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STAV58010P2 Nitruro de galio 50V, 10W, DC-6GHz Transistor de potencia RF

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xOperating Voltage | 55 Vdc | Maximum forward gate current | 2 mA |
---|---|---|---|
Gate--Source Voltage | S -8 to +0.5 Vdc | Drain--Source Voltage | +200 Vdc |
Storage Temperature Range | -65 to +150 | Case Operating Temperature | +150 |
Operating Junction Temperature | +225 |
El gallio Nitruro 50 V, 16 W, DC-6GHzRF El poder Transistores
Descripción
El Se aplicará el procedimiento siguiente: es a) el 16 en vatios, sin igual GaN HEMT, el idealpara aplicaciones generalesEn el 6GHz. ¿Qué es eso?
Tienemuy alto ganancia, ancho banda y bajo el coste, En el 4*4,5 mmNúmero de registrode plástico el paquete.
Puede. apoyoCW, pulsoo bien Cualquier Modulado La señal.
Ahí está. es No es garantía de las el rendimiento cuando este parte es utilizado en el exterior de las Se ha dicho las frecuencias.
- Típico Clasificación AB - Solo portador W-CDMA Caracterización El rendimiento:
V.No se puede = 50 Vdc,Yo...DQ = 20 mA, Ingreso Señales Par = 10 Db @0.01% Probabilidad En el El CCDF.
(En el Inmigración tablero de solicitud con dispositivo soldado)
Frecuencia | - ¿Qué es eso? | El CCDF | Pico | Pico | Acceso a la información | Ganancias | - ¿ Qué? |
---|---|---|---|---|---|---|---|
3300 | 33.00 | 9.12 | 42.12 | 16.3 | - ¿Qué es eso?9 | 16.8 | 27.8 |
3400 | 32.99 | 9.04 | 42.03 | 16.0 | - 36 años.3 | 17.1 | 27.8 |
3500 | 33.00 | 8.92 | 41.92 | 15.6 | - 37 años.1 | 17.4 | 28.7 |
3600 | 32.97 | 8.90 | 41.88 | 15.4 | - 38 años.1 | 17.5 | 27.4 |
3700 | 33.00 | 8.97 | 41.97 | 15.7 | - 39 años.4 | 17.4 | 27.4 |
3800 | 33.01 | 8.90 | 41.91 | 15.5 | - 40 años.7 | 16.6 | 25.7 |
Aplicaciones
- 5G, 4G infraestructura inalámbrica
- Banda ancha o bien banda estrecha potencia amplificador
- Prueba los instrumentos
- El derecho civil pulso el radar
- - ¿ Qué es eso?