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FM18W08-SG IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC Tecnologías Infineon

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xDatos del producto
Tipo de la memoria | Permanente | Formato de la memoria | FRAM |
---|---|---|---|
Tecnología | FRAM (RAM ferroeléctrico) | Tamaño de la memoria | 256Kbit |
Organización de la memoria | 32K x 8 | Interfaz de la memoria | En paralelo |
Frecuencia de reloj | - | Escriba la duración de ciclo - palabra, página | 130ns |
Tiempo de acceso | - | Voltagem - Suministro | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40 °C ~ 85 °C (TA) | Tipo de montaje | Montura de la superficie |
Envase / estuche | 28 - SOIC (0,295", 7,50 mm de ancho) | Paquete de dispositivos del proveedor | 28-SOIC |
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number | Description | |
---|---|---|
FM18W08-SG | IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC | |
FM28V020-SG | IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC | |
STK15C88-NF45 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC | |
FM18W08-SG | FRAM (FERROELECTRIC RAM) MEMORY | |
STK11C88-NF25I | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC | |
CY22E016L-SZ45XC | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC | |
CY22E016L-SZ35XC | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC | |
CY22E016L-SZ35XI | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC | |
CY22E016L-SZ45XI | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC | |
STK11C88-NF25ITR | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC | |
STK11C88-NF25TR | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC | |
STK11C88-NF45ITR | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC | |
STK11C88-NF45TR | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC | |
STK15C88-NF25ITR | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC | |
STK15C88-NF25TR | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC | |
STK15C88-NF45I | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC | |
STK15C88-NF45ITR | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC | |
STK15C88-NF45TR | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC | |
STK22C48-NF25ITR | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC | |
STK22C48-NF25TR | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC | |
STK22C48-NF45 | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC | |
STK22C48-NF45ITR | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC | |
STK22C48-NF45TR | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC | |
STK11C88-NF25 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC | |
STK11C88-NF45 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC | |
STK11C88-NF45I | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC | |
STK15C88-NF25 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC | |
STK15C88-NF25I | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC | |
STK15C88-NF45 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC | |
STK22C48-NF25 | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC | |
STK22C48-NF25I | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC | |
STK22C48-NF45I | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC | |
CY7C199D-25SXE | IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC |
Descripción de producto
Detalles del producto
VALOR de la tensión: de 1000 a 1800 voltios
Características
* Cambio rápido* Baja fuga
* Baja caída de voltaje hacia adelante
* Capacidad de corriente alta
* Alta oleada de divisas
* Alta fiabilidad
Especificaciones
Atributo | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | El ciprés semiconductor |
Categoría de productos | Interfaces de memoria |
Serie | F-RAMTM |
Embalaje | Embalaje alternativo de los tubos |
Unidad de peso | 0.078125 onzas |
Estilo de montaje | DSM/SMT |
Rango de temperatura de funcionamiento | - 40 ° C a + 85 ° C |
Cuadro de paquete | 28 - SOIC (0,295", 7,50 mm de ancho) |
Temperatura de funcionamiento | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
Interfaz | En paralelo |
Fuente de suministro de tensión | 2.7 V ~ 5.5 V |
Envase del producto del proveedor | 28-SOIC |
Capacidad de memoria | 256K (32K x 8) |
Tipo de memoria | Las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas |
Velocidad | 70 años |
Tiempo de acceso | 70 ns |
Formatos de memoria | Memoria RAM |
Temperatura máxima de funcionamiento | + 85 C |
Rango de temperatura de funcionamiento | - 40 ° C. |
Válvula de alimentación de funcionamiento | 3.3 V |
Tipo de interfaz | En paralelo |
Organizaciones | 32 k x 8 |
Válvula de alimentación | 5.5 V |
Válvula de alimentación | 2.7 V |
Cuadro de paquete | Las condiciones de los productos |
Componente compatible funcional
Formulario, paquete, componente funcional compatible
Parte del fabricante | Descripción | Fabricante | Comparar |
Se trata de una serie de medidas de seguridad. Memoria |
Circuito de memoria, 32KX8, CMOS, PDSO28, verde, MS-013AE, SOIC-28 | El ciprés semiconductor | FM18W08-SG frente a FM1808B-SG |
Se aplicará el procedimiento de ensayo. Memoria |
Circuito de memoria, 128KX8, CMOS, PDSO32, TSOP1-32 | El ciprés semiconductor | La velocidad de la señal es la velocidad de la señal. |
Se aplicará el procedimiento siguiente: Memoria |
Circuito de memoria, 32KX8, CMOS, PDIP28, GREEN, MS-011, DIP-28 | Empresa internacional Ramtron | El objetivo de la medida es el de garantizar la seguridad y la seguridad de los vehículos. |
Se aplicará el procedimiento siguiente: Memoria |
Circuito de memoria, 64KX8, CMOS, PDSO8, SOIC-8 | El ciprés semiconductor | FM18W08-SG frente a FM25V05-G |
Se aplicará el procedimiento siguiente: Memoria |
Circuito de memoria, 128KX8, CMOS, PDSO32, TSOP1-32 | El ciprés semiconductor | La velocidad de la señal es la velocidad de la señal. |
Se aplicará el procedimiento siguiente: Memoria |
Circuito de memoria, 8KX8, CMOS, PDSO28, GREEN, MS-013AE, SOIC-28 | El ciprés semiconductor | FM18W08-SG frente a FM16W08-SG |
Se aplicará el procedimiento siguiente: Memoria |
Circuito de memoria, 64KX8, CMOS, PDSO8, SOIC-8 | El ciprés semiconductor | El objetivo de las medidas de seguridad es garantizar la seguridad de los vehículos. |
Se aplicará el procedimiento siguiente: Memoria |
Circuito de memoria, 32KX8, CMOS, PDSO28, MS-013AE, SOIC-28 | Empresa internacional Ramtron | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
Se aplicará el método de ensayo. Memoria |
Circuito de memoria, 32KX8, CMOS, PDSO28, verde, MS-013DAE, SOIC-28 | Empresa internacional Ramtron | El objetivo de la medida es el mantenimiento de la seguridad de los vehículos. |
Descripciones
FRAM (RAM ferroeléctrica) IC de memoria 256Kb (32K x 8) paralelo a 28-SOIC
FRAM 256Kbit paralelo 3.3V tubo SOIC de 28 pines
F-RAM 256Kb 70ns 32K x 8 FRAM paralelo
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