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MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc. Se trata de un sistema de almacenamiento de datos basado en datos digitales, que incluye la información de los datos de los usuarios y de las empresas.

  • MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc.
Nombre de la marca Micron Technology Inc.
Número de modelo MT4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria COPITA
Tecnología SDRAM-DDR2 Tamaño de la memoria 512Mbit
Organización de la memoria 128M x 4 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj 400 MHz Escriba la duración de ciclo - palabra, página 15ns
Tiempo de acceso 400 picosegundos Voltagem - Suministro 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 85°C (TC) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 60-TFBGA Paquete de dispositivos del proveedor 60-FBGA (8x10)
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number Description
MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-187E:H IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA
MT47H128M8CF-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 AIT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 L:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8JN-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8JN-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8JN-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E IT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E L:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47R128M8CF-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47R128M8CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M4CF-187E:G IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47H256M4CF-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-187E:G IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47R256M4CF-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47R256M4CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E IT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 IT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E IT:G TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E:G TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E AIT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E AIT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8JN-25E IT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8JN-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 AIT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 AAT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8SH-25E AAT:M IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AIT:H IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8SH-187E:M TR IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AAT:H IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8SH-25E AAT:M TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AIT:H TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

DDR2 SDRAM

MT47H256M4 ¢ 32 Meg x 4 x 8 bancos
MT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 bancos
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 bancos

Características

• VDD = 1,8 V ± 0,1 V, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
• E/S de 1.8V de la norma JEDEC (compatible con SSTL_18)
• Opción de estroboscopo de datos diferencial (DQS, DQS#)
• Arquitectura de preencuesta de 4n bits
• Opción de estroboscopo de salida duplicado (RDQS) para x8
• DLL para alinear las transiciones DQ y DQS con CK
• 8 bancos internos para operaciones simultáneas
• latencia de CAS programable (CL)
• La latencia del aditivo CAS publicada (AL)
• Tardor de escritura = Tardor de lectura - 1 tCK
• Longitudes de estallido seleccionables (BL): 4 u 8
• Fuerza de transmisión de datos ajustable
• 64 ms, 8192 ciclos de actualización
• Terminación en el momento de la muerte (ODT)
• Opción de temperatura industrial (TI)
• Opción de temperatura del vehículo (AT)
• Cumplimiento de la Directiva RoHS
• Soporta la especificación JEDEC de jitter de reloj

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Tecnología Micron Inc.
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Envases
Cuadro de paquete 60 - TFBGA
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 85 °C (TC)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 1.7 V ~ 1.9 V
Envase del producto del proveedor Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo de la categoría M2
Capacidad de memoria 512M (128Mx4)
Tipo de memoria DDR2 SDRAM
Velocidad 2.5ns
Formatos de memoria Memoria RAM

Descripciones

SDRAM - IC de memoria DDR2 de 512 Mb (128 M x 4) paralelo a 400 MHz 400ps 60-FBGA (8x10)
Chip DRAM DDR2 SDRAM 512Mbit 128Mx4 1.8V 60 pin FBGA
Etiquetas:

Memoria Flash estable IC

Memoria Flash IC no volátil

Memoria Flash IC de SPI