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CYD36S18V18-167BGXC IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

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xTipo de la memoria | Volátil | Formato de la memoria | SRAM |
---|---|---|---|
tecnología | SRAM - Puerto doble, sincrónico | Tamaño de la memoria | 36Mbit |
Organización de la memoria | 2M x 18 | Interfaz de la memoria | En paralelo |
Frecuencia de reloj | 167 megaciclos | Escriba la duración de ciclo - palabra, página | - |
Tiempo de acceso | 4 ns | Voltagem - Suministro | 1Las emisiones de gases de efecto invernadero se determinarán en función de las emisiones de gases d |
Temperatura de funcionamiento | 0 °C ~ 70 °C (TA) | Tipo de montaje | Montura de la superficie |
Envase / estuche | 484-FBGA | Paquete de dispositivos del proveedor | 484-PBGA (27x27) |
Part Number | Description | |
---|---|---|
CYD36S18V18-167BGXC | IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA | |
CYD09S72V18-200BGXI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 484PBGA | |
CYD18S72V18-167BGI | IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA | |
CYD18S72V18-167BGC | IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA | |
CYD18S72V18-167BGXC | IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA | |
CYD36S36V18-200BGXC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484PBGA | |
CYD36S72V18-167BGXI | IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA | |
CYD36S72V18-200BGXC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484PBGA | |
CYD36S18V18-167BGXI | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484FBGA | |
CYD18S72V18-200BGI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 484PBGA | |
CYD18S72V18-200BGXI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 484PBGA | |
CYD09S72V18-200BGXI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 484PBGA | |
CYD36S18V18-167BGXC | IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA | |
CYD36S18V18-200BGXC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484PBGA | |
CYD36S36V18-167BGXC | IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA | |
CYD36S36V18-167BGXI | IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA | |
CYD36S36V18-200BGXC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484PBGA | |
CYD36S72V18-167BGXC | IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA | |
CYD36S72V18-167BGXI | IC SRAM 36MBIT 167MHZ 484FBGA | |
CYD36S72V18-200BGXC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484PBGA | |
CYD18S72V18-167BGC | IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA | |
CYD18S72V18-167BGXC | IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA | |
CYD18S72V18-167BGI | IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA |
Detalles del producto
Resistencias de precisión con plomo axial
La gama Holco de resistencias de película metálica de precisión cumple con el requisito de componentes a precios económicos para aplicaciones industriales y militares.Las instalaciones de fabricación utilizan procesos de producción estrictamente controlados, incluido el recubrimiento con pulverización de películas de aleación de metal sobre sustratos cerámicos.Se aplica un revestimiento epoxi para la protección ambiental y mecánica.Comercialmente la serie está disponible en dos tamaños de estuche, de 1 ohm a 4M ohms, tolerancias de 0,05% a 1% y TCRs de 5ppm/°C a 100ppm/°C. Ofrecido con liberación a la BS CECC 40101 004, 030 y 804, el H8 está disponible a través de la distribución.
Características clave
■ Ultraprecisión - Bajo el 0,05%■ Los conjuntos disponibles para el ensamblaje de 2 ppm/°C
■ Resiste el pulso alto
■ Baja reactividad
■ TCR bajo - hasta 5 ppm/°C
■ Estabilidad a largo plazo
■ Hasta 1 Watt a 70°C
■ Publicado en CECC 40101 004, 030 y 804
Especificaciones
Atributo | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | El ciprés semiconductor |
Categoría de productos | Interfaces de memoria |
Serie | - |
Embalaje | Envases |
Cuadro de paquete | 484-FBGA |
Temperatura de funcionamiento | 0 °C ~ 70 °C (TA) |
Interfaz | En paralelo |
Fuente de suministro de tensión | 1Las emisiones de gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero |
Envase del producto del proveedor | El número de unidades de producción es el número de unidades de producción. |
Capacidad de memoria | 36M (2M x 18) |
Tipo de memoria | SRAM - Puerto doble, sincrónico |
Velocidad | 167 MHz |
Formatos de memoria | Memoria RAM |