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6116LA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

  • 6116LA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC Renesas Electronics America Inc
Nombre de la marca Renesas Electronics America Inc
Número de modelo 6116LA25SOG8
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria SRAM
Tecnología SRAM - Asincrónico Tamaño de la memoria 16Kbit
Organización de la memoria 2K x 8 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj - Escriba la duración de ciclo - palabra, página 25ns
Tiempo de acceso 25 ns Voltagem - Suministro 4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 24-SOIC (0,295", 7,50 mm de ancho) Paquete de dispositivos del proveedor 24-SOIC
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number Description
6116LA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
6116LA20SOG IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
6116SA15SOG IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
6116LA20SOGI IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
6116SA25SOGI IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
6116LA20SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
6116SA15SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
6116SA20SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
6116SA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
6116LA20SOGI8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
6116LA25SOGI8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
6116SA25SOGI8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
6116LA25SOG IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
6116SA20SOG IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
6116SA25SOG IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
6116LA25SOGI IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
AT28C16-15SC IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
AT28C16-15SI IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
AT28BV16-25SC IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
AT28BV16-25SI IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
AT28BV16-30SC IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
AT28BV16-30SI IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
AT28C16-20SC IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
AT28C16-20SI IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
AT28C16E-15SC IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
AT28C16E-15SI IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
AT28C16E-20SC IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
AT28C16E-20SI IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
CAT28C16AWI-90T IC EEPROM 16KBIT 90NS 24SOIC
IDT6116LA45SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
6116LA15SOGI8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116LA20SO IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116LA20SO8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116LA25SO IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116LA25SO8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116LA35SO IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116LA35SO8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116LA35SOG IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116LA35SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116LA35SOGI IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116LA35SOGI8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116LA45SO IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116LA45SO8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116LA45SOG IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116LA45SOGI IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116LA45SOGI8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116LA45SOI IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116LA45SOI8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116SA15SO IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116SA15SO8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116SA20SO IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116SA20SO8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116SA20SOI IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116SA20SOI8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116SA25SO IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116SA25SO8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116SA25SOI IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116SA25SOI8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116SA35SO IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116SA35SO8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116SA35SOI IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116SA35SOI8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116SA45SO IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116SA45SO8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116SA45SOI IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
IDT6116SA45SOI8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
6116SA35SOG IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
6116SA35SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
CAT28C16AW20 IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
CAT28C16AW-20T IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
CAT28C16AWI12 IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
CAT28C16AWI-12T IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
CAT28C16AWI90 IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
CAT28C16AW-12T IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
CAT28C16AWI-20T IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
CAT28C16AW12 IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
CAT28C16AWI20 IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
CAT28C16AXI90 IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
CAT28C16AX20 IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
CAT28C16AXI12 IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
CAT28C16AXI-12T IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
CAT28C16AXI20 IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
CAT28C16AXI-20T IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
CAT28C16AXI-90T IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

Descripción

El IDT6116SA/LA es una memoria RAM estática de 16.384 bits de alta velocidad organizada como 2K x 8.

Características
◆ Acceso de alta velocidad y tiempo de selección de chips
Militar: 20/25/35/45/55/70/90/120/150ns (máximo)
️ Industrial: 20/25n (máximo)
¢ Comercial: 15/20/25 días (máximo)
◆ Bajo consumo energético
◆ Batería de respaldo
Voltagem de retención de datos de 2 V (sólo versión LA)
◆ Producido con CMOS avanzado de alto rendimiento
tecnología
◆ El proceso CMOS elimina prácticamente el error de partículas alfa
las tasas
◆ Entrada y salida directamente compatibles con TTL
◆ Funcionamiento estático: no se requieren relojes ni actualizaciones
◆ Disponible en DIP de cerámica de 24 pines, cerámica y plástico de 24 pines delgado
Dip y SOIC de 24 pines
◆ Productos militares que cumplen con el MIL-STD-833, Clase B

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Sistemas de circuitos integrados
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Embalaje alternativo
Cuadro de paquete 24-SOIC (0,295", 7,50 mm de ancho)
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 4.5 V ~ 5.5 V
Envase del producto del proveedor 24-SOIC
Capacidad de memoria 16K (2K x 8)
Tipo de memoria La memoria de memoria de seguridad de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento
Velocidad 25 días
Formatos de memoria Memoria RAM
Componente compatible funcionalFormulario, paquete, componente funcional compatible
Parte del fabricante Descripción Fabricante Comparar
6116LA20SOGI
Memoria		 El objetivo de la presente Directiva es: Tecnología de dispositivos integrados Inc. Se trata de una serie de medidas que se aplican a las empresas que se encuentran en una situación de riesgo.
6116LA20SOG
Memoria		 El objetivo de la presente Directiva es: Tecnología de dispositivos integrados Inc. Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.
Memoria		 Se trata de una serie de dispositivos que se utilizan para la obtención de datos y que se utilizan para la obtención de datos. Corporación Simtek 6116LA25SOG8 frente a STK22C48-SF25
6116LA25SOGI
Memoria		 El objetivo de la presente Directiva es: Tecnología de dispositivos integrados Inc. Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
6116LA25SOG
Memoria		 El objetivo de la presente Directiva es: Tecnología de dispositivos integrados Inc. El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria		 2KX8 SRAM no volátil, 45ns, PDSO28, 0,350 INCH, plástico, SOIC-28 Rochester Electronic LLC, también conocido como Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria		 2KX8 SRAM no volátil, 25ns, PDSO28, 0,350 pulgadas, plástico, SOIC-28 Rochester Electronic LLC, también conocido como El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para controlar el efecto invernadero de los gases de efecto invernadero.
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria		 2KX8 SRAM no volátil, 45 ns, PDSO28, 0,300 INCH, plástico, SOIC-28 Rochester Electronic LLC, también conocido como Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Descripciones

SRAM - IC de memoria asíncrona de 16Kb (2K x 8) paralelo 25ns 24-SOIC
SRAM 16K sincronizado. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM
Etiquetas:

Memoria Flash estable IC

Memoria Flash IC no volátil

Memoria Flash IC de SPI