IS43LR16200D-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

Características

• Tensión estándar: VDD y VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
• Baja tensión (L): VDD y VDDQ = 1,35 V + 0,1 V, -0,067 V
- Compatible con el pasado con 1.5V
• Las velocidades de transferencia de datos de alta velocidad con una frecuencia del sistema de hasta 933 MHz
• 8 bancos internos para operaciones simultáneas
• Arquitectura de pre-recuperación de 8n-bit
• latencia de CAS programable
• Latencia aditiva programable: 0, CL-1, CL-2
• Latencia de escritura de CAS programable (CWL) basada en tCK
• Largura de ráfaga programable: 4 y 8
• Secuencia de explosión programable: secuencial o interleave
• Interruptor de luz en el aire
• Auto Actualización (ASR)
• Temperatura de auto-refresco (SRT)
• Intervalo de actualización:
7.8 nosotros (8192 ciclos/64 ms) Tc= -40°C a 85°C
3.9 nosotros (8192 ciclos/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
• Auto-refrescamiento de la matriz parcial
• Pin de restablecimiento asíncrono
• TDQS (Termination Data Strobe) soportado (sólo x8)
• OCD (ajuste de la impedancia del controlador fuera del chip)
• ODT dinámico (terminación en el momento de morir)
• Fuerza del conductor: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Escribir nivelación
• Hasta 200 MHz en el modo DLL apagado
• Temperatura de funcionamiento:
Para uso comercial (TC = 0°C a +95°C)
Industriales (TC = -40°C a +95°C)
Para el automóvil, A1 (TC = -40°C a +95°C)
Para el sector del automóvil, A2 (TC = -40°C a +105°C)