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TC58BVG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA Kioxia America, Inc. El objetivo de este proyecto es el desarrollo de un sistema de transmisión de datos de alta velocidad.

  • TC58BVG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA Kioxia America, Inc.
Nombre de la marca Kioxia America, Inc.
Número de modelo El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

Éntreme en contacto con gratis las muestras y los vales.

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Datos del producto
Tipo de la memoria Permanente Formato de la memoria FLASH
Tecnología FLASH - NAND (SLC) Tamaño de la memoria 1Gbit
Organización de la memoria el 128M x 8 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj - Escriba la duración de ciclo - palabra, página 25ns
Tiempo de acceso 25 ns Voltagem - Suministro 2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 63-VFBGA Paquete de dispositivos del proveedor 63-TFBGA (9x11)
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number Description
TC58BVG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA
TH58BYG2S3HBAI4 IC FLASH 4GBIT 63TFBGA
TH58BVG2S3HBAI4 IC FLASH 4GBIT 63TFBGA
TC58BYG2S0HBAI4 IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA
TH58NYG2S3HBAI4 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
TH58NYG3S0HBAI4 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA
TC58BYG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT 63TFBGA
TH58NVG2S3HBAI6 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
TH58NYG2S3HBAI6 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
TH58BYG3S0HBAI4 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA
TC58BVG2S0HBAI4 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63TFBGA
TC58NVG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA
TC58NVG1S3HBAI4 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63TFBGA
TC58NVG2S0HBAI4 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63TFBGA
TC58BVG1S3HBAI4 IC FLASH 2GBIT 63TFBGA
TC58BYG1S3HBAI4 IC FLASH 2GBIT 63TFBGA
TC58NYG1S3HBAI4 IC FLASH 2GBIT 63TFBGA
TC58NYG2S0HBAI4 IC FLASH 4GBIT 63TFBGA
TH58NVG3S0HBAI4 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA
TH58NVG2S3HBAI4 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

85 oC, condensador de uso general de alta ondulación

El tipo TC es un condensador electrolítico de aluminio de uso general de 85 oC, de larga vida útil de 1000 horas y conducido por un eje de plomo, con una corriente de ondulación elevada y adecuado para aplicaciones en equipos electrónicos de consumo..

Lo más destacado

• Propósito general
• Corriente de ondulación alta
• Instalación de bajo perfil

Especificaciones

AtributoValor del atributo
FabricanteToshiba Semiconductor y almacenamiento
Categoría de productosInterfaces de memoria
SerieBenandTM
EmbalajeEnvases
Cuadro de paqueteSe aplicará el procedimiento siguiente:
Temperatura de funcionamiento-40 °C ~ 85 °C (TA)
InterfazEn paralelo
Fuente de suministro de tensión2.7 V ~ 3.6 V
Envase del producto del proveedorLas partidas de los componentes de las máquinas de ensayo de alta precisión deberán estar equipadas con un dispositivo de ensayo de alta precisión.
Capacidad de memoria1G (128M x 8)
Tipo de memoriaEEPROM - NAND
Velocidad25 días
Formatos de memoriaEEPROM - en serie

Descripciones

FLASH - NAND (SLC) IC de memoria 1Gb (128M x 8) paralelo 25ns 63-TFBGA (9x11)
SLC NAND Flash paralelo 3.3V 1G-bit
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS y EEPROM NAND
Etiquetas:

Memoria Flash estable IC

Memoria Flash IC no volátil

Memoria Flash IC de SPI