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DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Dispositivos analógicos Inc./Maxim Integrado

  • DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Nombre de la marca Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Número de modelo DS1225AD-200+
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

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Datos del producto
Tipo de la memoria Permanente Formato de la memoria NVSRAM
Tecnología NVSRAM (SRAM permanente) Tamaño de la memoria 64Kbit
Organización de la memoria 8K x 8 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj - Escriba la duración de ciclo - palabra, página 200ns
Tiempo de acceso 200 ns Voltagem - Suministro 4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA) Tipo de montaje A través del agujero
Envase / estuche Modulo 28-DIP (0,600" y 15,24 mm) Paquete de dispositivos del proveedor 28-EDIP
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Part Number Description
DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-70IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-120+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AD-150+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230AB-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-120+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-70IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-85+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-85+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-70+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-150IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-200+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-70IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-170+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230AB-200+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-120IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230W-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-85+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AD-150IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-150+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230AB-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AD-200IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-70IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230W-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-200IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-70+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-200IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-170+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230AB-85+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230W-100IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-120IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-200 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-200 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-120 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-120 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-200IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-150 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-150 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-200 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-200 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-150IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-200IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-150IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230W-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-85 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230W-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-85 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-120IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-120IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-200IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-200IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-70 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-70IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-70 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-70IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230W-100IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225Y-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225Y-150+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225Y-150IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225Y-200IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

Descripción

El DS1225AB y el DS1225AD son 65,536 bits, totalmente estáticos, SRAM no volátiles organizados como 8192 palabras por 8 bits.Cada SRAM NV tiene una fuente de energía de litio autónoma y un circuito de control que monitoriza constantemente el VCC para una condición fuera de tolerancia..

Características

10 años de conservación mínima de datos en ausencia de energía externa
Los datos se protegen automáticamente durante la pérdida de energía
Sustituye directamente la RAM estática volátil de 8k x 8 o EEPROM
Ciclos de escritura ilimitados
CMOS de bajo consumo
Paquete DIP de 28 pines estándar de JEDEC
Tiempos de acceso de lectura y escritura de hasta 70 ns
La fuente de energía de litio se desconecta eléctricamente para mantener la frescura hasta que se aplica la energía por primera vez
El valor de las emisiones de CO2 emitidas por el conductor será el valor de las emisiones de CO2 emitidas por el conductor.
El valor de las emisiones de CO2 emitidas por el conductor en el momento del ensayo será el valor de las emisiones de CO2 emitidas por el conductor en el momento del ensayo.
Rango de temperatura industrial opcional de -40°C a +85°C, designado IND

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Maxim integrado
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie Se trata de una serie de medidas de seguridad.
Embalaje El tubo
Estilo de montaje A través del agujero
Cuadro de paquete Modulo 28-DIP (0,600" y 15,24 mm)
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 4.5 V ~ 5.5 V
Envase del producto del proveedor 28-EDIP
Capacidad de memoria 64K (8K x 8)
Tipo de memoria Las medidas de seguridad y de protección previstas en el presente Reglamento se aplicarán a las instalaciones de seguridad y de protección de los vehículos.
Velocidad 200 nS
Tiempo de acceso 200 ns
Formatos de memoria Memoria RAM
Temperatura máxima de funcionamiento + 70 C
Rango de temperatura de funcionamiento 0 C
Corriente de suministro de funcionamiento 75 mA
Tipo de interfaz En paralelo
Organizaciones 8 k x 8
Parte-#-Alias Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Ancho del bus de datos 8 bits
Válvula de alimentación 5.5 V
Válvula de alimentación 4.5 V
Cuadro de paquete El proyecto de ley

Componente compatible funcional

Formulario, paquete, componente funcional compatible

Parte del fabricante Descripción Fabricante Comparar
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria		 Módulo SRAM no volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, 0,720 INCH, conforme con la normativa ROHS, DIP-28 Productos integrados Maxim DS1225AD-200+ y DS1225Y-200+
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria		 El módulo de SRAM no volátil 8KX8, 200ns, PDMA28, 0,720 INCH, DIP-28 Rochester Electronic LLC, también conocido como El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para determinar el nivel de emisiones de gases de efecto invernadero.
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria		 Módulo SRAM no volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, 0,720 INCH, DIP-28 Productos integrados Maxim El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad.
Se trata de una serie de medidas de seguridad.
Memoria		 Modulo SRAM no volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, 0,720 pulgadas, extendido, DIP-28 Dallas Semiconductor DS1225AD-200+ frente a DS1225AD-200
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria		 Modulo de SRAM no volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, conforme con la normativa ROHS, DIP-28 Productos integrados Maxim El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para determinar el nivel de emisiones de gases de efecto invernadero.
BQ4010MA-200
Memoria		 El número de unidades de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga. Las acciones de Texas Instruments El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
En el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones:
Memoria		 El módulo de SRAM no volátil 8KX8, 200ns, PDIP28 Las acciones de Texas Instruments El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria		 El módulo de SRAM no volátil 8KX8, 200ns, PDMA28, 0,720 INCH, DIP-28 Rochester Electronic LLC, también conocido como El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria		 Modulo de SRAM no volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, conforme con la normativa ROHS, DIP-28 Productos integrados Maxim El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma ISOFIX.
Memoria		 Modulo de SRAM no volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, conforme con la normativa ROHS, DIP-28 Productos integrados Maxim El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero (DS1225AD-200+) se utiliza para determinar el nivel de emisión de gases de efecto invernadero.

Descripciones

NVSRAM (SRAM no volátil) IC de memoria 64Kb (8K x 8) paralelo 200ns 28-EDIP
NVRAM 64k SRAM no volátil
Etiquetas:

Memoria Flash estable IC

Memoria Flash IC no volátil

Memoria Flash IC de SPI