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W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Winbond Electrónica

  • W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Winbond Electronics
Nombre de la marca Winbond Electronics
Número de modelo Se aplicará a los productos de las categorías 1 y 2 del anexo II.
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria COPITA
Tecnología SDRAM - LPDDR2 móvil Tamaño de la memoria 512Mbit
Organización de la memoria el 16M x 32 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj 400 MHz Escriba la duración de ciclo - palabra, página 15ns
Tiempo de acceso - Voltagem - Suministro 1.14V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche Se aplicará el procedimiento siguiente: Paquete de dispositivos del proveedor El número de unidad de control de velocidad es el siguiente:
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number Description
W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W978H6KBVX2I TR IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA
W97AH2NBVA2I IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H6KBVX2E TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W979H6KBVX2I TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W978H2KBVX2E IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
W978H2KBVX2I IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
W978H6KBVX2E IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
W979H2KBVX2E IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W979H6KBVX2E IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W979H6KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W978H6KBVX2I IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
MT42L128M32D2MH-25 IT:A IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L128M32D2MH-3 IT:A IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L16M32D1AC-25 AAT:A TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L32M32D2AC-25 AAT:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L32M32D2AC-25 AIT:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L16M32D1AC-25 AAT:A IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L32M32D2AC-25 AAT:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L32M32D2AC-25 AIT:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH2KBVX2E IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH2KBVX2I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97BH2KBVX2E IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97BH2KBVX2I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97BH6KBVX2E IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97BH6KBVX2I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH6KBVX2E IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH6KBVX2I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH6KBVX2E TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH6KBVX2I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L32M32D2AC-25 FAAT:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
MT42L16M32D1AC-25 AIT:A IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L16M32D1AC-25 FAAT:A IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DIT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDPC-1D-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DIT-F-D IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAAT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAUT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DIT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DAAT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DAAT-F-D IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DAUT-F-D IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDPC-1D-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L16M32D1AC-25 IT:A IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

Descripción general

El W9712G6JB es una memoria DDR2 SDRAM de 128M bits, organizada en 2,097,152 palabras ×4 bancos ×16 bits. Este dispositivo logra velocidades de transferencia de alta velocidad de hasta 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) para aplicaciones generales. W9712G6JB se clasifica en los siguientes grados de velocidad: -18, -25,25IEl -18 cumple con la especificación DDR2-1066 (7-7-7).El -25/25I/25A son compatibles con la especificación DDR2-800 (5-5-5) o DDR2-800 (6-6-6) (el grado industrial de 25I y el grado automotriz de 25A que está garantizado para soportar -40 °C ≤TCASE ≤95 °C)El -3 es compatible con la especificación DDR2-667 (5-5-5).

Características

El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable será el valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable.
Arquitectura de doble velocidad de datos: dos transferencias de datos por ciclo de reloj
La latencia del CAS: 3, 4, 5, 6 y 7
Duración del estallido: 4 y 8
Se transmiten/reciben datos con estroboscópios bidireccionales de datos diferenciales (DQS y DQS)
Alineación de borde con datos de lectura y alineación de centro con datos de escritura
DLL alinea las transiciones DQ y DQS con el reloj
Entradas de reloj diferencial (CLK y CLK)
Máscaras de datos (DM) para escribir datos.
Los comandos introducidos en cada borde positivo de CLK, datos y máscara de datos se refieren a ambos bordes de DQS
Se admite la latencia aditiva programable de CAS publicada para aumentar la eficiencia del bus de comandos y datos
La latencia de lectura es la latencia aditiva más la latencia CAS (RL = AL + CL)
Ajuste de impedancia fuera del chip-conductor (OCD) y terminación en la matriz (ODT) para una mejor calidad de la señal
Función de precarga automática para ráfagas de lectura y escritura
Modo de actualización automática y auto actualización
Desactivación de energía precargada y desactivación de energía activa
Escribir máscara de datos
Escribe latencia = Leer latencia - 1 (WL = RL - 1)
Interfaz: SSTL_18
Embalado en una bola WBGA 84 (8X12,5 mm)2), utilizando materiales libres de plomo y compatibles con la Directiva RoHS

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Productos electrónicos Winbond
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Envases
Cuadro de paquete Se aplicará el procedimiento siguiente:
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 1.14 V ~ 1.95 V
Envase del producto del proveedor El número de unidad de control de velocidad es el siguiente:
Capacidad de memoria 512M (16M x 32)
Tipo de memoria RAM SDRAM LPDDR2 para dispositivos móviles
Velocidad 400 MHz
Formatos de memoria Memoria RAM

Descripciones

SDRAM - IC de memoria LPDDR2 móvil de 512 Mb (16M x 32) paralelo a 400 MHz 134-VFBGA (10x11.5)
SDRAM de alta velocidad, velocidad de reloj hasta 533 MHz, cuatro bancos internos
Etiquetas:

Memoria Flash estable IC

Memoria Flash IC no volátil

Memoria Flash IC de SPI