M4205 M4205 M4205 M4205 Memoria |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, conforme a la normativa ROHS, FBGA-84 | Tecnología de Micron Inc | El uso de la tecnología de la información en el ámbito de la seguridad de los datos es un requisito esencial para la evaluación de la seguridad de los datos. |
| Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. Memoria |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM ALTA, 0.80 MM PITCH, libre de plomo, TWBGA-84 | Solución Integrada de Silicio Inc. | Los resultados de la evaluación de la calidad de los productos se basan en los resultados de la evaluación de la calidad de los productos. |
| Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero. Memoria |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM ALTA, 0.80 MM PITCH, libre de plomo, TWBGA-84 | Solución Integrada de Silicio Inc. | Los resultados de la evaluación de la calidad de los productos se basan en los resultados de la evaluación de la calidad de los productos. |
Descripciones
SDRAM - IC de memoria DDR2 1Gb (64M x 16) paralelo 400MHz 400ns 84-TWBGA (8x12.5)
Chip DRAM DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84 pin TW-BGA
la memoria DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16
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