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MT41J128M16JT-093:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA Tecnología de micrófono Inc.

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xDatos del producto
Tipo de la memoria | Volátil | Formato de la memoria | COPITA |
---|---|---|---|
Tecnología | SDRAM - DDR3 | Tamaño de la memoria | 2Gbit |
Organización de la memoria | el 128M x 16 | Interfaz de la memoria | En paralelo |
Frecuencia de reloj | 1.066 GHz | Escriba la duración de ciclo - palabra, página | - |
Tiempo de acceso | 20 ns | Voltagem - Suministro | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) | Tipo de montaje | Montura de la superficie |
Envase / estuche | 96-TFBGA | Paquete de dispositivos del proveedor | 96-FBGA (8x14) |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
MT41K128M16JT-107 AAT:K | IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA | |
MT41K128M16JT-107 AAT:K TR | IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA | |
MT41K128M16JT-125 AAT:K TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA | |
MT41J128M16JT-093:K TR | IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA | |
MT41J128M16JT-093G:K TR | IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA | |
MT41J128M16JT-107:K TR | IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA | |
MT41J128M16JT-107G:K TR | IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA | |
MT41J64M16JT-125:G TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA | |
MT41J64M16JT-15E AIT:G TR | IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA | |
MT41J64M16JT-15E XIT:G TR | IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA | |
MT41J64M16JT-187E:G TR | IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA | |
MT41K64M16JT-125:G TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA | |
MT41K64M16JT-15E:G TR | IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA | |
MT41J128M16JT-093:K | IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA | |
MT41J128M16JT-093G:K | IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA | |
MT41J128M16JT-107:K | IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA | |
MT41J128M16JT-107G:K | IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA | |
MT41J64M16JT-125E:G | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA | |
MT41K64M16JT-125:G | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA | |
MT41K64M16JT-15E:G | IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA | |
MT41J128M16JT-093 J:K | IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA |
Descripción de producto
Detalles del producto
DDR3 SDRAM
2Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM
Características
• VDD= VDDQ= 1,5 V ± 0,075 V• Entrada/salida de empuje/puja de 1,5 V con terminación central
• Estroboscopo bidireccional de datos diferencial
• Arquitectura de preencuesta de 8n bits
• Entradas de reloj diferencial (CK, CK#)
• 8 bancos internos
• Terminación nominal y dinámica (ODT) para las señales de datos, estroboscopo y máscara
• Tardancia de lectura del CAS programable (CL)
• La latencia del aditivo CAS publicada (AL)
• Latencia de escritura de CAS programable (CWL) basada en tCK
• Largura de ráfaga fija (BL) de 8 y corte de ráfaga (BC) de 4 (a través del conjunto de registros de modo [MRS])
• BC4 o BL8 seleccionables en movimiento (OTF)
• Modo de actualización automática
• TC de 0°C a 95°C
- 64 ms, 8192 ciclos de actualización de 0°C a 85°C
32 ms, 8192 ciclos de actualización a 85°C a 95°C
• Temperatura de autorefrescamiento (SRT)
• Escribir el nivel
• Registro multipropósito
• Calibración del controlador de salida
Especificaciones
Atributo | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | Tecnología Micron Inc. |
Categoría de productos | Interfaces de memoria |
Serie | - |
Embalaje | Embalaje alternativo de cinta y bobina (TR) |
Cuadro de paquete | Las demás: |
Temperatura de funcionamiento | 0 °C ~ 95 °C (TC) |
Interfaz | En paralelo |
Fuente de suministro de tensión | 1.425 V ~ 1.575 V |
Envase del producto del proveedor | Las partidas de los componentes de las máquinas de ensamblaje de aluminio |
Capacidad de memoria | 2G (128M x 16) |
Tipo de memoria | DDR3 SDRAM |
Velocidad | 1066 MHz |
Formatos de memoria | Memoria RAM |
Descripciones
SDRAM - IC de memoria DDR3 2Gb (128M x 16) paralelo 1066MHz 20ns 96-FBGA (8x14)
Chip DRAM DDR3 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.5V 96 pin FBGA
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