AS7C1024B-12JCN IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ Alliance Memory, Inc. Se trata de un sistema de almacenamiento de datos basado en la memoria de la Unión.

Descripción funcional

El AS7C1024B es un CMOS de alto rendimiento 1,048Es un dispositivo de memoria de acceso aleatorio estático (SRAM) de 576 bits organizado como 131,072 palabras x 8 bits. Está diseñado para aplicaciones de memoria donde se desea un acceso rápido a datos, bajo consumo de energía y una interfaz simple.
Los tiempos de acceso y ciclo de dirección iguales (tAA, tRC, tWC) de 10/12/15/20 ns con tiempos de acceso de salida habilitados (tOE) de 5/6/7/8 ns son ideales para aplicaciones de alto rendimiento.Activar el chip alto y bajo (CE1), CE2) permiten una fácil expansión de la memoria con sistemas de bancos múltiples.

Características

• Temperaturas industriales y comerciales
• Organización: 131.072 palabras x 8 bits
• Alta velocidad
- 10/12/15/20 ns tiempo de acceso a la dirección
- 5/6/7/8 ns de salida permitir el tiempo de acceso
• Bajo consumo de energía: ACTIVO
- 605 mW / máximo @ 10 ns
• Bajo consumo de energía: STANDBY
- 55 mW / máximo CMOS
• Tecnología CMOS 6T 0.18u
• Fácil expansión de la memoria con entradas CE1, CE2 y OE
• Compatible con TTL/LVTTL, E/S de tres estados
• paquetes estándar JEDEC de 32 pines
- 300 millones de SOJ
- 400 millones de SOJ
- 8 × 20 mm TSOP 1
- 8 x 13.4 mm STSOP 1
• Protección ESD ≥ 2000 voltios
• Corriente de cierre ≥ 200 mA