DS1245AB-70+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrado

Nombre de la marca Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Número de modelo DS1245AB-70+
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
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Datos del producto
Tipo de la memoria Permanente Formato de la memoria NVSRAM
Tecnología NVSRAM (SRAM permanente) Tamaño de la memoria 1 Mbit
Organización de la memoria 128K x 8 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj - Escriba la duración de ciclo - palabra, página 70ns
Tiempo de acceso 70 ns Voltagem - Suministro 4.75V ~ 5.25V
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA) Tipo de montaje A través del agujero
Envase / estuche Módulo 32-DIP (0,600", 15.24m m) Paquete de dispositivos del proveedor 32-EDIP
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number Description
DS1245AB-70+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-100+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-70IND+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-70+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249AB-70# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-70+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-70IND+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245W-150+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-120+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245W-100+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-100+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-120+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-120IND+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-70# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-85IND# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-100+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-100# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250AB-70+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-85+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-70IND+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-85+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245W-100IND+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-120IND+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-70IND# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249AB-70IND# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250W-100+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250W-100IND+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250AB-70IND+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250AB-100IND+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-100IND+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-70IND IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-100 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-70 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-120 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-100 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-120 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-100 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245W-150 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-70 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-85 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-85 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-70 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245W-100 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-120IND IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-120IND IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-70IND IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249W-150 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-100 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249AB-100 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249AB-70 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249W-100 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249AB-85 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-85 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-70IND IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249AB-70IND IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-85IND IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249AB-85IND IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250AB-100 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250W-150 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250AB-70 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250W-100 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-70 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-70IND IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250AB-70IND IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245W-100IND IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249W-100IND IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250AB-100IND IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250W-100IND IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-100IND IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250W-150+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249W-100IND# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249W-100# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-85# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

Descripción

Las SRAM no volátiles DS1245 1024k son 1,048,576 bits, SRAMs totalmente estáticos y no volátiles organizados como 131.072 palabras por 8 bits.Cada SRAM NV completa tiene una fuente de energía de litio autónoma y un circuito de control que supervisa constantemente VCC para detectar una condición fuera de la toleranciaCuando se produce tal condición, la fuente de energía de litio se enciende automáticamente y la protección de escritura está activada incondicionalmente para evitar la corrupción de los datos.Los dispositivos DS1245 de paquete DIP se pueden usar en lugar de las RAM estáticas 128k x 8 existentes que se ajustan directamente al estándar DIP de 32 pines de ancho de byte popularLos dispositivos DS1245 del paquete PowerCap Module se pueden montar directamente en la superficie y normalmente se emparejan con un DS9034PC PowerCap para formar un módulo SRAM no volátil completo.No hay límite en el número de ciclos de escritura que se pueden ejecutar y no se requieren circuitos de soporte adicionales para la interfaz de microprocesador.

Características

■ 10 años de conservación mínima de los datos en ausencia de energía externa
■ Protección automática de los datos en caso de pérdida de energía
■ Reemplaza la memoria RAM estática volátil de 128k x 8, EEPROM o Flash
■ Ciclos de escritura ilimitados
■ CMOS de bajo consumo
■ Tiempos de acceso de lectura y escritura de 70 ns
■ La fuente de energía de litio se desconecta eléctricamente para mantener la frescura hasta la primera aplicación de energía
■ Rango de funcionamiento de VCC completo ± 10% (DS1245Y)
■ Opcional ± 5% de rango de funcionamiento VCC (DS1245AB)
■ rango opcional de temperaturas industriales de -40°C a +85°C, designado IND
■ Paquete DIP de 32 pines estándar de JEDEC
■ el paquete PowerCap Module (PCM)
- Módulo directamente montable en la superficie
- PowerCap con conexión intermitente proporciona batería de respaldo de litio
- Pinout estandarizado para todos los productos SRAM no volátiles
¿Cómo se llama?

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Maxim integrado
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie Las condiciones de los requisitos de seguridad
Embalaje El tubo
Estilo de montaje A través del agujero
Cuadro de paquete Modulo DIP de 32 pulgadas (0,600", 15,24 mm)
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 4.75 V ~ 5.25 V
Envase del producto del proveedor 32 - EDIP
Capacidad de memoria 1M (128K x 8)
Tipo de memoria Las medidas de seguridad y de protección previstas en el presente Reglamento se aplicarán a las instalaciones de seguridad y de protección de los vehículos.
Velocidad 70 años
Tiempo de acceso 70 ns
Formatos de memoria Memoria RAM
Temperatura máxima de funcionamiento + 70 C
Rango de temperatura de funcionamiento 0 C
Corriente de suministro de funcionamiento 85 mA
Tipo de interfaz En paralelo
Organizaciones 128 k x 8
Parte-#-Alias 90-1245A+B70 DS1245AB: el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero en el aire
Ancho del bus de datos 8 bits
Válvula de alimentación 5.25 V
Válvula de alimentación 4.75 V
Cuadro de paquete EDIP-32
Componente compatible funcionalFormulario, paquete, componente funcional compatible
Parte del fabricante Descripción Fabricante Comparar
Se trata de una prueba de la calidad de los productos.
Memoria
Modulo de SRAM no volátil, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, conforme con la normativa ROHS, DIP-32 Productos integrados Maxim El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria
Modulo SRAM no volátil 128KX8, 70ns, DMA32, 0,740 pulgadas, módulo extendido, DIP-32 Rochester Electronic LLC, también conocido como El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria
Modulo SRAM no volátil 128KX8, 70ns, DMA32, 0,740 pulgadas, módulo extendido, DIP-32 Rochester Electronic LLC, también conocido como El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
M48Z128Y-70PM1
Memoria
Se utilizará para la obtención de datos sobre el sistema operativo. STMicroelectrónica DS1245AB-70+ frente a M48Z128Y-70PM1
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria
Modulo SRAM no volátil, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 pulgadas, módulo extendido, DIP-32 Productos integrados Maxim El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria
Módulo SRAM no volátil, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0,740 INCH, PLASTIC, DIP-32 El módulo SRAM no volátil, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0,740 INCH, PLASTIC, DIP-32 El módulo SRAM no volátil es un módulo de memoria RAM que se encuentra en el interior de una caja de almacenamiento de datos, que se encuentra en el interior de una caja de almacenamiento de datos. Dallas Semiconductor El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
Se aplicará el procedimiento de ensayo.
Memoria
Modulo de SRAM no volátil, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, conforme con la normativa ROHS, DIP-32 Productos integrados Maxim Las medidas de seguridad se aplican a los vehículos de las categorías A y B.
Se aplicará el método de ensayo.
Memoria
Modulo de SRAM no volátil, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, conforme con la normativa ROHS, DIP-32 Productos integrados Maxim Las medidas de seguridad se aplican a los vehículos de las categorías M1 y M2.
M48Z128-70PM1 y sus componentes
Memoria
Se utilizará para la obtención de datos sobre el sistema operativo. STMicroelectrónica DS1245AB-70+ frente a la M48Z128-70PM1

Descripciones

NVSRAM (SRAM no volátil) IC de memoria 1Mb (128K x 8) paralelo 70ns 32-EDIP
NVRAM 1024K SRAM No volátil