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MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA Micron Technology Inc.

  • MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA Micron Technology Inc.
Nombre de la marca Micron Technology Inc.
Número de modelo MT40A1G4RH-083E: B
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria COPITA
Tecnología SDRAM - DDR4 Tamaño de la memoria 4Gbit
Organización de la memoria 1G x 4 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj 1,2 gigahertz Escriba la duración de ciclo - palabra, página -
Tiempo de acceso - Voltagem - Suministro 1.14V ~ 1.26V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 95°C (TC) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 78-TFBGA Paquete de dispositivos del proveedor 78-FBGA (9x10.5)
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number Description
MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT41K512M8RH-107:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8RH-125 AIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 IT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 M:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-107 IT:E IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8RH-107:E IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8RH-125 AIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 IT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 M:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT41K512M8RH-125 V:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 XIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 AAT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 M AIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 V:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 XIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 AAT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-062E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AUT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E IT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-083E IT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A1G4RH-075E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AAT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AIT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AIT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AAT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AUT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AAT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AIT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-075E IT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G4RH-075E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-062E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AAT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AIT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AUT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G4RH-083E:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

Descripción

Estos amortiguadores de voltaje transitorio de 1500 vatios ofrecen capacidades de manejo de potencia que solo se encuentran en paquetes más grandes.Se utilizan con mayor frecuencia para proteger contra los transitorios de entornos de conmutación inductiva o efectos secundarios de rayos inducidos, como se encuentra en los niveles de sobretensiones más bajos de IEC61000-4-5Con tiempos de respuesta muy rápidos, también son eficaces en la protección contra el ESD o EFT.Las características del paquete Powermite® incluyen un fondo totalmente metálico que elimina la posibilidad de atrapamiento del flujo de soldadura durante el montajeTambién proporcionan una ficha de bloqueo única que actúa como un disipador de calor integral.la inductancia parasitaria se reduce al mínimo para reducir los excesos de voltaje durante los transitorios de tiempo de subida rápida.

Características

• Envase de montaje de superficie de perfil muy bajo (1.1 mm)
• Tablas integradas de bloqueo del disipador de calor
• Compatible con el equipo de inserción automática
• El fondo totalmente metálico elimina el atrapamiento del flujo
• Rango de tensión de 5 a 170 voltios
• Disponible tanto en unidireccional como en bidireccional (sufijo C para bidireccional)

Calificaciones máximas

• Temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C
• Temperatura de almacenamiento: -55°C a +150°C
• 1500 Watt de potencia de pulso máximo (10 / 1000 μsec)
• Corriente de sobretensiones hacia adelante: 200 Amperios a 8,3 ms (excluyendo bidireccional)
• Tasa de aumento de las repeticiones (factor de trabajo): 0,01%
• Resistencia térmica: conexión de 2,5°C/watt a tab 130°C/watt a ambiente con huella recomendada
• Temperatura de plomo y montaje: 260°C durante 10 segundos

Aplicaciones / beneficios

• Protección temporal por rayos secundarios
• Protección de transición de conmutación inductiva
• Pequeña huella
• Inductividad parasitaria muy baja para un mínimo de sobrecarga de voltaje
• Cumple con las normas IEC61000-4-2 y IEC61000-4-4 para la protección ESD y EFT respectivamente y con las normas IEC61000-4-5 para los niveles de sobretensiones definidos en el presente documento

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Tecnología Micron Inc.
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Envases
Cuadro de paquete Las partidas siguientes se aplicarán:
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 95 °C (TC)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 1.14 V ~ 1.26 V
Envase del producto del proveedor Las partidas de los componentes de las máquinas de ensamblaje y de los equipos de ensamblaje de los equipos de ensamblaje y de los equipos de ensamblaje de las máquinas de ensamblaje.
Capacidad de memoria 4G (1G x 4)
Tipo de memoria DDR4 SDRAM
Velocidad 18 años
Formatos de memoria Memoria RAM

Descripciones

SDRAM - IC de memoria DDR4 4Gb (1G x 4) paralelo a 1,2 GHz 78-FBGA (9x10.5)
Chip DRAM DDR4 SDRAM 4Gbit 1Gx4 1.2V 78 pin FBGA
Etiquetas:

Memoria Flash estable IC

Memoria Flash IC no volátil

Memoria Flash IC de SPI