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CY7C1021DV33-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ Tecnologías Infineon

  • CY7C1021DV33-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ Infineon Technologies
Nombre de la marca Infineon Technologies
Número de modelo El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de l
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria SRAM
Tecnología SRAM - Asincrónico Tamaño de la memoria 1 Mbit
Organización de la memoria 64K x 16 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj - Escriba la duración de ciclo - palabra, página 10ns
Tiempo de acceso 10 ns Voltagem - Suministro 3 V ~ 3,6 V
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 44-BSOJ (0,400", anchura de 10.16m m) Paquete de dispositivos del proveedor 44-SOJ
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number Description
CY7C1021DV33-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021CV33-12VC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021DV33-10VXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041B-15VC IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041BV33-15VC IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041G30-10VXIT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041G30-10VXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021D-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041CV33-15VXC IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041BNV33L-15VXC IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1020D-10VXI IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041BNV33L-12VXC IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041GE-10VXI CY7C1041GE - STANDARD SRAM, 256K
CY7C1041G-10VXIT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041G-10VXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041GE30-10VXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021CV33-15VXC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041CV33-12VXC IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021B-15VC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021CV33-10VC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1020B-12VXCT IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1020DV33-10VXI IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BNV33L-15VXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1020BN-12VXC IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BV33-12VC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1020BN-12VXCT IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BNL-15VXC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BNL-15VXCT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BV33-10VC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BN-15VXE IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021D-10VXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1020D-10VXIT IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041CV33-15VXC IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041CV33-12VXC IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041GN30-10VXIT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041GN30-10VXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041GN-10VXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041GN-10VXIT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041G18-15VXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041G18-15VXIT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041GE-10VXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041GE-10VXIT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041GE30-10VXIT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7S1041G30-10VXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7S1041G30-10VXIT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021D-10VXIT SRAM - ASYNCHRONOUS MEMORY IC 1M
CY7S1041G30-10VXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041DV33-10VXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021B-12VC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021B-12VC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021B-15VC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BV33-10VC IC SRAM 1MBIT 10NS 44SOJ
CY7C1021BV33-12VC IC SRAM 1MBIT 12NS 44SOJ
CY7C1041B-15VC IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041BV33-15VC IC SRAM 4MBIT 15NS 44SOJ
CY7C1021CV33-10VC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021CV33-12VC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021CV33-15VC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041CV33-15VC IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021B-12VXC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021B-15VXC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021CV33-10VXC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021CV33-12VXC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021CV33-15VXC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1020B-12VXC IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1020B-12VXCT IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021B-12VXCT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021B-12VXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021B-12VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1020BN-12VXC IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1020BN-12VXCT IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BN-15VXE IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BN-15VXET IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BNV33L-10VXC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BNV33L-10VXCT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BNV33L-15VXC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BNV33L-15VXCT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BNV33L-15VXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BNV33L-15VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041BNL-20VXC IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041BNL-20VXCT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041BNV33L-12VXC IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041BNV33L-12VXCT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041BNV33L-15VXC IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041BNV33L-15VXCT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1020DV33-10VXI IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1020DV33-10VXIT IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041CV33-20VXE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041CV33-20VXET IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

Descripción funcional [1]

El CY7C1021DV33 es una memoria RAM estática CMOS de alto rendimiento organizada como 65.536 palabras por 16 bits.Este dispositivo tiene una función de apagado automático que reduce significativamente el consumo de energía cuando se deshabilita.

Características

• Rango de temperaturas
- Industriales: - 40°C a 85°C
- Automotriz-A: - 40°C a 85°C
- Automotriz-E: - 40°C a 125°C
• Compatible con el pin y la función CY7C1021CV33
• Alta velocidad
¢ tAA = 10 ns
• Baja potencia activa
¢ CCI = 60 mA @ 10 ns
• Baja potencia de espera CMOS
¢ ISB2 = 3 mA
• Retención de datos de 2,0 V
• Apagado automático si se desactiva la opción
• CMOS para una velocidad/potencia óptima
• Control independiente de los bits superior e inferior
• Disponible en 44 pines de 400 millas de ancho moldeado SOJ sin Pb, 44 pines TSOP II y 48 bolas VFBGA paquetes

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante El ciprés semiconductor
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.
El tipo Asíncrono
Embalaje Embalaje alternativo de cinta y bobina (TR)
Estilo de montaje DSM/SMT
Cuadro de paquete 44-BSOJ (0,400", 10,16 mm de ancho)
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 3 V ~ 3,6 V
Envase del producto del proveedor 44-SOJ
Capacidad de memoria 1M (64K x 16)
Tipo de memoria La memoria de memoria de seguridad de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento
Velocidad 10 días
Tasa de datos DEG
Tiempo de acceso 10 ns
Formatos de memoria Memoria RAM
Temperatura máxima de funcionamiento + 85 C
Rango de temperatura de funcionamiento - 40 ° C.
Tipo de interfaz En paralelo
Organizaciones 64 k x 16
Alimentación de corriente máxima 60 mA
Válvula de alimentación 3.6 V
Válvula de alimentación 3 V
Cuadro de paquete El SOJ-44
Frecuencia máxima del reloj 100 MHz

Componente compatible funcional

Formulario, paquete, componente funcional compatible

Parte del fabricante Descripción Fabricante Comparar
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Memoria		 La capacidad de almacenamiento de datos de la memoria RAM estándar, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, conforme a la normativa ROHS, SOJ-44 Tecnología GSI El objetivo de las medidas de seguridad es garantizar la seguridad de los vehículos.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Memoria		 La capacidad de almacenamiento de datos de la memoria RAM estándar, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, conforme a la normativa ROHS, SOJ-44 Tecnología GSI El objetivo de las medidas de seguridad es garantizar la seguridad de los vehículos.
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria		 Se trata de una memoria de memoria de tipo SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, libre de plomo, 0,400 INCH, PLASTIC, MS-027, SOJ-44. Solución Integrada de Silicio Inc. CY7C1021DV33-10VXIT frente al IS61LV6416-10KLI
El número de unidades de producción será el siguiente:
Memoria		 La RAM estándar, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 pulgadas, libre de plomo, SOJ-44 El ciprés semiconductor El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
Memoria		 La RAM estándar, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 pulgadas, libre de plomo, SOJ-44 El ciprés semiconductor El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:
Memoria		 64KX16 SRAM estándar, 10ns, PDSO44, 0,400 pulgadas, libre de plomo, SOJ-44 Rochester Electronic LLC, también conocido como El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Memoria		 La capacidad de almacenamiento de datos de la memoria RAM estándar, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, conforme a la normativa ROHS, SOJ-44 Tecnología GSI El objetivo de la medida es reducir el riesgo de incidencia de la contaminación atmosférica.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Memoria		 La capacidad de almacenamiento de datos de la memoria RAM estándar, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, conforme a la normativa ROHS, SOJ-44 Tecnología GSI CY7C1021DV33-10VXIT frente a GS71116AGJ-10I

Descripciones

SRAM - IC de memoria asincrónica de 1 Mb (64K x 16) paralelo 10ns 44-SOJ
Chip de SRAM asincrónico único 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 44 pin SOJ T/R
SRAM 2Mb 10ns 3.3V 64Kx16 SRAM sincronizada rápida
Etiquetas:

Memoria Flash estable IC

Memoria Flash IC no volátil

Memoria Flash IC de SPI