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AS4C16M32MD1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA Alliance Memory, Inc. Se trata de un sistema de almacenamiento de datos basado en la memoria de la Unión de las Naciones Unidas.

  • AS4C16M32MD1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA Alliance Memory, Inc.
Nombre de la marca Alliance Memory, Inc.
Número de modelo Las condiciones de los productos de la categoría 1 se especifican en el anexo I.
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

Éntreme en contacto con gratis las muestras y los vales.

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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria COPITA
Tecnología SDRAM - LPDDR móvil Tamaño de la memoria 512Mbit
Organización de la memoria el 16M x 32 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj 200 MHz Escriba la duración de ciclo - palabra, página 15ns
Tiempo de acceso 5 ns Voltagem - Suministro 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento -25°C ~ 85°C (TJ) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 90-VFBGA Paquete de dispositivos del proveedor Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo de la categoría 90
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number Description
AS4C16M32MD1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MSA-6BIN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C64M32MD1-5BCN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C32M32MD1A-5BIN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MD1-5BCNTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C4M32MSA-6BINTR IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MD1-5BINTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C4M32MSA-6BIN IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MD1-5BIN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C8M32MSA-6BINTR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MSA-6BINTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C8M32MSA-6BIN IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C32M32MD1A-5BINTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C64M32MD1-5BCNTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C64M32MD1-5BINTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C64M32MD1-5BIN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C32M32MD1-5BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C32M32MD1-5BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C32M32MD1-5BIN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C32M32MD1-5BINTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MS-7BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MS-6BIN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MS-6BINTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MS-7BCNTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

Características

• Organizaciones: 1,048,576 palabras × 4 bits
• Alta velocidad
- tiempo de acceso al RAS de 40/50/60/70 ns
- 20/25/30/35 ns tiempo de acceso a la dirección de la columna
- 10/13/15/18 ns Tiempo de acceso al CAS
• Bajo consumo energético
- Activo: 385 mW máximo (-60)
- En espera: 5,5 mW máximo, CMOS I/O
• Modo de página rápida (AS4C14400) o EDO (AS4C14405)
• 1024 ciclos de actualización, intervalo de actualización de 16 ms
- Actualización solo de RAS o de CAS antes de RAS
• Leer, modificar y escribir
• Compatible con TTL, E/S de tres estados
• Los paquetes estándar de JEDEC
- 300 mil, 20/26 pines de SOJ
- 300 millas, 20/26 pines de TSOP
• Fuente de alimentación única de 5 V
• Protección ESD ≥ 2001V
• Corriente de cierre ≥ 200 mA

Especificaciones

AtributoValor del atributo
FabricanteAlianza Memoria, Inc.
Categoría de productosInterfaces de memoria
Serie-
EmbalajeEmbalaje alternativo de bandeja
Cuadro de paquete90 VFBGA
Temperatura de funcionamiento-25 °C ~ 85 °C (TJ)
InterfazEn paralelo
Fuente de suministro de tensión1.7 V ~ 1.95 V
Envase del producto del proveedorLas partidas de los componentes de las máquinas de ensayo de la categoría 90
Capacidad de memoria512M (16M x 32)
Tipo de memoriaDispositivos de almacenamiento de datos móviles
Velocidad200 MHz
Formatos de memoriaMemoria RAM

Descripciones

SDRAM - IC de memoria LPDDR móvil de 512 Mb (16M x 32) paralelo a 200 MHz 5ns 90-FBGA (8x13)
DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 16M x 32 DDR móvil
Etiquetas:

Memoria Flash estable IC

Memoria Flash IC no volátil

Memoria Flash IC de SPI