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W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA Electrónica de Winbond

  • W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA Winbond Electronics
Nombre de la marca Winbond Electronics
Número de modelo W949D6DBHX5I
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria COPITA
Tecnología SDRAM - LPDDR móvil Tamaño de la memoria 512Mbit
Organización de la memoria los 32M x 16 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj 200 MHz Escriba la duración de ciclo - palabra, página 15ns
Tiempo de acceso 5 ns Voltagem - Suministro 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 60-TFBGA Paquete de dispositivos del proveedor 60-VFBGA (8x9)
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Part Number Description
W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W94AD6KBHX5I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 IT:C TR IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 AIT:C TR IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
MT46H16M32LFB5-6 AIT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
W948D6KBHX5E TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX5I TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX5I IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX5E IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W949D6DBHX5E TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W949D6DBHX5I TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W949D6DBHX5E IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX5E IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
W94AD6KBHX5E TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
W94AD6KBHX5I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
W94AD6KBHX5E IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 IT:C IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 IT:A IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 IT:A TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6:A TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 IT:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-5 IT:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-5:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-5:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 AT:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 AT:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 IT:B IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 IT:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AT:B IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AT:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-5:K IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-5:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-6 AT:K IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 IT:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-75:A IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H64M16LFBF-6 IT:B IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-5 IT:K IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-6 IT:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-6:K IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 IT:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H64M16LFBF-6 IT:B TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
W948D6FBHX5E IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5I IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX6E IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX5I IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX6E IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AIT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AIT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 AIT:C IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 WT:C IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
W947D6HBHX5I TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX6E TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5E TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5I TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX6E TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX5E TR IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AAT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX6E IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX6E TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX6I IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5G IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5J IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX6G IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX6I IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M32LFB5-6 AT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

Descripción general

W9425G6DH es una memoria de acceso aleatorio dinámico sincronizado de doble velocidad de datos CMOS (DDR SDRAM), organizada como 4,194Utilizando una arquitectura de tuberías y tecnología de proceso de 0,11 μm, W9425G6DH ofrece un ancho de banda de datos de hasta 500M palabras por segundo (-4).Para cumplir plenamente con el estándar industrial de computadoras personales, W9425G6DH se clasifica en cuatro grados de velocidad: -4, -5, -6 y -75. El -4 es compatible con la especificación DDR500/CL3. El -5 es compatible con la especificación DDR400/CL3.El -6 es compatible con el DDR333/CL2.5 (el grado -6I que se garantiza que soporta -40 °C ~ 85 °C). El -75 cumple con la especificación DDR266/CL2 (el grado 75I que se garantiza que soporta -40 °C ~ 85 °C).

Características

• Fuente de alimentación de 2,5 V ± 0,2 V para DDR266/DDR333
• Alimentación de 2,6 V ± 0,1 V para DDR400/DDR500
• Frecuencia de reloj de hasta 250 MHz
• Arquitectura de doble velocidad de datos; dos transferencias de datos por ciclo de reloj
• Entradas de reloj diferencial (CLK y CLK)
• DQS está alineado en el borde con los datos para leer; alineado en el centro con los datos para escribir
• Tardancia de CAS: 2, 2,5 y 3
• Duración del estallido: 2, 4 y 8
• Refrescarse automáticamente y refrescarse a sí mismo
• Desactivación de la carga y desactivación activa
• Escribir máscara de datos
• Escriba latencia = 1
• Intervalo de actualización de 7,8 μS (8K / 64 mS de actualización)
• Ciclo máximo de actualización: 8
• Interfaz: SSTL_2
• Envasado en TSOP II 66 pines, 400 mil, 0,65 mm de ancho de pines, sin Pb y conforme a RoHS

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Productos electrónicos Winbond
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Embalaje alternativo de bandeja
Cuadro de paquete 60 - TFBGA
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 1.7 V ~ 1.95 V
Envase del producto del proveedor Se trata de un sistema de transmisión por cable de alta velocidad.
Capacidad de memoria 512M (32M x 16)
Tipo de memoria Dispositivos de almacenamiento de datos
Velocidad 200 MHz
Formatos de memoria Memoria RAM

Descripciones

SDRAM - Memoria LPDDR móvil IC 512Mb (32M x 16) paralela a 200MHz 5ns 60-VFBGA (8x9)
Chip de DRAM móvil LPDDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60 pin VFBGA
Etiquetas:

Memoria Flash estable IC

Memoria Flash IC no volátil

Memoria Flash IC de SPI