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W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA Winbond Electrónica

  • W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA Winbond Electronics
Nombre de la marca Winbond Electronics
Número de modelo W631GG8KB-11
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria COPITA
Tecnología SDRAM - DDR3 Tamaño de la memoria 1Gbit
Organización de la memoria el 128M x 8 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj 933 megaciclos Escriba la duración de ciclo - palabra, página -
Tiempo de acceso 20 ns Voltagem - Suministro 1.425V ~ 1.575V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 95°C (TC) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 78-TFBGA Paquete de dispositivos del proveedor Se trata de un sistema de transmisión por cable de alta velocidad.
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number Description
W631GU8NB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB15I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB12I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB11I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB11I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8NB09I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB09I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB15I IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB15I IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB12I IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GU8NB11I IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB11I IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB09I IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB09I IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8NB-15 TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8NB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8NB-12 TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB-11 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB-11 TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB-09 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB-09 TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB-15 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8NB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8NB-12 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB-11 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB-09 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB-09 IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB-15 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB-15 TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W632GU8NB-12 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GG8NB-12 TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W632GU8NB-11 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB-11 TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W632GU8NB-09 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB-09 TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W632GU8NB15I TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB15I TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W632GG8NB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB12I TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W632GU8NB12I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GG8NB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GU8NB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GG8NB11I TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W632GU8NB11I TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB09I TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W632GU8NB09I TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB-09 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB-09 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB15I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB15I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GU8NB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GG8NB11I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB11I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB09I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB09I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GG8KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GG8KB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GG8KB15I IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GG8KB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB15I IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GU8KB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GU8KB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GU8KB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GU8KB15I IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W631GG8KB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GU8KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GU8KB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GU8KB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GU8KB15I IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GG8KB-11 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GG8KB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GG8KB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GG8KB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GG8KB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GU8KB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GU8KB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GU8KB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GU8KB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB-11 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB-12 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GG8KB12I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GG8KB-15 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB15I TR IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GU8KB-12 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GU8KB12I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GU8KB-15 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GU8KB15I TR IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GG8MB-11 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB-12 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GG8MB12I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GG8MB-15 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB15I TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB-12 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GU8MB12I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GU8MB-15 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB15I TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB-09 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GG8MB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GG8MB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB15I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GU8MB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GU8MB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB15I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8AB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GG8AB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GG8AB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB-09 IC DRAM 2GBIT PAR 1066MHZ 78WBGA
W632GU8KT-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8MB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8MB-11 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8MB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8MB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8MB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8MB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8MB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GU8MB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GU8MB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8MB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8KB11I IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GU8MB11I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8MB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8MB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8MB15I IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8MB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8MB11I IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8MB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GU8MB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GU8MB15I IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8MB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB11J IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB12J IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GU8MB-09 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB11I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB11I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB09I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB09I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB11J IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB12J IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GU8MB-11 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB-09 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8MB-09 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB11J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB09J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB15J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB11I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB15J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB11J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB09I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB12J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB12J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB09J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB09J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB11J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB09I IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB15J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB12J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB09J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB11J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB11I IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB12J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB15J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

Descripción general

El W631GG6KB es una memoria DDR3 SDRAM de 1G bits, organizada como 8,388,608 palabras x 8 bancos x 16 bits. Este dispositivo logra velocidades de transferencia de alta velocidad de hasta 1866 Mb/sec/pin (DDR3-1866) para diversas aplicaciones. W631GG6KB se clasifica en los siguientes grados de velocidad: -11,-12 años.El grado de velocidad -11 es compatible con la especificación DDR3-1866 (13-13-13).Los grados de velocidad 12A y 12K cumplen con la especificación DDR3-1600 (11-11-11) (el grado industrial 12I que se garantiza que soporta -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C)Los grados de velocidad -15, 15I, 15A y 15K cumplen con la especificación DDR3-1333 (9-9-9) (el grado industrial de 15I que se garantiza para soportar -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C).

Características

El valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable será el valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable de los motores de combustión renovable.
Arquitectura de doble velocidad de datos: dos transferencias de datos por ciclo de reloj
Ocho bancos internos para operaciones simultáneas
Arquitectura de 8 bits de pre-adquisición
¢ Término de latencia del CAS: 6, 7, 8, 9, 10, 11 y 13
Los modos de largura de ráfaga 8 (BL8) y de corte de ráfaga 4 (BC4): fijos a través del registro de modo (MRS) o seleccionables a vuelo (OTF)
¢ Ordenamiento programable de lectura: secuencial entrelazado o mordisqueado
Se transmiten/reciben datos con estrobos de datos bidireccionales y diferenciales (DQS y DQS#)
¢ Alineado en el borde con datos de lectura y alineado en el centro con datos de escritura
DLL alinea las transiciones DQ y DQS con el reloj
Input de reloj diferencial (CK y CK#)
Los comandos introducidos en cada borde CK positivo, datos y máscara de datos se refieren a ambos bordes de un par de estroboscopo de datos diferencial (dupla velocidad de datos)
¢ CAS publicado con latencia aditiva programable (AL = 0, CL - 1 y CL - 2) para mejorar la eficiencia del bus de comando, dirección y datos
¢ Tardor de lectura = Tardor aditivo más Tardor de CAS (RL = AL + CL)
¢ Función de precarga automática para ráfagas de lectura y escritura
️ Actualización, autoactualización, autoactualización automática (ASR) y autoactualización parcial de la matriz (PASR)

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Productos electrónicos Winbond
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Embalaje alternativo de bandeja
Cuadro de paquete Las partidas siguientes se aplicarán:
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 95 °C (TC)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 1.425 V ~ 1.575 V
Envase del producto del proveedor Se trata de un sistema de transmisión por cable de alta velocidad.
Capacidad de memoria 1G (128M x 8)
Tipo de memoria DDR3 SDRAM
Velocidad 933 MHz
Formatos de memoria Memoria RAM

Descripciones

SDRAM - IC de memoria DDR3 1Gb (128M x 8) paralelo a 933MHz 20ns 78-WBGA (10.5x8)
Chip DRAM DDR3 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.5V 78 pin WBGA
Etiquetas:

Memoria Flash estable IC

Memoria Flash IC no volátil

Memoria Flash IC de SPI