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China AT28HC256-90DM/883 IC EEPROM 256KBIT PAR 28CERDIP Tecnología de microchip

AT28HC256-90DM/883 IC EEPROM 256KBIT PAR 28CERDIP Tecnología de microchip

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
China TC58BVG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA Kioxia America, Inc. El objetivo de este proyecto es el desarrollo de un sistema de transmisión de datos de alta velocidad.

TC58BVG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA Kioxia America, Inc. El objetivo de este proyecto es el desarrollo de un sistema de transmisión de datos de alta velocidad.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NAND (SLC)
China R1LP0108ESF-5SI#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I Renesas Electronic America Inc. y sus subsidiarias

R1LP0108ESF-5SI#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I Renesas Electronic America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM
China IS21ES04G-JCLI IC FLASH 32GBIT EMMC 153VFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

IS21ES04G-JCLI IC FLASH 32GBIT EMMC 153VFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NAND (MLC)
China El uso de las tecnologías de la información no está prohibido en el presente Reglamento.

El uso de las tecnologías de la información no está prohibido en el presente Reglamento.

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
China NM27C010T120 IC EPROM 1MBIT PARALÉL 32TSOP en semi

NM27C010T120 IC EPROM 1MBIT PARALÉL 32TSOP en semi

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EPROM
Tecnología: EPROM - OTP (cuadro de datos)
China CY7C0852V-133AXI IC SRAM 4.5MBIT PAR 176TQFP Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

CY7C0852V-133AXI IC SRAM 4.5MBIT PAR 176TQFP Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Puerto doble, sincrónico
China MT41J128M16JT-093:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA Tecnología de micrófono Inc.

MT41J128M16JT-093:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA Tecnología de micrófono Inc.

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: COPITA
Tecnología: SDRAM - DDR3
China 71V546S100PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

71V546S100PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

Tipo de la memoria: Volátil
Formato de la memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Síncrono, SDR (ZBT)
China M95160-RMB6TG IC EEPROM 16KBIT SPI 8UFDFPN STMicroelectrónica

M95160-RMB6TG IC EEPROM 16KBIT SPI 8UFDFPN STMicroelectrónica

Tipo de la memoria: Permanente
Formato de la memoria: EEPROM
Tecnología: EEPROM
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