Todos los productos
-
Circuito integrado IC
-
Módulo del RF IC
-
Gestión ICs del poder
-
Unidad del microcontrolador de MCU
-
Circuito integrado de FPGA
-
Sensor del circuito integrado
-
Circuitos integrados del interfaz
-
Aislador opto de Digitaces
-
IC de memoria flash
-
ALMACENADOR INTERMEDIARIO IC de la lógica
-
Chip CI del amplificador
-
Sincronización IC del reloj
-
IC de adquisición de datos
AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA Alliance Memory, Inc. Se trata de un sistema de almacenamiento de datos basado en la memoria de la Unión de las Naciones Unidas.
| Nombre de la marca | Alliance Memory, Inc. |
|---|---|
| Número de modelo | Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán ser las siguiente |
| Cantidad de orden mínima | 1 |
| Precio | Based on current price |
| Detalles de empaquetado | Bolsa antistática y caja de cartón |
| Tiempo de entrega | 3 a 5 días hábiles |
| Condiciones de pago | T/T |
| Capacidad de la fuente | En stock |
Éntreme en contacto con gratis las muestras y los vales.
Whatsapp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
skype: sales10@aixton.com
Si usted tiene alguna preocupación, proporcionamos ayuda en línea de 24 horas.
xDatos del producto
| Tipo de la memoria | Volátil | Formato de la memoria | COPITA |
|---|---|---|---|
| Tecnología | SDRAM-DDR | Tamaño de la memoria | 256Mbit |
| Organización de la memoria | el 16M x 16 | Interfaz de la memoria | En paralelo |
| Frecuencia de reloj | 200 MHz | Escriba la duración de ciclo - palabra, página | 15ns |
| Tiempo de acceso | 700 picosegundos | Voltagem - Suministro | 2.3V ~ 2.7V |
| Temperatura de funcionamiento | 0 °C ~ 70 °C (TA) | Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Envase / estuche | 60-TFBGA | Paquete de dispositivos del proveedor | 60-TFBGA (8x13) |
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| AS4C16M16D1-5BCN | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C64M8D1-5BIN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| AS4C8M16D1-5BIN | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C16M16D1-5BIN | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C32M16D1-5BIN | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C8M16D1-5BCNTR | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C8M16D1-5BINTR | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C8M16D1-5BCN | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C16M16D1-5BCNTR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C32M16D1-5BCNTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60BGA | |
| AS4C64M8D1-5BCNTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| AS4C16M16D1-5BINTR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C64M8D1-5BINTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| AS4C64M8D1-5BCN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| AS4C32M16D1-5BINTR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C32M16D1-5BCN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60BGA | |
| IS46R16160F-5BLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320F-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320F-5BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400F-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400F-5BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320F-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320F-5BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400F-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16160F-5BLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320F-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400F-5BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320F-5BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400F-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400F-5BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320F-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320F-5BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400F-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400F-5BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-5BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-5BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-5BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320E-6BLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320E-5BLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-5BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320E-5BLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320E-6BLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320E-6BLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320E-6BLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| W9425G6JB-5 | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| W9425G6JB-5I | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| W9425G6JB-5 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| W9425G6JB-5I TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-5BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-5BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-5BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-5BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16160D-6BI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320D-6BI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-6BI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16160D-6BI | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320D-6BI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-6BI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-5BI | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS43R16320E-5BI | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS43R86400D-5B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS43R86400D-6BI | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS43R16160F-5BI | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA |
Descripción de producto
Detalles del producto
Características
• Organizaciones: 1,048,576 palabras × 4 bits• Alta velocidad
- tiempo de acceso al RAS de 40/50/60/70 ns
- 20/25/30/35 ns tiempo de acceso a la dirección de la columna
- 10/13/15/18 ns Tiempo de acceso al CAS
• Bajo consumo energético
- Activo: 385 mW máximo (-60)
- En espera: 5,5 mW máximo, CMOS I/O
• Modo de página rápida (AS4C14400) o EDO (AS4C14405)
• 1024 ciclos de actualización, intervalo de actualización de 16 ms
- Actualización solo de RAS o de CAS antes de RAS
• Leer, modificar y escribir
• Compatible con TTL, E/S de tres estados
• Los paquetes estándar de JEDEC
- 300 mil, 20/26 pines de SOJ
- 300 millas, 20/26 pines de TSOP
• Fuente de alimentación única de 5 V
• Protección ESD ≥ 2001V
• Corriente de cierre ≥ 200 mA
Especificaciones
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Alianza Memoria, Inc. |
| Categoría de productos | Interfaces de memoria |
| Serie | Las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los Estados miembros deberán ser realizadas en el lugar de trabajo. |
| El tipo | DDR1 |
| Embalaje | Embalaje alternativo de bandeja |
| Estilo de montaje | DSM/SMT |
| Cuadro de paquete | 60 - TFBGA |
| Temperatura de funcionamiento | 0 °C ~ 70 °C (TA) |
| Interfaz | En paralelo |
| Fuente de suministro de tensión | 2.3 V ~ 2.7 V |
| Envase del producto del proveedor | Las partidas de la caja de carga de los equipos de carga de los equipos de carga de los equipos de carga |
| Capacidad de memoria | 256M (16M x 16) |
| Tipo de memoria | DDR SDRAM |
| Velocidad | 200 MHz |
| Tiempo de acceso | 0.7 ns |
| Formatos de memoria | Memoria RAM |
| Temperatura máxima de funcionamiento | + 70 C |
| Rango de temperatura de funcionamiento | 0 C |
| Organizaciones | 16 M x 16 |
| Alimentación de corriente máxima | 135 mA |
| Ancho del bus de datos | 16 bits |
| Válvula de alimentación | 2.7 V |
| Válvula de alimentación | 2.3 V |
| Cuadro de paquete | Se aplicará a las máquinas de la categoría M3 |
| Frecuencia máxima del reloj | 200 MHz |
Descripciones
SDRAM - Memoria DDR IC de 256 Mb (16M x 16) paralela a 200 MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
La memoria DRAM 256M 2.5V 200Mhz 16M x 16 DDR1
Productos recomendados
