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MT41K64M16TW-107:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA Tecnología de micrófono Inc.

  • MT41K64M16TW-107:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA Micron Technology Inc.
Nombre de la marca Micron Technology Inc.
Número de modelo MT41K64M16TW-107: J TR
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria COPITA
Tecnología SDRAM - DDR3L Tamaño de la memoria 1Gbit
Organización de la memoria los 64M x 16 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj 933 megaciclos Escriba la duración de ciclo - palabra, página -
Tiempo de acceso 20 ns Voltagem - Suministro 1.283V ~ 1.45V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 95°C (TC) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 96-TFBGA Paquete de dispositivos del proveedor 96-FBGA (8x14)
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number Description
MT41K64M16TW-107:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41K64M16TW-107:J IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16JT-125 AIT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K128M16JT-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16TW-107 XIT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16TW-107:P IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16TW-107 AIT:P IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16TW-107 XIT:P IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16JT-125 XIT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K128M16JT-125:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K64M16TW-107 AIT:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16JT-107 IT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K64M16TW-107 AAT:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16TW-107 AAT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16TW-093:P IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16TW-107 AIT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16JT-125 IT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K64M16TW-107 IT:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41K64M16TW-107 XIT:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41K64M16TW-107 AIT:J IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41K64M16TW-107 AAT:J IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16JT-107 IT:K IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K64M16TW-107 AUT:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41K64M16TW-107 AUT:J IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16TW-093:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16TW-107:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16TW-107 IT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16TW-107 IT:P IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16JT-125 IT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K128M16JT-125 AUT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K128M16JT-125 AUT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16TW-107 AAT:P IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16JT-125 XIT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K128M16JT-125 AIT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K128M16JT-125 AAT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K128M16JT-107:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16JT-107G:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16JT-125 M AIT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K128M16JT-125 M:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K128M16JT-107:K IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16JT-107G:K IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16JT-125 M AIT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K128M16JT-125 M:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K64M16TW-107 IT:J IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-093 J:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT40A512M16JY-075E AIT:B TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J64M16TW-093:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16JT-125 V:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16TW-093 IT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K64M16TW-125:J TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A512M16JY-075E IT:B TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT40A1G16WBU-083E:B TR IC DRAM 16GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A512M16JY-083E AAT:B TR IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A512M16JY-083E AIT:B TR IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A512M16JY-083E AUT:B TR IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A512M16JY-083E IT:B TR IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT41K64M16TW-107 XIT:J IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT40A512M16JY-075E:B TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A512M16JY-083E:B TR IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A1G16WBU-075E:B IC DRAM 16GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A512M16JY-062E:B IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A512M16JY-062E IT:B IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A1G16WBU-075E:B TR IC DRAM 16GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A512M16JY-062E IT:B TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A512M16JY-062E:B TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16TW-125:P IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K64M16TW-125:J IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K128M16JT-125 V:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16TW-093 IT:P IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT40A1G16WBU-083E:B IC DRAM 16GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A512M16JY-075E AIT:B IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A512M16JY-075E IT:B IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A512M16JY-075E:B IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A512M16JY-083E AAT:B IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A512M16JY-083E AIT:B IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A512M16JY-083E AUT:B IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT41J64M16TW-093:J IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16JT-17:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16TW-17 XIT:P TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16TW-93:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16JT-17:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16TW-17 XIT:P IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16TW-93:P IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16TW-107 AT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16TW-107 AT:P IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

[MCL]

Amplificador de laboratorio de banda ancha CW TWT

Para pruebas de radar, EMC y EW

El amplificador de banda ancha MT4100 está basado en la arquitectura MT4000 TWT.

Con un diseño modular, un embalaje compacto y eficiente, el MT4100 exhibirá una fiabilidad insuperable.

Las características:

Amplia capacidad de diagnóstico
Diseño térmico avanzado
Tamaño compacto
Refrigeración por conductos
Operación silenciosa

Especificaciones

AtributoValor del atributo
FabricanteTecnología Micron Inc.
Categoría de productosInterfaces de memoria
Serie-
EmbalajeEmbalaje alternativo de cinta y bobina (TR)
Cuadro de paqueteLas demás:
Temperatura de funcionamiento0 °C ~ 95 °C (TC)
InterfazEn paralelo
Fuente de suministro de tensión1.283 V ~ 1.45 V
Envase del producto del proveedorLas partidas de los componentes de las máquinas de ensamblaje de aluminio
Capacidad de memoria1G (64M x 16)
Tipo de memoriaDDR3L SDRAM
Velocidad933 MHz
Formatos de memoriaMemoria RAM

Descripciones

SDRAM - IC de memoria DDR3L 1Gb (64M x 16) paralelo a 933MHz 20ns 96-FBGA (8x14)
Chip de DRAM DDR3L SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.35V 96 pin FBGA bandeja
Etiquetas:

Memoria Flash estable IC

Memoria Flash IC no volátil

Memoria Flash IC de SPI