MT46V16M16CY-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc. Se utiliza para la obtención de datos de las máquinas y equipos.

Descripción general

La DDR333 SDRAM es una memoria CMOS de acceso aleatorio dinámico de alta velocidad que opera a una frecuencia de 167 MHz (tCK=6ns) con una velocidad máxima de transferencia de datos de 333Mb/s/p.DDR333 continúa utilizando la interfaz estándar JEDEC SSTL_2 y la arquitectura 2n-prefetch.

Características

• Reloj de 167 MHz, velocidad de datos de 333 Mb/s/p
•VDD= +2,5 V ±0,2 V, VDDQ = +2,5 V ±0,2 V
• Estroboscopo bidireccional de datos (DQS) transmitido/recibido con datos, es decir, captura de datos sincronizada con la fuente (x16 tiene dos - uno por byte)
• Arquitectura interna de doble velocidad de datos (DDR); dos accesos de datos por ciclo de reloj
• Entradas de reloj diferencial (CK y CK#)
• Los comandos introducidos en cada borde positivo CK
• DQS alineado en el borde con los datos de READ; centro alineado con los datos de WRITE
• DLL para alinear las transiciones DQ y DQS con CK
• Cuatro bancos internos para el funcionamiento simultáneo
• Máscara de datos (DM) para enmascarar datos de escritura (x16 tiene dos - uno por byte)
• Largomas de estallido programables: 2, 4 u 8
• Opción de recarga automática simultánea soportada
• Modos de actualización automática y auto-actualización
• Paquete de FBGA disponible
• Entrada/salida de 2,5 V (compatible con SSTL_2)
• bloqueo del tRAS (tRAP = tRCD)
• Compatible con DDR200 y DDR266 hacia atrás