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TC58BVG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA Kioxia America, Inc. El objetivo de este proyecto es el desarrollo de un sistema de transmisión de datos de alta velocidad.
| Nombre de la marca | Kioxia America, Inc. |
|---|---|
| Número de modelo | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de |
| Cantidad de orden mínima | 1 |
| Precio | Based on current price |
| Detalles de empaquetado | Bolsa antistática y caja de cartón |
| Tiempo de entrega | 3 a 5 días hábiles |
| Condiciones de pago | T/T |
| Capacidad de la fuente | En stock |
Datos del producto
| Tipo de la memoria | Permanente | Formato de la memoria | FLASH |
|---|---|---|---|
| Tecnología | FLASH - NAND (SLC) | Tamaño de la memoria | 1Gbit |
| Organización de la memoria | el 128M x 8 | Interfaz de la memoria | En paralelo |
| Frecuencia de reloj | - | Escriba la duración de ciclo - palabra, página | 25ns |
| Tiempo de acceso | 25 ns | Voltagem - Suministro | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura de funcionamiento | -40 °C ~ 85 °C (TA) | Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Envase / estuche | 63-VFBGA | Paquete de dispositivos del proveedor | 63-TFBGA (9x11) |
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| TC58BVG0S3HBAI4 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TH58BYG2S3HBAI4 | IC FLASH 4GBIT 63TFBGA | |
| TH58BVG2S3HBAI4 | IC FLASH 4GBIT 63TFBGA | |
| TC58BYG2S0HBAI4 | IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA | |
| TH58NYG2S3HBAI4 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA | |
| TH58NYG3S0HBAI4 | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TC58BYG0S3HBAI4 | IC FLASH 1GBIT 63TFBGA | |
| TH58NVG2S3HBAI6 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA | |
| TH58NYG2S3HBAI6 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA | |
| TH58BYG3S0HBAI4 | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TC58BVG2S0HBAI4 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TC58NVG0S3HBAI4 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TC58NVG1S3HBAI4 | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TC58NVG2S0HBAI4 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TC58BVG1S3HBAI4 | IC FLASH 2GBIT 63TFBGA | |
| TC58BYG1S3HBAI4 | IC FLASH 2GBIT 63TFBGA | |
| TC58NYG1S3HBAI4 | IC FLASH 2GBIT 63TFBGA | |
| TC58NYG2S0HBAI4 | IC FLASH 4GBIT 63TFBGA | |
| TH58NVG3S0HBAI4 | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TH58NVG2S3HBAI4 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA |
Descripción de producto
Detalles del producto
85 oC, condensador de uso general de alta ondulación
El tipo TC es un condensador electrolítico de aluminio de uso general de 85 oC, de larga vida útil de 1000 horas y conducido por un eje de plomo, con una corriente de ondulación elevada y adecuado para aplicaciones en equipos electrónicos de consumo..
Lo más destacado
• Propósito general• Corriente de ondulación alta
• Instalación de bajo perfil
Especificaciones
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor y almacenamiento |
| Categoría de productos | Interfaces de memoria |
| Serie | BenandTM |
| Embalaje | Envases |
| Cuadro de paquete | Se aplicará el procedimiento siguiente: |
| Temperatura de funcionamiento | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Interfaz | En paralelo |
| Fuente de suministro de tensión | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Envase del producto del proveedor | Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo de alta precisión deberán estar equipadas con un dispositivo de ensayo de alta precisión. |
| Capacidad de memoria | 1G (128M x 8) |
| Tipo de memoria | EEPROM - NAND |
| Velocidad | 25 días |
| Formatos de memoria | EEPROM - en serie |
Descripciones
FLASH - NAND (SLC) IC de memoria 1Gb (128M x 8) paralelo 25ns 63-TFBGA (9x11)
SLC NAND Flash paralelo 3.3V 1G-bit
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS y EEPROM NAND
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