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DS1245AB-70+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrado

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xDatos del producto
Tipo de la memoria | Permanente | Formato de la memoria | NVSRAM |
---|---|---|---|
Tecnología | NVSRAM (SRAM permanente) | Tamaño de la memoria | 1 Mbit |
Organización de la memoria | 128K x 8 | Interfaz de la memoria | En paralelo |
Frecuencia de reloj | - | Escriba la duración de ciclo - palabra, página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70 ns | Voltagem - Suministro | 4.75V ~ 5.25V |
Temperatura de funcionamiento | 0 °C ~ 70 °C (TA) | Tipo de montaje | A través del agujero |
Envase / estuche | Módulo 32-DIP (0,600", 15.24m m) | Paquete de dispositivos del proveedor | 32-EDIP |
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number | Description | |
---|---|---|
DS1245AB-70+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-100+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-70IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-70+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-70# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-70+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-70IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-150+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-120+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-100+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-100+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-120+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-120IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-70# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-85IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-100+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-100# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-70+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-85+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-70IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-85+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-100IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-120IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-70IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-70IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-100+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-100IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-70IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-100IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-100IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-70IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-100 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-70 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-120 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-100 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-120 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-100 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-150 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-70 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-85 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-85 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-70 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-100 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-120IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-120IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-70IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249W-150 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-100 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-100 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-70 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249W-100 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-85 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-85 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-70IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-70IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-85IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-85IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-100 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-150 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-70 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-100 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-70 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-70IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-70IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-100IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249W-100IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-100IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-100IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-100IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-150+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249W-100IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249W-100# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-85# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP |
Descripción de producto
Detalles del producto
Descripción
Las SRAM no volátiles DS1245 1024k son 1,048,576 bits, SRAMs totalmente estáticos y no volátiles organizados como 131.072 palabras por 8 bits.Cada SRAM NV completa tiene una fuente de energía de litio autónoma y un circuito de control que supervisa constantemente VCC para detectar una condición fuera de la toleranciaCuando se produce tal condición, la fuente de energía de litio se enciende automáticamente y la protección de escritura está activada incondicionalmente para evitar la corrupción de los datos.Los dispositivos DS1245 de paquete DIP se pueden usar en lugar de las RAM estáticas 128k x 8 existentes que se ajustan directamente al estándar DIP de 32 pines de ancho de byte popularLos dispositivos DS1245 del paquete PowerCap Module se pueden montar directamente en la superficie y normalmente se emparejan con un DS9034PC PowerCap para formar un módulo SRAM no volátil completo.No hay límite en el número de ciclos de escritura que se pueden ejecutar y no se requieren circuitos de soporte adicionales para la interfaz de microprocesador.
Características
■ 10 años de conservación mínima de los datos en ausencia de energía externa■ Protección automática de los datos en caso de pérdida de energía
■ Reemplaza la memoria RAM estática volátil de 128k x 8, EEPROM o Flash
■ Ciclos de escritura ilimitados
■ CMOS de bajo consumo
■ Tiempos de acceso de lectura y escritura de 70 ns
■ La fuente de energía de litio se desconecta eléctricamente para mantener la frescura hasta la primera aplicación de energía
■ Rango de funcionamiento de VCC completo ± 10% (DS1245Y)
■ Opcional ± 5% de rango de funcionamiento VCC (DS1245AB)
■ rango opcional de temperaturas industriales de -40°C a +85°C, designado IND
■ Paquete DIP de 32 pines estándar de JEDEC
■ el paquete PowerCap Module (PCM)
- Módulo directamente montable en la superficie
- PowerCap con conexión intermitente proporciona batería de respaldo de litio
- Pinout estandarizado para todos los productos SRAM no volátiles
¿Cómo se llama?
Especificaciones
Atributo | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | Maxim integrado |
Categoría de productos | Interfaces de memoria |
Serie | Las condiciones de los requisitos de seguridad |
Embalaje | El tubo |
Estilo de montaje | A través del agujero |
Cuadro de paquete | Modulo DIP de 32 pulgadas (0,600", 15,24 mm) |
Temperatura de funcionamiento | 0 °C ~ 70 °C (TA) |
Interfaz | En paralelo |
Fuente de suministro de tensión | 4.75 V ~ 5.25 V |
Envase del producto del proveedor | 32 - EDIP |
Capacidad de memoria | 1M (128K x 8) |
Tipo de memoria | Las medidas de seguridad y de protección previstas en el presente Reglamento se aplicarán a las instalaciones de seguridad y de protección de los vehículos. |
Velocidad | 70 años |
Tiempo de acceso | 70 ns |
Formatos de memoria | Memoria RAM |
Temperatura máxima de funcionamiento | + 70 C |
Rango de temperatura de funcionamiento | 0 C |
Corriente de suministro de funcionamiento | 85 mA |
Tipo de interfaz | En paralelo |
Organizaciones | 128 k x 8 |
Parte-#-Alias | 90-1245A+B70 DS1245AB: el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero en el aire |
Ancho del bus de datos | 8 bits |
Válvula de alimentación | 5.25 V |
Válvula de alimentación | 4.75 V |
Cuadro de paquete | EDIP-32 |
Parte del fabricante | Descripción | Fabricante | Comparar |
Se trata de una prueba de la calidad de los productos. Memoria |
Modulo de SRAM no volátil, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, conforme con la normativa ROHS, DIP-32 | Productos integrados Maxim | El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción. |
Se aplicará el procedimiento siguiente: Memoria |
Modulo SRAM no volátil 128KX8, 70ns, DMA32, 0,740 pulgadas, módulo extendido, DIP-32 | Rochester Electronic LLC, también conocido como | El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción. |
Se aplicará el procedimiento siguiente: Memoria |
Modulo SRAM no volátil 128KX8, 70ns, DMA32, 0,740 pulgadas, módulo extendido, DIP-32 | Rochester Electronic LLC, también conocido como | El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción. |
M48Z128Y-70PM1 Memoria |
Se utilizará para la obtención de datos sobre el sistema operativo. | STMicroelectrónica | DS1245AB-70+ frente a M48Z128Y-70PM1 |
Se aplicará el procedimiento siguiente: Memoria |
Modulo SRAM no volátil, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 pulgadas, módulo extendido, DIP-32 | Productos integrados Maxim | El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción. |
Se aplicará el procedimiento siguiente: Memoria |
Módulo SRAM no volátil, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0,740 INCH, PLASTIC, DIP-32 El módulo SRAM no volátil, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0,740 INCH, PLASTIC, DIP-32 El módulo SRAM no volátil es un módulo de memoria RAM que se encuentra en el interior de una caja de almacenamiento de datos, que se encuentra en el interior de una caja de almacenamiento de datos. | Dallas Semiconductor | El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción. |
Se aplicará el procedimiento de ensayo. Memoria |
Modulo de SRAM no volátil, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, conforme con la normativa ROHS, DIP-32 | Productos integrados Maxim | Las medidas de seguridad se aplican a los vehículos de las categorías A y B. |
Se aplicará el método de ensayo. Memoria |
Modulo de SRAM no volátil, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, conforme con la normativa ROHS, DIP-32 | Productos integrados Maxim | Las medidas de seguridad se aplican a los vehículos de las categorías M1 y M2. |
M48Z128-70PM1 y sus componentes Memoria |
Se utilizará para la obtención de datos sobre el sistema operativo. | STMicroelectrónica | DS1245AB-70+ frente a la M48Z128-70PM1 |
Descripciones
NVSRAM (SRAM no volátil) IC de memoria 1Mb (128K x 8) paralelo 70ns 32-EDIP
NVRAM 1024K SRAM No volátil
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