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MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP Tecnología de micrófonos Inc.

  • MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP Micron Technology Inc.
Nombre de la marca Micron Technology Inc.
Número de modelo MT420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M42
Cantidad de orden mínima 1
Precio Based on current price
Detalles de empaquetado Bolsa antistática y caja de cartón
Tiempo de entrega 3 a 5 días hábiles
Condiciones de pago T/T
Capacidad de la fuente En stock

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Datos del producto
Tipo de la memoria Volátil Formato de la memoria COPITA
Tecnología SDRAM-DDR Tamaño de la memoria 512Mbit
Organización de la memoria los 32M x 16 Interfaz de la memoria En paralelo
Frecuencia de reloj 200 MHz Escriba la duración de ciclo - palabra, página 15ns
Tiempo de acceso 700 picosegundos Voltagem - Suministro 2,5 V ~ 2,7 V
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA) Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 66-TSSOP (0,400", anchura de 10.16m m) Paquete de dispositivos del proveedor 66-TSOP
Puede marcar los productos que necesita y comunicarse con nosotros en el tablero de mensajes.
Part Number Description
MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M4TG-6T:D TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP
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MT46V16M8TG-6T:D TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP
MT46V128M4TG-6T:D TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
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MT46V16M16TG-6T IT:F TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP
MT46V16M16TG-6T:F TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP
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MT46V64M8TG-6T:D TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
MT46V64M8TG-75 L:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
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MT46V64M16P-6T:A TR IC DRAM 1GBIT PAR 167MHZ 66TSOP
MT46V64M16P-75:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M16P-75:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 66TSOP
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MT46V64M4P-5B:G TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
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MT46V64M8P-6T IT:F TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
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MT46V64M8P-6T:F IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
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MT46V64M8TG-6T L:F TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
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MT46V16M8P-6TL:DTR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP
MT46V16M8P-6T:DTR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP
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MT46V32M8P-6TL:GTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP
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MT46V8M16P-6TIT:DTR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP
MT46V64M8P-6T:F TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
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MT46V128M4TG-75:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
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MT46V128M8TG-75:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 66TSOP
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MT46V16M8TG-75:D TR IC DRAM 128MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V256M4TG-6T:A IC DRAM 1GBIT PAR 167MHZ 66TSOP
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MT46V32M16P-5B:C TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16P-6T:C IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
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MT46V32M16TG-6T:C IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
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MT46V32M8TG-75:G TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
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MT46V64M8P-6T:D TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
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MT46V64M8TG-75:D IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M8TG-75:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V8M16P-75:D IC DRAM 128MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V8M16TG-75:D IC DRAM 128MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V8M16TG-75:D TR IC DRAM 128MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V8M16P-75:D TR IC DRAM 128MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16P-5B:F TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V16M16P-75:F TR IC SDRAM DDR 256MB 66TSOP
MT46V32M16P-6T:F TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
MT46V64M8P-5B:F TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M8P-6T:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP
MT46V8M16P-5B:D TR IC DRAM 128MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M16P-6T IT:A TR IC DRAM 1GBIT PAR 167MHZ 66TSOP
MT46V64M16TG-6T IT:A TR IC DRAM 1GBIT PAR 167MHZ 66TSOP
MT46V32M8P-5B IT:K IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M8P-5B IT:K TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V128M8P-6T IT:A IC DRAM 1GBIT PAR 167MHZ 66TSOP
MT46V16M16P-5B:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16P-5B IT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16P-5B:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16P-6T L IT:F IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
MT46V64M16P-6T IT:A IC DRAM 1GBIT PAR 167MHZ 66TSOP
MT46V64M4P-5B:K IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M4P-6T:K IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP
MT46V64M8P-5B L IT:F IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V16M16P-5B IT:K TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V16M16P-5B:K TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V16M16P-6T IT:K TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP
MT46V16M16P-6T:K TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP
MT46V32M16P-5B IT:F TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V128M4P-5B:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V16M16P-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M8P-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M8P-5B L:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M4P-5B:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M8P-5B IT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M8P-5B L IT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16P-6T IT:F TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
MT46V64M8TG-5B IT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M8TG-5B IT:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V16M16P-5B XIT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16P-5B XIT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V128M4P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V16M16P-5B IT:M TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16P-5B AIT:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16P-5B L:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16P-5B XIT:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M8P-5B IT:M TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M8P-5B:M TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M8P-5B AIT:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M8P-5B IT:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M8P-5B L IT:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V16M16P-5B AIT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16P-5B AIT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16P-5B L:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M8P-5B AIT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M8TG-5B:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M8TG-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16TG-5B IT:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16TG-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16TG-5B:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V16M16P-5B:M TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V16M16P-5B AIT:M TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V16M16P-5B XIT:M TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
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Part Number Description
Descripción de producto

Detalles del producto

Descripción funcional

La DDR SDRAM utiliza una arquitectura de doble velocidad de datos para lograr un funcionamiento de alta velocidad.La arquitectura de doble velocidad de datos es esencialmente una arquitectura de 2n prefetch con una interfaz diseñada para transferir dos palabras de datos por ciclo de reloj en los pines de E/S. Un acceso único de lectura o escritura para la DDR SDRAM consiste efectivamente en una única transferencia de datos de un ciclo de un reloj de 2 n bits de ancho en el núcleo interno de la DRAM y dos correspondientes de n bits de ancho,transferencias de datos de un ciclo de media hora en los pines de E/S.

Características

• VDD = +2,5 V ±0,2 V, VDDQ = +2,5 V ±0,2 V
• VDD = +2,6V ±0,1V, VDDQ = +2,6V ±0,1V (DDR400)
• Transmisión bidireccional de datos por estroboscopo (DQS)
Recibido con datos, es decir, datos sincronizados con la fuente
captura (x16 tiene dos uno por byte)
• Tasa de doble transmisión de datos interna (DDR)
arquitectura; dos accesos a datos por ciclo de reloj
• Entradas de reloj diferencial (CK y CK#)
• Los comandos introducidos en cada borde positivo CK
• DQS alineado en el borde con datos para READ; alineado en el centro con datos para WRITE
• DLL para alinear las transiciones DQ y DQS con CK
• Cuatro bancos internos para el funcionamiento simultáneo
• Máscara de datos (DM) para enmascarar datos de escritura
(x16 tiene dos uno por byte)
• Largomas de estallido programables: 2, 4 u 8
• Actualización automática
¢ 64 ms, 8192 ciclos (comerciales e industriales)
- 16 ms, 8192 ciclos (automóviles)
• Actualización automática (no disponible en los dispositivos AT)
• TEP de mayor duración para mejorar la fiabilidad (OCPL)
• Entrada/salida de 2,5 V (compatible con SSTL_2)
• Se admite la opción de precarga automática simultánea
• bloqueo de tRAS con soporte (tRAP = tRCD)

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Tecnología Micron Inc.
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Embalaje alternativo de cinta y bobina (TR)
Cuadro de paquete 66-TSSOP (0,400", ancho de 10,16 mm)
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 2.5 V ~ 2.7 V
Envase del producto del proveedor El número de datos de la empresa
Capacidad de memoria 512M (32M x 16)
Tipo de memoria DDR SDRAM
Velocidad 5 años
Formatos de memoria Memoria RAM

Descripciones

SDRAM - IC de memoria DDR de 512 Mb (32 M x 16) paralelo a 200 MHz 700ps 66-TSOP
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calcula en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Etiquetas:

Memoria Flash estable IC

Memoria Flash IC no volátil

Memoria Flash IC de SPI