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HMC516LC5 IC RF AMP GPS 9GHZ-18GHZ 32QFN Dispositivos analógicos Inc

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xDatos del producto
Frecuencia | 9 GHz ~ 18 GHz | P1dB | 14dBm |
---|---|---|---|
Aumento | 20.5 dB | Figura de ruido | 2dB |
Tipo del RF | Fines generales | Voltagem - Suministro | 2.5V ~ 3.5V |
Actual - fuente | 88mA | Frecuencia de la prueba | - |
Tipo de montaje | Montura de la superficie | Envase / estuche | Almohadilla expuesta 32-TFQFN |
Paquete de dispositivos del proveedor | 32-QFN (5x5) | ||
Resaltar | IC RF,Módulo de circuito integrado de RF,Módulo de chip de IC de RF |
Descripción de producto
Detalles del producto
Descripción general
El HMC516LC5 es un amplificador GaAs PHEMT MMIC de bajo ruido (LNA) de alto rango dinámico alojado en un paquete SMT sin plomo Pb libre RoHS compatible.0 dB de ruido y tiene una salida IP3 de +25 dBmLa potencia de salida de P1dB de +13 dBm permite al LNA funcionar también como un controlador LO para mezcladores balanceados, I/Q o de rechazo de imagen.
Características
El número de ruidos: 2,0 dBLa velocidad de entrada es igual a la velocidad de salida.
OIP3: +25 dBm
Se aplicará una corriente única: +3V @ 65 mA.
50 Ohm de entrada/salida combinadas
Envase de 5 x 5 mm conforme a la Directiva RoHS
Aplicaciones típicas
El HMC516LC5 es ideal para su uso como amplificador de LNA o de conductor para:• Radios punto a punto
• Radios punto a punto y VSAT
• Equipo de ensayo y sensores
• Militares
Especificaciones
Atributo | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | Hittita |
Categoría de productos | Chips de circuito integrado |
Serie | HMC516G, incluida la |
El tipo | Amplificador de RF |
Embalaje | Embalaje alternativo de banda cortada |
Estilo de montaje | DSM/SMT |
Cuadro de paquete | 32-TFQFN Pad expuesto |
Frecuencia | 9 GHz ~ 18 GHz |
Tecnología | GaAs |
Rango de frecuencia | de 9 a 18 GHz |
Número de canales | 1 Canal |
Fuente de suministro de tensión | 2.5 V ~ 3,5 V |
Envase del producto del proveedor | 32 SMT (5x5) |
Suministro de corriente | 88 mA |
Ganancias | 20.5 dB |
Tipo de amplificador | LNA |
Frecuencia del ensayo | - |
P1dB-punto de compresión | 14 dBm |
Figura de ruido | 2 dB |
Tipo de RF | Objetivo general |
Pd-Disposición de energía | 1.25 W |
Temperatura máxima de funcionamiento | + 85 C |
Rango de temperatura de funcionamiento | - 40 ° C. |
Válvula de alimentación de funcionamiento | 3 V |
Corriente de suministro de funcionamiento | 65 mA |
Frecuencia de funcionamiento | 18 GHz |
Figura de NF-ruido | 2 dB |
P1dB-punto de compresión | 14 dBm |
OIP3-Interceptación de tercer orden | 25 dBm |
Pérdida de entrada-retorno | 10 dB |
Descripciones
Amplificador de RF LNA único de 18 GHz 4V de 32 pines CQFN EP T/R
Amplificador de RF lo Amplificador de ruido SMT 9 - 18 GHz
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