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IS61WV5128BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA ISSI, Solución de Silicio Integrado Inc.
Nombre de la marca | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
---|---|
Número de modelo | IS61WV5128BLL-10BLI |
Cantidad de orden mínima | 1 |
Precio | Based on current price |
Detalles de empaquetado | Bolsa antistática y caja de cartón |
Tiempo de entrega | 3 a 5 días hábiles |
Condiciones de pago | T/T |
Capacidad de la fuente | En stock |

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wechat: 0086 18588475571
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xDatos del producto
Tipo de la memoria | Volátil | Formato de la memoria | SRAM |
---|---|---|---|
tecnología | SRAM - Asincrónico | Tamaño de la memoria | 4Mbit |
Organización de la memoria | 512K x 8 | Interfaz de la memoria | En paralelo |
Frecuencia de reloj | - | Escriba la duración de ciclo - palabra, página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10 ns | Voltagem - Suministro | 2.4V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40 °C ~ 85 °C (TA) | Tipo de montaje | Montura de la superficie |
Envase / estuche | 36-TFBGA | Paquete de dispositivos del proveedor | 36-TFBGA (6x8) |
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number | Description | |
---|---|---|
IS61WV5128BLL-10BLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
IS62WV2568BLL-55BLI-TR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
IS62WV2568BLL-55BLI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
IS61WV5128BLL-10BLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
IS62WV5128BLL-55BLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
IS62WV5128BLL-55BLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
IS61LV5128AL-10BI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
IS61LV5128AL-10BI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
IS61LV5128AL-10BLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
IS61LV5128AL-10BLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
IS62WV2568BLL-70BI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
IS62WV2568BLL-70BI-TR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
IS62WV5128BLL-55BI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
IS62WV5128BLL-55BI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
IS63LV1024L-12BI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
IS63LV1024L-12BI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
IS63LV1024L-12BLI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
IS63LV1024L-12BLI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
IS62WV5128DBLL-45BLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
IS62WV5128DBLL-45BLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
IS62WV5128DBLL-45BI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
IS62WV5128DBLL-45BI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA |
Descripción de producto
Detalles del producto
Descripción
TheISSIIS61WV102416ALL/BLL y IS64WV102416BLL son RAM estáticas de 16M bits de alta velocidad organizadas como 1024K palabras por 16 bits.Este proceso altamente fiable junto con técnicas innovadoras de diseño de circuitos, produce dispositivos de alto rendimiento y bajo consumo de energía.
Características
• Tiempos de acceso de alta velocidad: 8, 10, 20 ns• Proceso CMOS de bajo consumo y alto rendimiento
• Múltiples centrales de alimentación y pines de tierra para una mayor inmunidad al ruido
• Fácil expansión de la memoria con opciones CE y OE
• Apagado de la energía CE
• Funcionamiento totalmente estático: no se requiere reloj ni actualización
• Entradas y salidas compatibles con TTL
• Fuente de alimentación única
VDD de 1,65 a 2,2 V (IS61WV102416ALL)
velocidad = 20 ns para VDD de 1,65 V a 2,2 V
VDD de 2,4 V a 3,6 V (IS61/64WV102416BLL)
velocidad = 10 ns para VDD de 2,4 V a 3,6 V
velocidad = 8ns para VDD 3.3V + 5%
• Los paquetes disponibles:
- ¿Qué es eso?
¢ TEP de 48 pines (tipo I)
• Apoyo a la temperatura en el sector industrial y automotriz
• Disponible sin plomo
• Control de datos para bytes superiores e inferiores
Especificaciones
Atributo | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | El ISSI |
Categoría de productos | Interfaces de memoria |
Serie | Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
El tipo | Asíncrono |
Embalaje | Embalaje alternativo de bandeja |
Unidad de peso | 0.008042 onzas |
Estilo de montaje | DSM/SMT |
Cuadro de paquete | 36-MBGA |
Temperatura de funcionamiento | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
Interfaz | En paralelo |
Fuente de suministro de tensión | 2.4 V ~ 3.6 V |
Envase del producto del proveedor | El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga |
Capacidad de memoria | 4M (512K x 8) |
Tipo de memoria | La memoria de memoria de seguridad de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento |
Velocidad | 10 días |
Tasa de datos | DEG |
Tiempo de acceso | 10 ns |
Formatos de memoria | Memoria RAM |
Temperatura máxima de funcionamiento | + 85 C |
Rango de temperatura de funcionamiento | - 40 ° C. |
Tipo de interfaz | En paralelo |
Organizaciones | 512 k x 8 |
Alimentación de corriente máxima | 45 mA |
Válvula de alimentación | 3.6 V |
Válvula de alimentación | 2.4 V |
Cuadro de paquete | BGA-36 |
Componente compatible funcional
Formulario, paquete, componente funcional compatible
Parte del fabricante | Descripción | Fabricante | Comparar |
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. Memoria |
La memoria RAM estándar, 512KX8, 10ns, CMOS, PBGA36, 6 X 8 MM, MINI, BGA-36 también se puede utilizar. | Solución Integrada de Silicio Inc. | Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea que se utilicen para evaluar los resultados de las evaluaciones de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en la base de datos de los Estados miembros. |
Descripciones
SRAM - IC de memoria asíncrona de 4 Mb (512K x 8) paralelo 10ns 36-miniBGA (8x10)
Chip SRAM Asíncrono Único 2.5V/3.3V 4M-Bit 512K x 8 10ns Mini-BGA de 36 pines
La RAM SRAM 4M (512Kx8) 10ns Asíncrona SRAM 3.3v
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