S29CD016J0MQFM030 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP Tecnologías Infineon

Descripción general

La familia S29CD-G Flash es una familia de memoria flash de modo burst, dual boot, lectura/escritura simultánea con VersatileI/OTM fabricada en tecnología de proceso de 170 nm.

Características distintivas

Ventajas de la arquitectura
■ Operaciones de lectura y escritura simultáneas

Funciones del programa en otro banco
¢ latencia cero entre las operaciones de lectura y escritura
¢ Dos arquitecturas bancarias: banco grande/banco pequeño
El 75% y el 25%
■ Bus de datos x32 definido por el usuario
■ Bloque de botas doble
Sector superior e inferior del maletero en el mismo dispositivo
■ Arquitectura sectorial flexible
CD032G: 8 2K Palabra doble, 62 16K
Doble Palabra, y ocho sectores de 2K Doble Palabra
CD016G: Ocho 2K palabra doble, 32 16K
Doble Palabra, y ocho sectores de 2K Doble Palabra
■ Sector de silicio seguro (256 bytes)
¢ Fabrica bloqueada e identificable: 16 bytes para seguro,
Fabrica aleatoria Número de serie electrónico; También se conoce
como Marcado electrónico
■ Fabricado con tecnología de proceso de 170 nm
■ Interfaz de ráfaga programable
Interfaces con cualquier procesador de alto rendimiento
Operar con lectura de ráfaga lineal: 2, 4 y 8 dobles
palabra de ráfaga lineal con o sin envoltura alrededor
■ Funcionamiento del programa
Realiza escritura síncrona y asíncrona
Operaciones de configuración de explosión de configuración de registro
de forma independiente
■ Función de suministro de energía único
Optimizado para 2.5 a 2.75 voltios de lectura, borrado y
Operaciones del programa
■ Compatibilidad con las normas JEDEC (JC42.4)
- Software compatible con una fuente de alimentación única Flash
¢ compatibles con AMD/Fujitsu Am29LV/
Memorias flash MBM29LV y Am29F/MBM29F

Características de rendimiento

■ Acceso de lectura de alto rendimiento
Los tiempos de acceso inicial/aleatorio de 48 ns (32 Mb) y 54
ms (16 Mb)
Los tiempos de acceso de ráfaga de 7,5 ns (32 Mb) o 9 ns (16 Mb)
■ Consumo de energía muy bajo
¢ Modo de ráfaga de lectura: 90 mA @ 75 MHz máximo
¢ Programa/borrado: 50 mA como máximo
¢ Modo de espera: CMOS: 60 μA máximo
■ 1 millón de ciclos de escritura por sector
■ 20 años de retención de datos
■ Control versátil/OTM
Generar voltajes de salida de datos y tolerar datos
tensiones de entrada según lo determinado por la tensión en el
Pín VIO
 señales de E/S compatibles de 1,65 V a 3,60 V

Características del software

■ Protección sectorial persistente
¢ Combinaciones de sectores individuales y sector
Grupos para evitar operaciones de programación o borrado
dentro de ese sector (sólo se requieren niveles de CCV)
■ Protección del sector de contraseñas
¢ Combinaciones de sectores individuales y sector
Grupos para evitar operaciones de programación o borrado
dentro de ese sector utilizando un sistema de 64 bits definible por el usuario
contraseña
■ Soporta la interfaz flash común (CFI)
■ Desbloquear el comando del programa de bypass
Reduce el tiempo total de programación al emitir
secuencias de comandos de programas múltiples
■ Datos# Encuestas y cambios de bits
Proporciona un método de software para la detección de programas o
finalización de la operación de borrado

Características del hardware

■ Suspender/reanudar y borrar el programa Suspender/
Resumen de trabajo
Suspende el programa o borra las operaciones para permitir
leer, programar o borrar en el mismo banco
■ Reinicio del hardware (RESET#), listo/ocupado# (RY/
BY#), y Protección por escritura (WP#)
■ Entrada ACC
¢ Acelera el tiempo de programación para un mayor rendimiento
durante la producción del sistema
■ Opciones de paquetes
PQFP de 80 pines
- 80 bolas BGA reforzado
También está disponible la opción de paquete libre de Pb
Conocido por morir bien.