MT41J128M16JT-093:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA Tecnología de micrófono Inc.

Nombre de la marca Micron Technology Inc.
Número de modelo MT4204M4204M4204M4204M4204M4204
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria COPITA
Tecnología SDRAM - DDR3 Tamaño de la memoria 2Gbit
Organización de la memoria el 128M x 16 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj 1.066 GHz Escriba la duración de ciclo - palabra, página -
Tiempo de acceso 20 ns Voltagem - Suministro 1.425V ~ 1.575V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 95°C (TC) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 96-TFBGA Paquete de dispositivos del proveedor 96-FBGA (8x14)
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Part Number Description
MT41K128M16JT-107 AAT:K IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16JT-107 AAT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16JT-125 AAT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J128M16JT-093:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-093G:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-107:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-107G:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J64M16JT-125:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J64M16JT-15E AIT:G TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41J64M16JT-15E XIT:G TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41J64M16JT-187E:G TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41K64M16JT-125:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K64M16JT-15E:G TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-093:K IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-093G:K IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-107:K IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-107G:K IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J64M16JT-125E:G IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K64M16JT-125:G IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K64M16JT-15E:G IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-093 J:K IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

DDR3 SDRAM

2Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM

Características

• VDD= VDDQ= 1,5 V ± 0,075 V
• Entrada/salida de empuje/puja de 1,5 V con terminación central
• Estroboscopo bidireccional de datos diferencial
• Arquitectura de preencuesta de 8n bits
• Entradas de reloj diferencial (CK, CK#)
• 8 bancos internos
• Terminación nominal y dinámica (ODT) para las señales de datos, estroboscopo y máscara
• Tardancia de lectura del CAS programable (CL)
• La latencia del aditivo CAS publicada (AL)
• Latencia de escritura de CAS programable (CWL) basada en tCK
• Largura de ráfaga fija (BL) de 8 y corte de ráfaga (BC) de 4 (a través del conjunto de registros de modo [MRS])
• BC4 o BL8 seleccionables en movimiento (OTF)
• Modo de actualización automática
• TC de 0°C a 95°C
- 64 ms, 8192 ciclos de actualización de 0°C a 85°C
32 ms, 8192 ciclos de actualización a 85°C a 95°C
• Temperatura de autorefrescamiento (SRT)
• Escribir el nivel
• Registro multipropósito
• Calibración del controlador de salida

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Tecnología Micron Inc.
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Embalaje alternativo de cinta y bobina (TR)
Cuadro de paquete Las demás:
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 95 °C (TC)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 1.425 V ~ 1.575 V
Envase del producto del proveedor Las partidas de los componentes de las máquinas de ensamblaje de aluminio
Capacidad de memoria 2G (128M x 16)
Tipo de memoria DDR3 SDRAM
Velocidad 1066 MHz
Formatos de memoria Memoria RAM

Descripciones

SDRAM - IC de memoria DDR3 2Gb (128M x 16) paralelo 1066MHz 20ns 96-FBGA (8x14)
Chip DRAM DDR3 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.5V 96 pin FBGA