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MT40A1G8SA-062E IT:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA Tecnología de micrófonos Inc.

  • MT40A1G8SA-062E IT:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA Micron Technology Inc.
Nombre de la marca Micron Technology Inc.
Número de modelo MT40A1G8SA-062E LAS TIC: E
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria COPITA
Tecnología SDRAM - DDR4 Tamaño de la memoria 8 Gbit
Organización de la memoria 1Gx8 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj 1,6 gigahertz Escriba la duración de ciclo - palabra, página -
Tiempo de acceso - Voltagem - Suministro 1.14V ~ 1.26V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 95°C (TC) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 78-TFBGA Paquete de dispositivos del proveedor 78-FBGA (7.5x11)
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number Description
MT40A4G4SA-062E:F IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA
MT40A1G8SA-075:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E IT:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E:E TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-075:E TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E:R TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E:R IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E IT:E TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8SA-062E:F IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8SA-075:F TR DDR4 4G 512MX8 FBGA
MT40A512M8SA-062E:F TR DDR4 4G 512MX8 FBGA
MT40A512M8SA-075:F DDR4 4G 512MX8 FBGA
MT40A1G8SA-062E AIT:E TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E AIT:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8SA-062E IT:F TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8SA-062E IT:F IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E AAT:E TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E AAT:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-075:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-062E:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-062E:E TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-075:E TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-062E:R IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-062E:R TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E AUT:E TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E AUT:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G8SA-062E:F IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA
MT40A2G8SA-062E:F TR IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA
MT40A512M8SA-062E AIT:F IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8SA-062E AIT:F TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G8SA-062E IT:F TR IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G8SA-062E IT:F IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8SA-062E AAT:F IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8SA-062E AAT:F TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A4G4SA-062E:F TR IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA
MT40A1G16TD-062E AIT:F TR DDR4 16G 1GX16 FBGA
MT40A1G16TD-062E AIT:F DDR4 16G 1GX16 FBGA
MT40A512M8SA-062E AUT:F IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8SA-062E AUT:F TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G16TD-062E AUT:F DDR4 16G 1GX16 FBGA
MT40A1G16TD-062E AUT:F TR DDR4 16G 1GX16 FBGA
MT40A1G16TD-062E AAT:F DDR4 16G 1GX16 FBGA
MT40A1G16TD-062E AAT:F TR DDR4 16G 1GX16 FBGA
MT40A1G8SA-075:H IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E IT:J TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E:J TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-062E:J TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E IT:J IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E:J IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-062E:J IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-075 C:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G4SA-062E:F IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A4G4SA-062E PS:F IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA
MT40A2G4SA-062EPS:J IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G4SA-062E:G IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8SA-062E:G IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-062E PS:R IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8AG-062E AUT:R TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8AG-062E AIT:R IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8AG-062E AAT:R IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8AG-062E AIT:R TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8AG-062E AUT:R IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8AG-062E AAT:R TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

Descripción

Estos amortiguadores de voltaje transitorio de 1500 vatios ofrecen capacidades de manejo de potencia que solo se encuentran en paquetes más grandes.Se utilizan con mayor frecuencia para proteger contra los transitorios de entornos de conmutación inductiva o efectos secundarios de rayos inducidos, como se encuentra en los niveles de sobretensiones más bajos de IEC61000-4-5Con tiempos de respuesta muy rápidos, también son eficaces en la protección contra el ESD o EFT.Las características del paquete Powermite® incluyen un fondo totalmente metálico que elimina la posibilidad de atrapamiento del flujo de soldadura durante el montajeTambién proporcionan una ficha de bloqueo única que actúa como un disipador de calor integral.la inductancia parasitaria se reduce al mínimo para reducir los excesos de voltaje durante los transitorios de tiempo de subida rápida.

Características

• Envase de montaje de superficie de perfil muy bajo (1.1 mm)
• Tablas integradas de bloqueo del disipador de calor
• Compatible con el equipo de inserción automática
• El fondo totalmente metálico elimina el atrapamiento del flujo
• Rango de tensión de 5 a 170 voltios
• Disponible tanto en unidireccional como en bidireccional (sufijo C para bidireccional)

Calificaciones máximas

• Temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C
• Temperatura de almacenamiento: -55°C a +150°C
• 1500 Watt de potencia de pulso máximo (10 / 1000 μsec)
• Corriente de sobretensiones hacia adelante: 200 Amperios a 8,3 ms (excluyendo bidireccional)
• Tasa de aumento de las repeticiones (factor de trabajo): 0,01%
• Resistencia térmica: conexión de 2,5°C/watt a tab 130°C/watt a ambiente con huella recomendada
• Temperatura de plomo y montaje: 260°C durante 10 segundos

Aplicaciones / beneficios

• Protección temporal por rayos secundarios
• Protección de transición de conmutación inductiva
• Pequeña huella
• Inductividad parasitaria muy baja para un mínimo de sobrecarga de voltaje
• Cumple con las normas IEC61000-4-2 y IEC61000-4-4 para la protección ESD y EFT respectivamente y con las normas IEC61000-4-5 para los niveles de sobretensiones definidos en el presente documento

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Tecnología Micron Inc.
Categoría de productos Chips de circuito integrado
El Sr. Tecnología de Micron Inc.
Serie -
Paquete Envases
Estado del producto Actividad
Tipo de memoria Las sustancias
Formato de memoria Dispositivos de almacenamiento
Tecnología SDRAM - DDR4
Tamaño de la memoria 8Gb (1G x 8)
Interfaz de memoria En paralelo
Frecuencia del reloj 1,6 GHz
Escribe-Ciclo-Tiempo-Word-Página -
Fuente de suministro de tensión Los componentes de las válvulas
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 95 °C (TC)
Tipo de montaje Montura de la superficie
Cuadro de paquete Las partidas siguientes se aplicarán:
Envase del producto del proveedor Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo deberán estar equipadas con un dispositivo de ensayo que permita la obtención de la información requerida para el ensayo.
Número del producto de base MT40A1
Etiquetas:

Memoria Flash estable IC

Memoria Flash IC no volátil

Memoria Flash IC de SPI