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MT53D512M64D4NW-053 WT:D IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 432VFBGA Tecnología de micrófono Inc.

  • MT53D512M64D4NW-053 WT:D IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 432VFBGA Micron Technology Inc.
Nombre de la marca Micron Technology Inc.
Número de modelo NT1D2D2D3D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria COPITA
Tecnología SDRAM - LPDDR4 móvil Tamaño de la memoria 32Gbit
Organización de la memoria 512M x 64 Interfaz de la memoria -
Frecuencia de reloj 1,866 gigahertz Escriba la duración de ciclo - palabra, página -
Tiempo de acceso - Voltagem - Suministro 1.1V
Temperatura de funcionamiento -30°C ~ 85°C (TC) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche Se aplicará el procedimiento siguiente: Paquete de dispositivos del proveedor El número de unidad de control es el número de unidad de control.
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Part Number Description
MT53E512M64D2NW-046 WT:B TR IC MEMORY DRAM 32G 512MX64 FBGA
MT53E512M64D2NW-046 WT:B IC MEMORY DRAM 32G 512MX64 FBGA
MT53E1G64D4NW-046 WT:C IC MEMORY DRAM 64G 1GX64 FBGA
MT53E1G64D4NW-046 WT:C TR IC MEMORY DRAM 64G 1GX64 FBGA
MT53D512M64D4NW-062 WT:D IC DRAM 32GBIT 1.6GHZ 432VFBGA
MT53D512M64D4NW-053 WT:D IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 432VFBGA
MT53D1024M64D8NW-062 WT:D IC DRAM 64GBIT 1.6GHZ 432VFBGA
MT53D512M64D4NW-046 WT:D IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 432VFBGA
MT53D1024M64D8NW-053 WT:D IC DRAM 64GBIT 1.866GHZ 432VFBGA
MT53D1024M64D8NW-046 WT:D IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 432VFBGA
MT53D1024M64D8NW-046 WT:D TR IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 432VFBGA
MT53D1024M64D8NW-053 WT:D TR IC DRAM 64GBIT 1.866GHZ 432VFBGA
MT53D1024M64D8NW-062 WT:D TR IC DRAM 64GBIT 1.6GHZ 432VFBGA
MT53D512M64D4NW-046 WT:D TR IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 432VFBGA
MT53D512M64D4NW-053 WT:D TR IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 432VFBGA
MT53D512M64D4NW-062 WT:D TR IC DRAM 32GBIT 1.6GHZ 432VFBGA
MT53D1024M64D8NW-046 WT ES:D IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 432VFBGA
MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D IC DRAM 64GBIT 1.6GHZ 432VFBGA
MT53D512M64D4NW-046 WT ES:D IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 432VFBGA
MT53D512M64D4NW-062 WT ES:D IC DRAM 32GBIT 1.6GHZ 432VFBGA
MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR IC DRAM 64GBIT 1.6GHZ 432VFBGA
MT53D512M64D4NW-062 WT ES:D TR IC DRAM 32GBIT 1.6GHZ 432VFBGA
MT53D1024M64D8NW-053 WT ES:D IC DRAM 64GBIT 1.866GHZ 432VFBGA
MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 432VFBGA
MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 432VFBGA
MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 432VFBGA
MT53E1G64D8NW-046 WT:E IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ FBGA
MT53E1G64D8NW-053 WT:E IC DRAM 64GBIT 1.866GHZ FBGA
MT53E512M64D4NW-046 WT:E IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 432VFBGA
MT53E512M64D4NW-053 WT:E IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 432VFBGA
MT53D1024M64D8NW-053 WT ES:D TR IC DRAM 64GBIT 1.866GHZ 432VFBGA
MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E TR IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 432VFBGA
MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D TR IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 432VFBGA
MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 432VFBGA
MT53E1G64D8NW-046 WT:E TR IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ FBGA
MT53E1G64D8NW-053 WT:E TR IC DRAM 64GBIT 1.866GHZ FBGA
MT53E512M64D4NW-046 WT:E TR IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 432VFBGA
MT53E512M64D4NW-053 WT:E TR IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 432VFBGA
MT53E512M64D4NW-046 IT:E TR IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 432VFBGA
MT53E512M64D4NW-046 IT:E IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 432VFBGA
MT53E512M64D2NW-046 IT:B TR IC MEMORY DRAM 32G 512MX64 FBGA
MT53E512M64D2NW-046 IT:B IC MEMORY DRAM 32G 512MX64 FBGA
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Part Number Description
Descripción de producto

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Tecnología Micron Inc.
Categoría de productos Las demás
El Sr. Tecnología de Micron Inc.
Serie -
Paquete Envases
Estado del producto No está disponible
Tipo de memoria Las sustancias
Formato de memoria Dispositivos de almacenamiento
Tecnología SDRAM - LPDDR4 móvil
Tamaño de la memoria 32Gb (512M x 64)
Interfaz de memoria -
Frecuencia del reloj 1.866 GHz
Escribe-Ciclo-Tiempo-Word-Página -
Fuente de suministro de tensión 1.1V
Temperatura de funcionamiento -30 °C ~ 85 °C (TC)
Tipo de montaje Montura de la superficie
Cuadro de paquete Se aplicará el procedimiento siguiente:
Envase del producto del proveedor El número de unidad de control es el número de unidad de control.
Número del producto de base MT3D512

Descripciones

SDRAM - IC de memoria LPDDR4 móvil 32 GB (512 M x 64) 1866 MHz
Se trata de un sistema de control de velocidad basado en el sistema de control de velocidad.
Etiquetas:

Memoria Flash estable IC

Memoria Flash IC no volátil

Memoria Flash IC de SPI