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MT25QL512ABB8E12-0SIT IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA Tecnología de micrófonos Inc.
| Tipo de la memoria: | Permanente |
|---|---|
| Formato de la memoria: | FLASH |
| Tecnología: | FLASH - NI |
AT24C512C-MAHM-T IC EEPROM 512KBIT I2C 8UDFN Tecnología de microchip
| Tipo de la memoria: | Permanente |
|---|---|
| Formato de la memoria: | EEPROM |
| Tecnología: | EEPROM |
CY7C1071DV33-12BAXI IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA Tecnologías Infineon
| Tipo de la memoria: | Volátil |
|---|---|
| Formato de la memoria: | SRAM |
| Tecnología: | SRAM - Asincrónico |
AS7C316098A-10BIN IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA Alliance Memory, Inc. Se trata de una memoria de circuito integrado de 16MBIT paralelas con una capacidad de almacenamiento de más de 10 GB.
| Tipo de la memoria: | Volátil |
|---|---|
| Formato de la memoria: | SRAM |
| Tecnología: | SRAM - Asincrónico |
IS43LD16640A-25BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA ISSI, Solución de silicio integrado Inc.
| Tipo de la memoria: | Volátil |
|---|---|
| Formato de la memoria: | COPITA |
| Tecnología: | SDRAM - LPDDR2 móvil |
AT24C256C-MAHL-T IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8UDFN Tecnología de microchip
| Tipo de la memoria: | Permanente |
|---|---|
| Formato de la memoria: | EEPROM |
| Tecnología: | EEPROM |
AT49F1024-55VC IC FLASH 1MBIT PARALÉL 40VSOP Tecnología de microchip
| Tipo de la memoria: | Permanente |
|---|---|
| Formato de la memoria: | FLASH |
| Tecnología: | FLASH |
MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA Tecnología de micrófonos Inc.
| Tipo de la memoria: | Volátil |
|---|---|
| Formato de la memoria: | COPITA |
| Tecnología: | SDRAM - LPDDR4 móvil |
Se trata de un sistema de transmisión de datos basado en la tecnología de la información.
| Tipo de la memoria: | Permanente |
|---|---|
| Formato de la memoria: | EEPROM |
| Tecnología: | EEPROM |
W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP Winbond Electrónica
| Tipo de la memoria: | Permanente |
|---|---|
| Formato de la memoria: | FLASH |
| Tecnología: | FLASH - NAND (SLC) |

