BQ4010MA-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP Texas Instruments también está disponible en el mercado.

Nombre de la marca Texas Instruments
Número de modelo Se aplicará el procedimiento siguiente:
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock
Datos del producto
Tipo de la memoria Permanente Formato de la memoria NVSRAM
Tecnología NVSRAM (SRAM permanente) Tamaño de la memoria 64Kbit
Organización de la memoria 8K x 8 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj - Escriba la duración de ciclo - palabra, página 85 años
Tiempo de acceso 85 ns Voltagem - Suministro 4,75 V ~ 5,5 V
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA) Tipo de montaje A través del agujero
Envase / estuche Modulo 28-DIP (0,61", 15,49 mm) Paquete de dispositivos del proveedor Modulo 28-DIP (18.42x37.72)
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Part Number Description
BQ4010MA-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4011MA-100 IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010YMA-70 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4011YMA-100 IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4011YMA-70 IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010LYMA-70N IC NVSRAM 64KBIT 70NS 28DIP
BQ4011LYMA-70N IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010MA-150 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010MA-200 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010MA-70 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010YMA-150 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010YMA-150N IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010YMA-200 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010YMA-70N IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010YMA-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010YMA-85N IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4011MA-150 IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4011MA-200 IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4011YMA-150 IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4011YMA-150N IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4011YMA-200 IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4011YMA-70N IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

Descripción y características

El rectificador Schottky de montaje superficial 10BQ040 ha sido diseñado para aplicaciones que requieren una baja caída hacia adelante y huellas muy pequeñas en las placas de PC.de alimentación por conmutación, convertidores, diodos de ruedas libres, carga de la batería y protección de la batería inversa.

• Pequeña huella, montable en la superficie

• Baja caída de voltaje hacia adelante
• Funcionamiento de alta frecuencia
• Anillo de protección para una mayor robustez y fiabilidad a largo plazo

Especificaciones

AtributoValor del atributo
FabricanteLas acciones de Texas Instruments
Categoría de productosInterfaces de memoria
Serie-
EmbalajeEnvases
Cuadro de paqueteModulo 28-DIP (0,61", 15,49 mm)
Temperatura de funcionamiento0 °C ~ 70 °C (TA)
InterfazEn paralelo
Fuente de suministro de tensión4.75 V ~ 5.5 V
Envase del producto del proveedorModulo 28-DIP (18.42x37.72)
Capacidad de memoria64K (8K x 8)
Tipo de memoriaLas medidas de seguridad y de protección previstas en el presente Reglamento se aplicarán a las instalaciones de seguridad y de protección de los vehículos.
Velocidad85 años
Formatos de memoriaMemoria RAM

Descripciones

NVSRAM (SRAM no volátil) Memoria IC 64Kb (8K x 8) Modulo paralelo 85ns 28-DIP (18.42x37.72)
NVRAM NVSRAM Modulo DIP paralelo de 64 Kbit 5V de 28 pines