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IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solución de silicio integrado Inc.

  • IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Nombre de la marca ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Número de modelo Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el sitio web del organismo
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria COPITA
Tecnología El número de datos que se requieren para el cálculo de las tarifas Tamaño de la memoria 16Mbit
Organización de la memoria el 1M x 16 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj - Escriba la duración de ciclo - palabra, página -
Tiempo de acceso 25 ns Voltagem - Suministro 3 V ~ 3,6 V
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 42-BSOJ (0,400", ancho de 10,16 mm) Paquete de dispositivos del proveedor 42-SOJ
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number Description
IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-50KL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-60KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-60KL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-60KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-60KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-50KL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-60KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-60KL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-60KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-60KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41C16100C-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41C16100C-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41C16105C-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41C16105C-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100C-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100C-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105C-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105C-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100D-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100D-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105D-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105D-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

Descripción

El ISSIIS41LV16100B es 1,048, 576 x 16 bits de alto rendimiento CMOS Dynamic Random Access Memories. Estos dispositivos ofrecen un acceso de ciclo acelerado llamado EDO Page Mode.024 accesos aleatorios dentro de una sola fila con un tiempo de ciclo de acceso tan corto como 20 ns por palabra de 16 bits.

Características

• Entradas y salidas compatibles con TTL; E/S de tres estados
• Intervalo de actualización:
Modo de actualización automática: 1,024 ciclos /16 ms
¢ Solo RAS, CAS antes de RAS (CBR) y oculto
• Descripción de la norma JEDEC
• Fuente de alimentación única: 3,3 V ± 10%
• Byte Write y Byte Read operación a través de dos CAS
• Rango de temperatura industrial: -40oC a +85oC
• Disponible sin plomo

Especificaciones

AtributoValor del atributo
FabricanteEl ISSI
Categoría de productosChips de circuito integrado
Serie-
EmbalajeEl tubo
Cuadro de paqueteLos productos de la sección 4 del presente Reglamento se clasifican en el anexo II del Reglamento (CE) n.o 1272/2008 de la Comisión.
Temperatura de funcionamiento0 °C ~ 70 °C (TA)
InterfazEn paralelo
Fuente de suministro de tensión3 V ~ 3,6 V
Envase del producto del proveedor42-SOJ
Capacidad de memoria16M (1M x 16)
Tipo de memoriaEl número de datos que se requieren para el cálculo de las tarifas
Velocidad50 ns
Formatos de memoriaMemoria RAM

Descripciones

Memoria DRAM-EDO IC de 16 Mb (1M x 16) paralelo 25ns 42-SOJ
Etiquetas:

Memoria Flash estable IC

Memoria Flash IC no volátil

Memoria Flash IC de SPI