IDT70T3319S133DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias

Nombre de la marca Renesas Electronics America Inc
Número de modelo Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria SRAM
Tecnología SRAM - Puerto doble, sincrónico Tamaño de la memoria 4.5Mbit
Organización de la memoria 256K x 18 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj 133 megaciclos Escriba la duración de ciclo - palabra, página -
Tiempo de acceso 4,2 ns Voltagem - Suministro 2.4V ~ 2.6V
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 144-LQFP expuso el cojín Paquete de dispositivos del proveedor 144-TQFP (20x20)
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number Description
IDT70T3319S133DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T3319S133DDI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T3319S166DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T3399S133DD IC SRAM 2MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T3399S133DDI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T3399S166DD IC SRAM 2MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T631S10DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T631S12DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T631S12DDI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T631S15DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T633S10DD IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T633S12DD IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T633S12DDI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T633S15DD IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7319S133DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7319S133DDI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7319S166DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7319S166DDI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7339S133DD IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7339S133DDI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7339S166DD IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7339S166DDI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

Descripción

El IDT70T651/9 es una memoria RAM estática de alta velocidad 256/128K x 36 asíncrona de doble puerto.El IDT70T651/9 está diseñado para ser utilizado como un stand-alone 9216/4608K-bit Dual-Port RAM o como una combinación MAS TER / SLAVE Dual-Port RAM para 72-bit o más sistema de palabrasEl uso del enfoque IDT MASTER/SLAVE Dual-Port RAM en aplicaciones de sistemas de memoria de 72 bits o más amplios resulta en un funcionamiento a toda velocidad y sin errores sin la necesidad de una lógica discreta adicional.
Este dispositivo proporciona dos puertos independientes con pines de control, dirección y E / S separados que permiten un acceso independiente y asíncrono para leer o escribir a cualquier ubicación en la memoria.Una función de apagado automático controlada por el chip permite (ya sea CE0 o CE1) permitir que los circuitos en el chip de cada puerto entren en un modo de potencia de espera muy bajo.
El IDT70T651/9 tiene un modo RapidWrite que permite al diseñador realizar operaciones de escritura de espalda a espalda sin pulsar la entrada R / W cada ciclo.Esto es especialmente significativo en los tiempos de ciclo de 8 y 10ns del IDT70T651/9, facilitando las consideraciones de diseño en estos niveles de alto rendimiento.
El 70T651/9 puede soportar un voltaje de funcionamiento de 3.3V o 2.5V en uno o ambos puertos, controlados por los pines OPT. La fuente de alimentación para el núcleo del dispositivo (VDD) es de 2.5V.

Características

◆ Verdaderas celdas de memoria de doble puerto que permiten el acceso simultáneo a la misma ubicación de memoria
◆ Acceso de alta velocidad
¢ Comercial: 8/10/12/15 días (máximo)

◆ El modo RapidWrite simplifica los ciclos de escritura consecutivos de alta velocidad
◆ Dual chip permite permitir la expansión de profundidad sin lógica externa
◆ IDT70T651/9 expande fácilmente el ancho del bus de datos a 72 bits o más usando el selector Maestro/Esclavo cuando se cascadas más de un dispositivo
◆ M/S = VIH para la señal de salida BUSY en Master, M/S = VIL para la entrada BUSY en Slave
◆ Banderas ocupadas y interrumpidas
◆ Lógica de arbitraje de puertos en el chip
◆ Soporte completo de hardware en el chip para la señalización de semáforos entre puertos
◆ Funcionamiento totalmente asíncrono desde cualquiera de los puertos
◆ Control de bytes separados para compatibilidad de buses y buses multiplexados
◆ Entradas en modo de reposo en ambos puertos
◆ Apoya las características JTAG compatibles con IEEE 1149.1
◆ Fuente de alimentación única de 2,5 V (± 100 mV) para el núcleo
◆ Compatible con LVTTL, suministro de energía seleccionable de 3,3 V (± 150 mV) / 2,5 V (± 100 mV) para I/O y señales de control en cada puerto
◆ Disponible en una matriz de cuadrícula de bolas de 256 bolas, en una matriz de cuadrícula de plástico de 208 pines y en una matriz de cuadrícula de bolas de 208 bolas de tono fino.
◆ El rango de temperaturas industriales (de 40°C a +85°C) está disponible para las velocidades seleccionadas

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Sistemas de circuitos integrados
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Envases
Cuadro de paquete Pad expuesto 144-LQFP
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 2.4 V ~ 2,6 V
Envase del producto del proveedor Las condiciones de los productos se determinan en función de la composición de los productos.
Capacidad de memoria 4.5M (256K x 18)
Tipo de memoria SRAM - Puerto doble, sincrónico
Velocidad 133MHz
Formatos de memoria Memoria RAM

Descripciones

SRAM - Puerto doble, IC de memoria síncrona 4.5Mb (256K x 18) paralelo a 133MHz 4.2ns 144-TQFP (20x20)