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xDatos del producto
Tipo de la memoria | Permanente | Formato de la memoria | EEPROM |
---|---|---|---|
Tecnología | EEPROM | Tamaño de la memoria | 512Kbit |
Organización de la memoria | 64K x 8 | Interfaz de la memoria | En paralelo |
Frecuencia de reloj | - | Escriba la duración de ciclo - palabra, página | 5ms |
Tiempo de acceso | 120 ns | Voltagem - Suministro | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40 °C ~ 85 °C (TA) | Tipo de montaje | A través del agujero |
Envase / estuche | 32 DIP (0,600" y 15,24 mm) | Paquete de dispositivos del proveedor | 32-PDIP |
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number | Description | |
---|---|---|
CAT28C512LI12 | IC EEPROM 512KBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F001LI-12B | IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F010LI12 | IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F020LI12 | IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F512LI12 | IC FLASH 512KBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28C512L12 | IC EEPROM 512KBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28C512LI15 | IC EEPROM 512KBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F001L-12B | IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F001L-12T | IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F001L-90B | IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F010L12 | IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F010LI90 | IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F020L12 | IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F512L12 | IC FLASH 512KBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F020L90 | IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F001LI-12T | IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F512LI90 | IC FLASH 512KBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F512L90 | IC FLASH 512KBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F020LI90 | IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F010L90 | IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28C512L15 | IC EEPROM 512KBIT PARALLEL 32DIP |
Descripción de producto
Detalles del producto
Descripción
El CAT28C512/513 es una EEPROM CMOS paralela de 5V de bajo consumo, organizada como 64K x 8 bits.Ciclo de escritura automático con limpieza automática y protección de escritura de encendido/abajo por VCC elimina el hardware adicional de tiempo y protección.
Características
■ Tiempos de acceso rápido a la lectura: 120/150 ns■ Dissipación CMOS de baja potencia:
Actividad: 50 mA máximo.
En modo de espera: 200 μA como máximo.
■ Operación de escritura sencilla:
Dirección en el chip y bloqueo de datos
Ciclo de escritura automático con limpieza automática
■ Tiempo de ciclo de escritura rápido:
¢5 ms máximo
■ CMOS y I/O compatibles con TTL
■ Operación de escritura automática de páginas:
1 a 128 bytes en 5 ms
Tiempo de carga de la página
■ Detección de fin de escritura:
¢ Bit de cambio
DATA Encuestas
■ Protección de escritura de hardware y software
■ 100.000 ciclos de programación y borrado
■ 100 años de conservación de datos
■ Intervalos de temperatura comerciales, industriales y automotrices
Especificaciones
Atributo | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | en semi |
Categoría de productos | Interfaces de memoria |
Serie | - |
Embalaje | El tubo |
Cuadro de paquete | 32 DIP (0,600" y 15,24 mm) |
Temperatura de funcionamiento | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
Interfaz | En paralelo |
Fuente de suministro de tensión | 4.5 V ~ 5.5 V |
Envase del producto del proveedor | 32-PDIP |
Capacidad de memoria | 512K (64K x 8) |
Tipo de memoria | EEPROM |
Velocidad | 120 ns |
Formatos de memoria | EEPROM - paralelo |
Descripciones
Memoria EEPROM IC 512Kb (64K x 8) paralelo 120ns 32-PDIP
EEPROM paralelo 512K-bit 64K x 8 5V tubo PDIP de 32 pines
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