S70FL01GSAGMFI010 IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC Tecnologías Infineon

Descripción general

El presente documento contiene información sobre el dispositivo S70FL256P, que es una pila de dos matrices S25FL129P.

Características distintivas
Ventajas arquitectónicas
■ Función de suministro único de energía
¢ Rango de voltaje total: operaciones de lectura y escritura de 2,7 a 3,6 V
■ Arquitectura de la memoria
Sectores uniformes de 64 kB
Bloque de parámetros superior o inferior (dos sectores de 64 KB)
Se dividen en dieciséis subsectores de 4 kB cada uno) para
cada flash muere
Sectores uniformes de 256 kB (sin subsectores de 4 kB)
¢ Tamaño de página de 256 bytes
■ Programa
Programa de páginas (hasta 256 bytes) en 1,5 ms (típico)
Las operaciones del programa se realizan página por página.
Modo de programación acelerado a través del pin 9V W#/ACC
Programación de cuatro páginas
■ borrar
Función de borrado masivo para cada flash
¢ Sector erase (SE) comando (D8h) para 64 kB y 256 kB
Sectores
Comando de borrado de subsectores (P4E) (20h) para sectores de 4 kB
(sólo para el dispositivo de sector uniforme de 64 KB)
Comando de borrado de subsectores (P8E) (40h) para sectores de 8 kB
(sólo para el dispositivo de sector uniforme de 64 KB)
■ Capacidad de resistencia en bicicleta
¥ 100.000 ciclos por sector típico
■ Conservación de datos
¢ 20 años típicos
■ Identificador del dispositivo
La firma electrónica de dos bytes de la norma JEDEC
¢ Firma electrónica de un byte para retroceso de la orden RES
compatibilidad
■ Área programable de una sola vez (OTP) en cada flash
Identificación permanente y segura; puede ser programada y
bloqueado en la fábrica o por el cliente
■ CFI (Common Flash Interface) compatible: permite que el host
Sistema para identificar y alojar varios dispositivos flash
■ Tecnología de procesos
Fabricado con tecnología de proceso MirrorBit® de 0,09 μm
■ Opción de paquete

¢ paquete SO de 16 pines (300 milis)
️ 24 bolas BGA (6 x 8 mm), con configuración de 5 x 5 pines
(Continúa...)