W9725G6KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALÉL 84WBGA Winbond Electrónica

Nombre de la marca Winbond Electronics
Número de modelo El valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles renovables.
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria COPITA
Tecnología SDRAM-DDR2 Tamaño de la memoria 256Mbit
Organización de la memoria el 16M x 16 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj 400 MHz Escriba la duración de ciclo - palabra, página 15ns
Tiempo de acceso 400 picosegundos Voltagem - Suministro 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 85°C (TC) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 84-TFBGA Paquete de dispositivos del proveedor El número de unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de contr
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Part Number Description
W9725G6KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6NB-25 TR IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA
W9725G6KB-25 IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6NB-25 IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA
W972GG6KB-25 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6NB-18 IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA
W971GG6NB25I IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA
W9712G6KB-25 TR IC DRAM 128MBIT PAR 84TFBGA
W9712G6KB-25 IC DRAM 128MBIT PAR 84TFBGA
W9712G6KB25I TR IC DRAM 128MBIT PAR 84TFBGA
W9712G6KB25I IC DRAM 128MBIT PAR 84TFBGA
W9725G6KB-18 TR IC DRAM 256MBIT PAR 84WBGA
W9725G6KB25I TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA
W9725G6KB-18 IC DRAM 256MBIT PAR 84WBGA
W9725G6KB25I IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6NB-18 TR IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA
W971GG6NB25I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA
W972GG6KB-25 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
W972GG6KB-18 TR IC DRAM 2GBIT PAR 84WBGA
W972GG6KB-18 IC DRAM 2GBIT PAR 84WBGA
W972GG6KB25I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
W972GG6KB25I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
W9725G6IB-25 IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA
W9751G6IB-25 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA
W9751G6KB-25 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA
W9725G6JB25I IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6KB-18 IC DRAM 1GBIT PAR 84WBGA
W971GG6KB-25 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6KB25I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
W9751G6KB-18 IC DRAM 512MBIT PAR 84WBGA
W9751G6KB25I IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6SB-18 IC DRAM 1GBIT PAR 84WBGA
W971GG6SB-25 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6SB25I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6KB-18 TR IC DRAM 1GBIT PAR 84WBGA
W971GG6KB-25 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6KB25I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6SB-18 TR IC DRAM 1GBIT PAR 84WBGA
W971GG6SB25I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
W9751G6KB-18 TR IC DRAM 512MBIT PAR 84WBGA
W9751G6KB25I TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA
W972GG8KB-18 IC DRAM 2GBIT PAR 84WBGA
W972GG8KB25I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
W972GG8KB-25 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
W9751G6KB-25 TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6SB-25 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

Descripción general

El W9725G6JB es una 256M bits DDR2 SDRAM, organizado como 4,194Este dispositivo alcanza velocidades de transferencia de alta velocidad de hasta 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) para diversas aplicaciones.,25I, 25A, 25K y -3. Las piezas de grado -18 cumplen con la especificación DDR2-1066 (7-7-7).Las piezas de grado -25/25I/25A/25K cumplen con las especificaciones DDR2-800 (5-5-5) o DDR2-800 (6-6-6) (las piezas de grado industrial 25I que se garantiza que soportan -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C)Las piezas de grado -3 cumplen con la especificación DDR2-667 (5-5-5).

Características

• Fuente de alimentación: VDD, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
• Arquitectura de doble velocidad de datos: dos transferencias de datos por ciclo de reloj
• CAS latencia: 3, 4, 5, 6 y 7
• Duración del estallido: 4 y 8
• Se transmiten/reciben datos con estrobos de datos bidireccionales y diferenciales (DQS y DQS)
• Alineación de borde con datos de lectura y alineación central con datos de escritura
• DLL alinea las transiciones DQ y DQS con el reloj
• Entradas de reloj diferencial (CLK y CLK)
• Máscaras de datos (DM) para escribir datos
• Los comandos introducidos en cada borde positivo de CLK, datos y máscara de datos se refieren a ambos bordes de DQS
• Se admite la latencia aditiva programable de CAS publicada para aumentar la eficiencia del bus de comandos y datos
• Lectura de latencia = latencia aditiva más latencia CAS (RL = AL + CL)
• Ajuste de impedancia fuera del chip-conductor (OCD) y terminación en la matriz (ODT) para una mejor calidad de la señal
• Función de precarga automática para ráfagas de lectura y escritura
• Modos de actualización automática y autoactualización
• Desactivación de la carga y desactivación activa
• Escribir máscara de datos
• Escribir la latencia = leer la latencia - 1 (WL = RL - 1)
• Interfaz: SSTL_18
• Envasado en WBGA 84 Ball (8X12.5 mm2), con materiales libres de plomo y compatibles con RoHS

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Productos electrónicos Winbond
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Embalaje alternativo de cinta y bobina (TR)
Cuadro de paquete Las demás:
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 85 °C (TC)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 1.7 V ~ 1.9 V
Envase del producto del proveedor El número de unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control.
Capacidad de memoria 256M (16M x 16)
Tipo de memoria DDR2 SDRAM
Velocidad 2.5ns
Formatos de memoria Memoria RAM

Descripciones

Memoria IC 84-WBGA (8x12.5)
Chip DRAM DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84 pin WBGA