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70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP Renesas Electronic America Inc. y sus subsidiarias

  • 70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP Renesas Electronics America Inc
Nombre de la marca Renesas Electronics America Inc
Número de modelo Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria SRAM
Tecnología SRAM - Puerto doble, asíncrono Tamaño de la memoria 1.125Mbit
Organización de la memoria 32K x 36 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj - Escriba la duración de ciclo - palabra, página 10ns
Tiempo de acceso 10 ns Voltagem - Suministro 3,15 V ~ 3,45 V
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 208-BFQFP Paquete de dispositivos del proveedor 208-PQFP (28x28)
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number Description
70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V658S10DRG IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S12DRGI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S12DRI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3519S133DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3519S133DRI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3519S166DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3589S133DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3589S133DRI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3589S166DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3599S133DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70T3599S166DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70T651S10DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T651S12DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T651S12DRI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T651S15DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T659S10DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70T659S12DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70T659S15DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3569S4DR IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP
70V3569S5DR IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP
70V3569S5DRI IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP
70V3569S6DR IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP
70V3579S4DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V3579S5DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V3579S5DRI IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V3579S6DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V3589S133DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S133DRI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S166DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S166DRG IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S166DRG8 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3599S133DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V3599S133DRI IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V3599S166DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V657S10DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V657S12DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V657S12DRI IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V657S15DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V658S10DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V658S12DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V658S12DRI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V658S15DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S10DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S12DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S12DRGI8 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S15DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V7519S133DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70V7519S133DRI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70V7519S166DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70V7519S166DRI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70V7599S133DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V7599S166DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V3589S133DRG IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S133DRG8 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S133DRGI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S133DRGI8 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3599S133DRGI IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V657S10DRG8 IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

Descripción

El IDT70V659/58/57 es una memoria RAM estática asíncrona de doble puerto de alta velocidad 128/64/32K x 36.El IDT70V659/58/57 está diseñado para ser utilizado como un stand-alone 4/2/1Mbit Dual-Port RAM o como una combinación MASTER / SLAVE Dual-Port RAM para 72-bit o más sistema de palabrasEl uso del enfoque IDT MASTERSLAVE Dual-Port RAM en aplicaciones de sistemas de memoria de 72 bits o más amplios resulta en un funcionamiento a toda velocidad y sin errores sin la necesidad de una lógica discreta adicional.

Características

◆ Verdaderas celdas de memoria de doble puerto que permiten el acceso simultáneo a la misma ubicación de memoria
◆ Acceso de alta velocidad
¢ Comercial: 10/12/15 días (máximo)
¢ Industrial: 12/15n (máximo)
◆ Dual chip permite permitir la expansión de profundidad sin lógica externa
◆ IDT70V659/58/57 expande fácilmente el ancho del bus de datos a 72 bits o más utilizando el selector Maestro/Esclavo cuando se cascada más de un dispositivo
◆ M/S = VIH para la señal de salida BUSY en Master, M/S = VIL para la entrada BUSY en Slave
◆ Banderas ocupadas y interrumpidas
◆ Lógica de arbitraje de puertos en el chip
◆ Soporte completo de hardware en el chip para la señalización de semáforos entre puertos
◆ Funcionamiento totalmente asíncrono desde cualquiera de los puertos
◆ Control de bytes separados para compatibilidad de buses y buses multiplexados
◆ Apoya las características JTAG compatibles con IEEE 1149.1
◆ Fuente de alimentación única de 3,3 V (± 150 mV) compatible con LVTTL para el núcleo
◆ Compatible con LVTTL, suministro de energía seleccionable de 3,3 V (± 150 mV) / 2,5 V (± 100 mV) para I/O y señales de control en cada puerto
◆ Disponible en una bolsa plana de plástico de cuatro pines de 208 pines, una red de cuadrados de bolas de campo fino de 208 y una red de cuadrados de bolas de 256
◆ El rango de temperaturas industriales (de 40°C a +85°C) está disponible para las velocidades seleccionadas

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Sistemas de circuitos integrados
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie Las demás:
El tipo Asíncrono
Embalaje Envases
Estilo de montaje DSM/SMT
Cuadro de paquete 208-BFQFP Las demás
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 3.15 V ~ 3.45 V
Envase del producto del proveedor 208-PQFP (28 x 28)
Capacidad de memoria 1.125M (32K x 36)
Tipo de memoria SRAM - Puerto doble, asíncrono
Velocidad 10 días
Tiempo de acceso 10 ns
Formatos de memoria Memoria RAM
Temperatura máxima de funcionamiento + 70 C
Rango de temperatura de funcionamiento 0 C
Tipo de interfaz En paralelo
Organizaciones 32 k x 36
Alimentación de corriente máxima 500 mA
Parte-#-Alias Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Válvula de alimentación 3.45 V
Válvula de alimentación 3.15 V
Cuadro de paquete PQFP-208 y sus derivados
Componente compatible funcionalFormulario, paquete, componente funcional compatible
Parte del fabricante Descripción Fabricante Comparar
Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.
Memoria		 Se utilizará una memoria RAM de doble puerto, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1,40 MM de altura, 0,80 MM de inclinación, verde, FPBGA-208 Tecnología de dispositivos integrados Inc. 70V657S10DRG contra el IDT70V657S10BFG
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Memoria		 CABGA-208, bandeja Tecnología de dispositivos integrados Inc. 70V657S10DRG frente a 70V657S10BFG
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Memoria		 CABGA-208, carrete Tecnología de dispositivos integrados Inc. 70V657S10DRG frente a 70V657S10BFG8
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.
Memoria		 La RAM SRAM de doble puerto, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1,40 MM de altura, 0,80 MM de inclinación, FPBGA-208 Tecnología de dispositivos integrados Inc. 70V657S10DRG contra el IDT70V657S10BFG8
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.
Memoria		 CABGA-256, bandeja Tecnología de dispositivos integrados Inc. 70V657S10DRG frente a 70V657S10BC
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en la base de datos.
Memoria		 Se utilizará una memoria RAM de doble puerto, 32KX36, 10ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28 MM, 3,50 MM de altura, verde, plástico, QFP-208. Tecnología de dispositivos integrados Inc. El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web del organismo notificado.
Memoria		 La RAM SRAM de doble puerto, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1,40 MM de altura, 1 MM de altura, verde, BGA-256 Tecnología de dispositivos integrados Inc. El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Memoria		 CABGA-256, bandeja Tecnología de dispositivos integrados Inc. 70V657S10DRG frente a 70V657S10BCG
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles para su uso.
Memoria		 La RAM SRAM de doble puerto, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1,40 MM de altura, 1 MM de inclinación, BGA-256 Tecnología de dispositivos integrados Inc. 70V657S10DRG contra el IDT70V657S10BC
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Memoria		 La RAM SRAM de doble puerto, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1,40 MM de altura, 1 MM de inclinación, BGA-256 Tecnología de dispositivos integrados Inc. 70V657S10DRG frente a 70V657S10BCG8

Descripciones

SRAM - Puerto doble, memoria asíncrona IC 1.125Mb (32K x 36) paralelo 10ns 208-PQFP (28x28)
RAM SRAM 32K X 36 de tipo ASYNC DP
Etiquetas:

Memoria Flash estable IC

Memoria Flash IC no volátil

Memoria Flash IC de SPI