AS7C34098A-10JIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ Alianza de Memorias, Inc.

Nombre de la marca Alliance Memory, Inc.
Número de modelo Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán ser las siguiente
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria SRAM
Tecnología SRAM - Asincrónico Tamaño de la memoria 4Mbit
Organización de la memoria 256K × 16 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj - Escriba la duración de ciclo - palabra, página 10ns
Tiempo de acceso 10 ns Voltagem - Suministro 3 V ~ 3,6 V
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 44-BSOJ (0,400", anchura de 10.16m m) Paquete de dispositivos del proveedor 44-SOJ
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Part Number Description
AS7C34098A-10JIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C4098A-12JIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C4098A-15JCN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C4098A-20JIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C1026B-12JCNTR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C1026B-15JCNTR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C31026B-10JCNTR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C31026B-12JCNTR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C31026B-15JCNTR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C1026B-15JINTR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C31026B-12JINTR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C1026B-12JCN IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C31026B-12JCN IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C1026B-15JCN IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C31026B-10JCN IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C31026B-15JCN IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C1026B-15JIN IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C31026B-12JIN IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C1026B-20JCNTR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C31026B-20JCNTR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
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AS7C31026B-20JCN IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C3513B-10JCNTR IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
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AS7C513B-15JCNTR IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
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AS7C3513B-12JCN IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C3513B-15JCN IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C513B-15JCN IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
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AS7C34098A-10JINTR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C34098A-12JCNTR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C34098A-12JINTR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C34098A-15JCNTR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C34098A-15JINTR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
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AS7C4098A-12JINTR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C4098A-15JCNTR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C4098A-15JINTR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C34098A-20JCNTR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C34098A-20JINTR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C4098A-20JCNTR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C4098A-20JINTR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C34098A-12JCN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C4098A-12JCN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C34098A-12JIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C34098A-15JCN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C34098A-15JIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C4098A-15JIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C34098A-10JCN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C34098A-20JCN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C34098A-20JIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C4098A-20JCN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C1026C-15JINTR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C31026C-12JINTR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C1026C-15JIN IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS7C31026C-12JIN IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

Descripción funcional

El AS7C34098A es un CMOS de alto rendimiento 4,194Es un dispositivo de memoria de acceso aleatorio estático (SRAM) de 304 bits organizado como 262.144 palabras × 16 bits. Está diseñado para aplicaciones de memoria donde se desea un acceso rápido a datos, bajo consumo de energía y una interfaz simple.
Los tiempos de acceso y ciclo de direcciones iguales (tAA, tRC, tWC) de 10/12/15/20 ns con tiempos de acceso habilitados de salida (tOE) de 4/5/6/7 ns son ideales para aplicaciones de alto rendimiento.El chip permite la entrada de CE permite una fácil expansión de la memoria con sistemas de memoria de bancos múltiples.

Características

• Pin compatible con el AS7C34098
• Temperatura industrial y comercial
• Organización: 262.144 palabras × 16 bits
• Energía central y pines de tierra
• Alta velocidad
- 10/12/15/20 ns tiempo de acceso a la dirección
- 4/5/6/7 ns de salida permitir el tiempo de acceso
• Bajo consumo de energía: ACTIVO
- 650 mW /máx @ 10 ns
• Bajo consumo de energía: STANDBY
- 28,8 mW / máximo CMOS
• Controles de lectura/escritura de bytes individuales
• Fácil expansión de la memoria con entradas CE, OE
• compatibles con TTL y CMOS, E/S de tres estados
• Paquetes estándar JEDEC de 44 pines
- 400 millas de SOJ
- El TSOP 2
• Protección ESD ≥ 2000 voltios
• Corriente de cierre ≥ 200 mA

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Alianza Memoria, Inc.
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Embalaje alternativo de bandeja
Cuadro de paquete 44-BSOJ (0,400", 10,16 mm de ancho)
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 3 V ~ 3,6 V
Envase del producto del proveedor 44-SOJ
Capacidad de memoria 4M (256K x 16)
Tipo de memoria La memoria de memoria de seguridad de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento
Velocidad 10 días
Formatos de memoria Memoria RAM
Componente compatible funcionalFormulario, paquete, componente funcional compatible
Parte del fabricante Descripción Fabricante Comparar
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria
La RAM estándar, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, PLASTIC, MS-027, SOJ-44 también se puede utilizar. Solución Integrada de Silicio Inc. El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
El número de unidades de producción será el siguiente:
Memoria
La RAM estándar, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 pulgadas, libre de plomo, plástico, MS-027, SOJ-44 Solución Integrada de Silicio Inc. El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:
Memoria
256KX16 STANDARD SRAM, 10ns, PDSO44, 10,16 MM, libre de plomo, SOJ-44 y con una capacidad de carga de más de 100 kg. Rochester Electronic LLC, también conocido como Las medidas de seguridad se aplican a las instalaciones de seguridad de los Estados miembros.
Los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de los sistemas de seguridad de los sistemas
Memoria
Se trata de una serie de dispositivos que se encuentran en el interior de una unidad de almacenamiento. Rochester Electronic LLC, también conocido como Las condiciones de las pruebas de ensayo se determinarán en función de los resultados de las pruebas de ensayo.
El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:
Memoria
La RAM estándar, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 pulgadas, libre de plomo, SOJ-44 El ciprés semiconductor Las medidas de seguridad se aplican a las instalaciones de seguridad de los vehículos.
Se aplicarán los siguientes requisitos:
Memoria
La RAM estándar, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 pulgadas, libre de plomo, SOJ-44 Alianza de la memoria Inc. Las medidas de seguridad se aplicarán a las instalaciones de seguridad de los Estados miembros, incluidas las instalaciones de seguridad de los Estados miembros.
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán ser las siguientes:
Memoria
La RAM estándar, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 pulgadas, libre de plomo, SOJ-44 Alianza de la memoria Inc. Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves que no estén equipadas con un sistema de seguridad de alta velocidad.
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
Memoria
La RAM estándar, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 pulgadas, libre de plomo, SOJ-44 El ciprés semiconductor Las medidas de seguridad se aplican a las instalaciones de los Estados miembros.

Descripciones

SRAM - Memoria IC asíncrona de 4 Mb (256 K x 16) paralela a 10 ns 44-SOJ
La RAM 4M, 3.3V, 10ns, FAST 256K x 16 Asyn SRAM también se puede utilizar.