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W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP Winbond Electrónica
| Nombre de la marca | Winbond Electronics |
|---|---|
| Número de modelo | W29N01HVSINA |
| Cantidad de orden mínima | 1 |
| Precio | Based on current price |
| Detalles de empaquetado | Bolsa antistática y caja de cartón |
| Tiempo de entrega | 3 a 5 días hábiles |
| Condiciones de pago | T/T |
| Capacidad de la fuente | En stock |
Éntreme en contacto con gratis las muestras y los vales.
Whatsapp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
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xDatos del producto
| Tipo de la memoria | Permanente | Formato de la memoria | FLASH |
|---|---|---|---|
| Tecnología | FLASH - NAND (SLC) | Tamaño de la memoria | 1Gbit |
| Organización de la memoria | el 128M x 8 | Interfaz de la memoria | En paralelo |
| Frecuencia de reloj | - | Escriba la duración de ciclo - palabra, página | 25ns |
| Tiempo de acceso | 25 ns | Voltagem - Suministro | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura de funcionamiento | -40 °C ~ 85 °C (TA) | Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Envase / estuche | 48-TFSOP (0,724", anchura de 18.40m m) | Paquete de dispositivos del proveedor | 48-TSOP |
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| W29N08GVSIAA | 8G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 1-BIT | |
| W29N01HVSINF TR | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29N01HVSINA TR | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 48TSOP | |
| W29N01HZSINF TR | IC FLASH 1GBIT ONFI 48TSOP | |
| W29N01HVSINA | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29N01HZSINF | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29N01HZSINA TR | IC FLASH 1GBIT ONFI 48TSOP | |
| W29N01HZSINA | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29N02KVSIAE TR | IC FLASH 2GBIT ONFI 48TSOP | |
| W29N02KVSIAF TR | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29N02KVSIAF | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29N02KVSIAE | IC FLASH 2GBIT ONFI 48TSOP | |
| W29N04GVSIAF TR | 4G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 4-BIT | |
| W29N04GVSIAA | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29N04GVSIAA TR | 4G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 1-BIT | |
| W29N04KZSIBG TR | 4G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 8-BIT | |
| W29N04KZSIBF TR | 4G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 4-BIT | |
| W29N04GVSIAF | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29N04KZSIBF | 4G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 4-BIT | |
| W29N04KZSIBG | 4G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 8-BIT | |
| W29N08GVSIAA TR | 8G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 1-BIT | |
| W29N08GZSIBF TR | 8G-BIT SLC NAND FLASH, 1.8V, 4-B | |
| W29N08GZSIBA TR | 8G-BIT SLC NAND FLASH, 1.8V, 1-B | |
| W29N08GZSIBA | IC FLASH 8GBIT PAR 48TSOP | |
| W29N08GZSIBF | 8G-BIT SLC NAND FLASH, 1.8V, 4-B | |
| W29N02GVSIAA | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M28W320CT90N6 | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M28W640ECB90N6 | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M29W800DT90N6 | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M29W800DB90N6T | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND01GW3A0AN6E | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND01GW3A2AN6E | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND256W3A0AN6E | IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND256W4A0AN6E | IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND512W3A0AN6E | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND01GW3B2AN6E | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND512W3A2BN6E | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W19B320ABT7H | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W19B320ATT7H | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M29DW323DB90N6 | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M29F200BB45N1 | IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M29F200BB50N3 | IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M29F400BB70N3T | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M29W200BB55N1 | IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M29W200BB90N1 | IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M29W200BB90N6 | IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M29W200BT55N1 | IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND01GW3B2AN6F | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND01GW4B2AN6E | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND02GW3B2AN6F | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND128W3A0AN6 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND128W3A0AN6E | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND128W3A0AN6F | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND256W3A0AN6 | IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND256W3A0AN6F | IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND256W3A2BN6F | IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND512W3A0AN6 | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND512W3A2BN6F | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W19B320BTT7H | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29GL064CB7S | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29GL064CT7S | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29GL032CT7S | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29GL032CB7S | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29N01GVSIAA | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29N01HVSINF | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29N02GVSIAF | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29N01HWSINF TR | IC FLASH 1GBIT ONFI 48TSOP | |
| W29N01HWSINF | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29N01HWSINA | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29N01HWSINA TR | IC FLASH 1GBIT ONFI 48TSOP |
Descripción de producto
Detalles del producto
Descripción general
El W29C040 es una memoria flash de 4 megabits y 5 voltios de modo CMOS organizada como 512K ́8 bits.No se requiere un VPP de 12 voltios.La arquitectura única de la célula del W29C040 da como resultado operaciones de escritura (borrado/programa) rápidas con un consumo de corriente extremadamente bajo (en comparación con otros productos de memoria flash de 5 voltios comparables).) El dispositivo también se puede borrar y programar mediante programas EPROM estándar.
Características
· Operaciones únicas de escritura (borrado y programación) de 5 voltios· Operaciones de escritura de páginas rápidas
- 256 bytes por página
- Ciclo de escritura de páginas (borrado/programa): 5 ms (típico)
- Tiempo de ciclo efectivo de byte-escritura (borrado/programa): 19,5 ms
- Opcional de escritura de datos protegidos por software
· Operación de borrado rápido de chips: 50 ms
· Dos bloques de arranque de 16 KB con bloqueo
· Ciclos de escritura de páginas (borrado/programa): 50K (típico)
· Tiempo de acceso de lectura: 70/90/120 nS
· Retención de los datos durante diez años
· Protección de datos de software y hardware
· Bajo consumo energético
- Corriente activa: 25 mA (tipo)
- Corriente de espera: 20 mA (típico)
·Tiempo de escritura (borrado/programa) automático con generación interna de VPP
· Detección del final de la escritura (borrado/programa)
- Un poco de cambio
- Encuestas de datos
· Dirección y datos bloqueados
· Todas las entradas y salidas son directamente compatibles con TTL
· Pinouts de ancho de byte estándar de JEDEC
· Paquetes disponibles: DIP de 32 pines y 600 mil, TSOP y PLCC
Especificaciones
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Productos electrónicos Winbond |
| Categoría de productos | Interfaces de memoria |
| Serie | - |
| Embalaje | Envases |
| Cuadro de paquete | 48-TFSOP (0,488", 12,40 mm de ancho) |
| Temperatura de funcionamiento | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Interfaz | En paralelo |
| Fuente de suministro de tensión | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Envase del producto del proveedor | Las condiciones de las condiciones de producción se determinarán en el anexo IV. |
| Capacidad de memoria | 1G (128M x 8) |
| Tipo de memoria | El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga |
| Velocidad | 25 días |
| Formatos de memoria | El flash. |
Descripciones
FLASH - NAND (SLC) IC de memoria 1Gb (128M x 8) paralelo 25ns 48-TSOP (18.4x12)
NAND Flash 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8 48-pin TSOP-I
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